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宽禁带半导体碳化硅基核辐射探测器研究进展
1
作者
杜青波
杨亚鹏
+5 位作者
高旭东
张智
赵晓宇
王惠琦
刘轶尔
李国强
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第5期737-756,共20页
碳化硅(SiC)半导体材料具有宽禁带、大晶体原子离位阈能及高电子空穴迁移速率等众多突出优势,基于其研制的SiC核辐射探测器具有耐高温、抗辐照、体积小、响应快等优点。高质量、大尺寸SiC晶体材料与外延生长技术及器件制备工艺的不断提...
碳化硅(SiC)半导体材料具有宽禁带、大晶体原子离位阈能及高电子空穴迁移速率等众多突出优势,基于其研制的SiC核辐射探测器具有耐高温、抗辐照、体积小、响应快等优点。高质量、大尺寸SiC晶体材料与外延生长技术及器件制备工艺的不断提升,极大地促进了SiC基核辐射探测器的发展。本文从SiC核辐射探测器的原理及性能评价指标入手,分析了辐射探测时SiC材料与各种辐射粒子相互作用的方式、主要性能指标,以及主要性能指标与SiC晶体缺陷等的关系,并基于SiC晶体的物理性质,总结对比了探测器级SiC晶体衬底制备和外延生长的方法,重点介绍了SiC带电粒子探测器、中子探测器、X/γ探测器的最新研究进展,分析了SiC基核辐射探测器发展面临的挑战,为提高SiC基核辐射探测器的性能提供了参考。
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关键词
碳化硅
宽禁带
半导体
半导体核辐射探测器
单晶生长
外延生长
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职称材料
题名
宽禁带半导体碳化硅基核辐射探测器研究进展
1
作者
杜青波
杨亚鹏
高旭东
张智
赵晓宇
王惠琦
刘轶尔
李国强
机构
中国辐射防护研究院
出处
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第5期737-756,共20页
基金
山西省基础研究计划青年科学研究项目(202303021212384)。
文摘
碳化硅(SiC)半导体材料具有宽禁带、大晶体原子离位阈能及高电子空穴迁移速率等众多突出优势,基于其研制的SiC核辐射探测器具有耐高温、抗辐照、体积小、响应快等优点。高质量、大尺寸SiC晶体材料与外延生长技术及器件制备工艺的不断提升,极大地促进了SiC基核辐射探测器的发展。本文从SiC核辐射探测器的原理及性能评价指标入手,分析了辐射探测时SiC材料与各种辐射粒子相互作用的方式、主要性能指标,以及主要性能指标与SiC晶体缺陷等的关系,并基于SiC晶体的物理性质,总结对比了探测器级SiC晶体衬底制备和外延生长的方法,重点介绍了SiC带电粒子探测器、中子探测器、X/γ探测器的最新研究进展,分析了SiC基核辐射探测器发展面临的挑战,为提高SiC基核辐射探测器的性能提供了参考。
关键词
碳化硅
宽禁带
半导体
半导体核辐射探测器
单晶生长
外延生长
Keywords
silicon carbide
wide band gap semiconductor
semiconductor nuclear radiation detector
single crystal growth
epitaxial growth
分类号
O78 [理学—晶体学]
TL814 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
宽禁带半导体碳化硅基核辐射探测器研究进展
杜青波
杨亚鹏
高旭东
张智
赵晓宇
王惠琦
刘轶尔
李国强
《人工晶体学报》
北大核心
2025
0
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