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半导体材料器件生产工艺中废气废水的综合治理方法及设备的研究被引量：5: 1; 作者闻瑞梅杜国栋《中国工程科学》 2001年第2期71-78,共8页; 针对半导体材料、器件生产工艺中的废气和废水的治理 ,介绍了三种不同的方法和相关设备。①利用碘盐、铜盐和锰盐以及多级逆向喷淋的设备对实验室MOVPE工艺尾气及砷化镓材料制备中砷烷、磷烷污染的治理。②生产规模的半导体材料砷化镓 ... 展开更多; 关键词废水废气砷烷磷烷半导体材料器件生产工艺综合治理设备; 在线阅读下载PDF 职称材料

硬X射线光电子能谱在半导体材料和器件中的应用被引量：1: 2; 作者宋华平杨安丽《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期505-513,共9页; 与常规X射线光电子能谱(XPS,能量E<2 keV))相比,硬X射线光电子能谱(HAXPES)由于采用较高能量的X射线(E>2 keV),具有更大的探测深度,已经成为研究复杂材料体系的体性质,以及多层薄膜结构和纳米复合结构界面性质的重要分析工具。简... 展开更多; 关键词硬X射线光电子能谱(HAXPES) 硬X射线光电子衍射半导体材料和器件能带结构亚表面性质; 在线阅读下载PDF 职称材料

上海有机所在阻转异构类有机半导体材料与器件研究中取得进展: 3; 作者新型《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第7期290-291,共2页; 近期,中国科学院上海有机化学研究所高希珂课题组等将立体化学中“阻转异构”的概念应用到有机半导体材料与器件中,设计合成并分离得到系列室温构象稳定的共轭二酰亚胺类阻转异构体(Syn-NDI、Anti-NDI、Syn-PDI和AntiPDI),将其作为有机... 展开更多; 关键词半导体材料与器件有机半导体热刺激加热条件概念应用二酰亚胺立体化学 PDI; 在线阅读下载PDF 职称材料

《半导体技术》征稿启事: 4; 作者《半导体技术》编辑部《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第2期101-101,共1页; 《半导体技术》是由中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的中文科技期刊(月刊)。我刊是北大版中文核心期刊、中国科技核心期刊,并被国内外多家数据库收录。2023年设置栏目:趋势与展望;半导体材料与器件;半... 展开更多; 关键词中文核心期刊中文科技期刊半导体技术责任自负中国科技核心期刊数据库收录半导体材料与器件泄密问题; 在线阅读下载PDF 职称材料

《半导体技术》征稿启事: 5; 作者《半导体技术》编辑部《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期538-538,共1页; 《半导体技术》是由中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的中文科技期刊(月刊)。我刊是北大版中文核心期刊、中国科技核心期刊,并被国内外多家数据库收录。2023年设置栏目:趋势与展望;半导体材料与器件;半... 展开更多; 关键词中文核心期刊中文科技期刊半导体技术中国科技核心期刊数据库收录半导体材料与器件趋势与展望集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

晶格失配对InAs基室温中波红外探测器性能的影响被引量：1: 6; 作者段永飞张振宇 +1 位作者陈泽中胡淑红《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期402-407,共6页; 采用液相外延技术生长了InAs基室温红外探测器件材料,通过光学显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪分析了外延材料表面形貌、截面形貌与晶格失配的关系。分析发现,不恰当的晶体晶格常数匹配度会导致材料表面形貌变差,降低材料的结晶质... 展开更多; 关键词外延薄膜半导体材料与器件光伏探测器红外材料与器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

编者按: 7; 作者陈小龙牛智川 +1 位作者李忠辉芦红《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期I0005-I0006,共2页; 1947年,世界上第一个晶体管诞生,开启了以硅半导体为代表的信息时代。“一代材料、一代器件、一代技术”。半个多世纪来,半导体材料与器件支撑了信息技术的飞速发展,而信息技术的发展需求又驱动了半导体材料与器件工艺的进步。元素半导体。; 关键词元素半导体硅半导体半导体材料与器件信息技术信息时代晶体管编者按; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体材料器件生产工艺中废气废水的综合治理方法及设备的研究被引量：5: 1; 作者闻瑞梅杜国栋; 机构同济大学; 出处《中国工程科学》 2001年第2期71-78,共8页; 文摘针对半导体材料、器件生产工艺中的废气和废水的治理 ,介绍了三种不同的方法和相关设备。①利用碘盐、铜盐和锰盐以及多级逆向喷淋的设备对实验室MOVPE工艺尾气及砷化镓材料制备中砷烷、磷烷污染的治理。②生产规模的半导体材料砷化镓 ,磷化姻 ,重掺砷硅单晶材料及器件的工艺中 ,腐蚀间排放的废气中砷、磷、硫、氟、氯及氮氧化物酸根离子的治理。用椭圆隔板式喷淋吸收塔或双塔式喷淋吸收设备 ,用氧化剂及碱液吸收的治理方法。③治理半导体工艺废水中砷、总磷、各种酸及重金属等的污染。用碳酸钙中和后 ,加铁盐经絮凝沉降一体化装置治理废水。经治理后的废气、废水经环保部门检测均达到国家排放标准[1～ 3]; 关键词废水废气砷烷磷烷半导体材料器件生产工艺综合治理设备; Keywords waste gases waste water abatement pollutant semiconducto; 分类号 X760.1 [环境科学与工程—环境工程] X760.3 [环境科学与工程—环境工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硬X射线光电子能谱在半导体材料和器件中的应用被引量：1: 2; 作者宋华平杨安丽; 机构松山湖材料实验室湖北九峰山实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期505-513,共9页; 基金广东省自然科学基金面上项目(2022A1515012628)。; 文摘与常规X射线光电子能谱(XPS,能量E<2 keV))相比,硬X射线光电子能谱(HAXPES)由于采用较高能量的X射线(E>2 keV),具有更大的探测深度,已经成为研究复杂材料体系的体性质,以及多层薄膜结构和纳米复合结构界面性质的重要分析工具。简要论述了HAXPES的主要特点及其发展现状,重点介绍其在半导体材料和器件研究中的典型应用,包含亚表面性质、极性判定、异质结能带结构、掺杂原子空间位置信息、器件层中界面态、介质层厚度评估等方面。随着硬X射线光源技术的不断发展,HAXPES的性能将进一步提高,其应用范围也会快速拓展,这将极大地促进功能材料的发展和应用。; 关键词硬X射线光电子能谱(HAXPES) 硬X射线光电子衍射半导体材料和器件能带结构亚表面性质; Keywords hard X-ray photoelectron spectroscopy(HAXPES) hard X-ray photoelectron diffrac-tion semiconductor material and device band structure subsurface property; 分类号 TM933 [电气工程—电力电子与电力传动] TN30 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名上海有机所在阻转异构类有机半导体材料与器件研究中取得进展: 3; 作者新型; 机构不详; 出处《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第7期290-291,共2页; 文摘近期,中国科学院上海有机化学研究所高希珂课题组等将立体化学中“阻转异构”的概念应用到有机半导体材料与器件中,设计合成并分离得到系列室温构象稳定的共轭二酰亚胺类阻转异构体(Syn-NDI、Anti-NDI、Syn-PDI和AntiPDI),将其作为有机半导体应用于热刺激-响应型有机场效应晶体管(OFET)器件。研究发现,在热溶液中,这些阻转异构体间均可快速相互转化,而在固态加热条件下。; 关键词半导体材料与器件有机半导体热刺激加热条件概念应用二酰亚胺立体化学 PDI; 分类号 TN30 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名《半导体技术》征稿启事: 4; 作者《半导体技术》编辑部; 机构不详; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第2期101-101,共1页; 文摘《半导体技术》是由中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的中文科技期刊(月刊)。我刊是北大版中文核心期刊、中国科技核心期刊,并被国内外多家数据库收录。2023年设置栏目:趋势与展望;半导体材料与器件;半导体制备技术;集成电路设计与应用;封装、检测与设备。投稿前须征得所有作者同意,在校学生须征得导师同意。投稿应保证不涉及泄密问题,否则责任自负。; 关键词中文核心期刊中文科技期刊半导体技术责任自负中国科技核心期刊数据库收录半导体材料与器件泄密问题; 分类号 G23 [文化科学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名《半导体技术》征稿启事: 5; 作者《半导体技术》编辑部; 机构不详; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期538-538,共1页; 文摘《半导体技术》是由中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的中文科技期刊(月刊)。我刊是北大版中文核心期刊、中国科技核心期刊,并被国内外多家数据库收录。2023年设置栏目:趋势与展望;半导体材料与器件;半导体制备技术;集成电路设计与应用;封装、检测与设备。投稿前须征得所有作者同意,在校学生须征得导师同意。; 关键词中文核心期刊中文科技期刊半导体技术中国科技核心期刊数据库收录半导体材料与器件趋势与展望集成电路; 分类号 G23 [文化科学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名晶格失配对InAs基室温中波红外探测器性能的影响被引量：1: 6; 作者段永飞张振宇陈泽中胡淑红; 机构上海理工大学材料与化学学院中国科学院上海技术物理研究所; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期402-407,共6页; 文摘采用液相外延技术生长了InAs基室温红外探测器件材料,通过光学显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪分析了外延材料表面形貌、截面形貌与晶格失配的关系。分析发现,不恰当的晶体晶格常数匹配度会导致材料表面形貌变差,降低材料的结晶质量,晶格失配在0.22%左右的InAs基外延材料表面形貌较好,缺陷少,晶体质量较好。在此基础上,成功制备出室温探测率D^(*)为6.8×10^(9)cm·Hz^(1/2)·W^(-1)的InAs基室温中波红外探测器,这一性能与国际上红外探测器领军企业美国Teledyne Judson Technologies和日本滨松株式会社的商用InAs基红外探测器性能处于同等水平。; 关键词外延薄膜半导体材料与器件光伏探测器红外材料与器件; Keywords epitaxial thin films semiconductor materials and devices photovoltaic detector infrared materials and devices; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名编者按: 7; 作者陈小龙牛智川李忠辉芦红; 机构不详; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期I0005-I0006,共2页; 文摘 1947年,世界上第一个晶体管诞生,开启了以硅半导体为代表的信息时代。“一代材料、一代器件、一代技术”。半个多世纪来,半导体材料与器件支撑了信息技术的飞速发展,而信息技术的发展需求又驱动了半导体材料与器件工艺的进步。元素半导体。; 关键词元素半导体硅半导体半导体材料与器件信息技术信息时代晶体管编者按; 分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	半导体材料器件生产工艺中废气废水的综合治理方法及设备的研究	闻瑞梅杜国栋	《中国工程科学》	2001	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	硬X射线光电子能谱在半导体材料和器件中的应用	宋华平杨安丽	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	上海有机所在阻转异构类有机半导体材料与器件研究中取得进展	新型	《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	《半导体技术》征稿启事	《半导体技术》编辑部	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	《半导体技术》征稿启事	《半导体技术》编辑部	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	晶格失配对InAs基室温中波红外探测器性能的影响	段永飞张振宇陈泽中胡淑红	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	编者按	陈小龙牛智川李忠辉芦红	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料