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题名硬X射线光电子能谱在半导体材料和器件中的应用
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作者
宋华平
杨安丽
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机构
松山湖材料实验室
湖北九峰山实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第6期505-513,共9页
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基金
广东省自然科学基金面上项目(2022A1515012628)。
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文摘
与常规X射线光电子能谱(XPS,能量E<2 keV))相比,硬X射线光电子能谱(HAXPES)由于采用较高能量的X射线(E>2 keV),具有更大的探测深度,已经成为研究复杂材料体系的体性质,以及多层薄膜结构和纳米复合结构界面性质的重要分析工具。简要论述了HAXPES的主要特点及其发展现状,重点介绍其在半导体材料和器件研究中的典型应用,包含亚表面性质、极性判定、异质结能带结构、掺杂原子空间位置信息、器件层中界面态、介质层厚度评估等方面。随着硬X射线光源技术的不断发展,HAXPES的性能将进一步提高,其应用范围也会快速拓展,这将极大地促进功能材料的发展和应用。
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关键词
硬X射线光电子能谱(HAXPES)
硬X射线光电子衍射
半导体材料和器件
能带结构
亚表面性质
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Keywords
hard X-ray photoelectron spectroscopy(HAXPES)
hard X-ray photoelectron diffrac-tion
semiconductor material and device
band structure
subsurface property
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分类号
TM933
[电气工程—电力电子与电力传动]
TN30
[电子电信—物理电子学]
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