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室温辐射探测器用CdTe基化合物半导体晶体生长研究进展
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作者 高攀登 俞鹏飞 +2 位作者 刘文斐 赵世伟 韩召 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期692-704,共13页
CdTe基化合物半导体材料由于具有较宽的带隙、良好的光电性质和电子传输性能,在室温辐射探测领域具有广阔的应用前景。其中CdTe、CdZnTe、CdMnTe和CdMgTe单晶具有优异的载流子传输特性被用作室温X射线和γ射线探测器。本文探讨了CdTe基... CdTe基化合物半导体材料由于具有较宽的带隙、良好的光电性质和电子传输性能,在室温辐射探测领域具有广阔的应用前景。其中CdTe、CdZnTe、CdMnTe和CdMgTe单晶具有优异的载流子传输特性被用作室温X射线和γ射线探测器。本文探讨了CdTe基晶体生长的离子性强,热导率差等难点。介绍了CdTe基晶体的生长方法,并综述了CdTe基晶体在室温辐射探测领域的研究进展。展望了CdTe基晶体的发展方向,为CdTe基化合物半导体晶体材料的应用提供了更丰富的想象空间。 展开更多
关键词 CdTe基半导体晶体 物理性质 生长难点 晶体生长方法
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VGF法生长半导体晶体的研究进展 被引量:2
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作者 范叶霞 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期476-482,共7页
VGF法可实现晶体生长条件可控,晶体重复性好,所生长晶体尺寸大、位错密度低、应力小,是一种很有前景的晶体生长方法。本文综述了VGF法生长半导体晶体、数值模拟和磁场应用的国内外研究进展。
关键词 VGF法 半导体晶体 晶体生长
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平面工艺功率型半导体晶体管铝迁移实验
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作者 吕卫民 胡冬 +1 位作者 谢劲松 翁璐 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1515-1518,共4页
在平面工艺制造的功率型半导体晶体管芯片表面,发现高强度电场条件下存在跨越0.05 mm半绝缘硅带的铝迁移现象,对此开展了一系列实验研究.通过开帽物理观察与分析、低温测试与烘干验证、迁移物质分析对比,确定了迁移现象中的迁移物质,同... 在平面工艺制造的功率型半导体晶体管芯片表面,发现高强度电场条件下存在跨越0.05 mm半绝缘硅带的铝迁移现象,对此开展了一系列实验研究.通过开帽物理观察与分析、低温测试与烘干验证、迁移物质分析对比,确定了迁移现象中的迁移物质,同时分别取证环境温度、湿度、芯片表面污染物以及器件局部结构与此迁移现象的关联性,以此提出了迁移机理假说,为在不同的诱发条件下对此迁移机理进行确认和量化研究提供指导. 展开更多
关键词 铝迁移 功率型半导体晶体 平面工艺 掺氧半绝缘多晶硅 实验研究
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晶体人生丨介万奇:辐射探测半导体晶体拓荒者
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作者 金敏 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第9期1523-1526,共4页
介万奇教授是我国人工晶体领域著名专家,在晶体生长与凝固技术方面取得了诸多令人瞩目的成就,尤其在室温核辐射探测用CdZnTe晶体的生长、器件制备及其产业化方面成绩显著。本次访谈中,介万奇教授从学科发展角度和国家实际需求出发,简要... 介万奇教授是我国人工晶体领域著名专家,在晶体生长与凝固技术方面取得了诸多令人瞩目的成就,尤其在室温核辐射探测用CdZnTe晶体的生长、器件制备及其产业化方面成绩显著。本次访谈中,介万奇教授从学科发展角度和国家实际需求出发,简要回顾了自身如何与功能晶体结缘,介绍了近些年带领团队在Ⅱ-Ⅵ族半导体晶体生长理论、工艺技术及应用等方面取得的进展。着重阐述了室温核辐射探测器用碲锌镉(CdZnTe)晶体的重要价值,以及半导体晶体在辐射探测领域的应用前景与挑战,并结合自身实践进一步分享了对做科研和做产业、基础理论和工程应用之间不同的理解与认识。针对我国晶体材料未来的发展,建议科研人员可多从物质新性能或新机理角度开展研究,这将对探索新材料有重要参考。 展开更多
关键词 辐射探测晶体 碲锌镉(CdZnTe) 半导体晶体 闪烁晶体 产业化 晶体生长
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利用界面调控制备二维有机半导体晶体及其机制研究
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作者 杨成东 马文烨 +3 位作者 夏开鹏 郁智豪 高晏琦 苏琳琳 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第7期1177-1184,共8页
二维有机半导体晶体是利用分子间的范德瓦耳斯力进行自组装生长的单晶材料。本质上的单晶属性使其具备优异的电学特性。更重要的是,二维极限下增强的界面特性能够大幅调控器件行为,为构建多功能界面器件提供可能。此外,充分暴露的电荷... 二维有机半导体晶体是利用分子间的范德瓦耳斯力进行自组装生长的单晶材料。本质上的单晶属性使其具备优异的电学特性。更重要的是,二维极限下增强的界面特性能够大幅调控器件行为,为构建多功能界面器件提供可能。此外,充分暴露的电荷输运沟道和极少的晶面内缺陷能够为研究本征的有机电子输运特性创造可能。目前,对于二维有机半导体晶体的生长工艺研究已经取得了较大的进展,但是从理论层面上研究二维晶体生长的自组装过程仍然十分匮乏。本工作利用添加剂辅助结晶技术成功制备出二维有机半导体晶体,并通过偏光显微镜和原子力显微镜对二维晶体进行了全面的表面形貌和结构表征。通过SEM结合EDS技术对关键的形核界面进行了结构和组成的表征以研究晶体生长的机制。研究结果表明:在添加剂界面上,生长材料能够稳定形核,并计算出添加剂构建的有利界面能够将形核势垒降低为SiO_(2)界面上的1/5。这项工作充分展现了生长界面对于晶体生长的关键作用,并从理论上揭示了界面的调控行为,为二维有机半导体晶体的生长工艺设计提供了可靠的思路。 展开更多
关键词 二维有机半导体晶体 生长机制 界面调控 形核界面 形核势垒 界面接触角
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CdS_(0.1)Se_(0.9)半导体纳米晶体的生长和吸收光谱的研究 被引量:3
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作者 孙平 王引书 +3 位作者 颜其礼 黄平 林永昌 王若桢 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期184-187,共4页
采用两步退火方法获得了嵌埋于玻璃基体内CdSxSe1-x的半导体纳米晶体 ,其平均尺寸随退火时间的增加而增大 .从实验测量的室温吸收谱上看到 ,当纳米晶体的平均直径从 5.6 1nm减小到 4 .6 9nm时 ,其吸收边向高能方向移动了 0 .0 89eV .用... 采用两步退火方法获得了嵌埋于玻璃基体内CdSxSe1-x的半导体纳米晶体 ,其平均尺寸随退火时间的增加而增大 .从实验测量的室温吸收谱上看到 ,当纳米晶体的平均直径从 5.6 1nm减小到 4 .6 9nm时 ,其吸收边向高能方向移动了 0 .0 89eV .用有效质量近似模型计算了半导体纳米晶体的吸收边相对其体材料的移动 ,将理论计算与实验结果进行了比较 . 展开更多
关键词 半导体纳米晶体 吸收光谱 生长 镉硫硒化合物
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半导体激光倍频晶体硫氰酸汞镉(CMTC)显微结晶的研究 被引量:1
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作者 袁多荣 钟真武 +7 位作者 张吉果 段秀兰 郭世义 王新强 姜雪宁 许东 吕孟凯 方奇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期113-118,共6页
采用显微结晶 ,系统地观察、研究了半导体激光 (LD)倍频材料CMTC晶体在KCl/H2 O的溶剂体系中 ,不同条件下的结晶习性。结果给出 :在KCl浓度为 3%~ 10 %范围 ,pH值为 3.0~ 4 .3范围时 ,结晶形态规则 ,各项生长速度均匀 ,结晶透明 ;pH值... 采用显微结晶 ,系统地观察、研究了半导体激光 (LD)倍频材料CMTC晶体在KCl/H2 O的溶剂体系中 ,不同条件下的结晶习性。结果给出 :在KCl浓度为 3%~ 10 %范围 ,pH值为 3.0~ 4 .3范围时 ,结晶形态规则 ,各项生长速度均匀 ,结晶透明 ;pH值为 2 .0~ 3.0条件下 ,z轴方向生长速度变快 ,a轴方向生长速度变慢 ;杂质严重影响了结晶的质量和外形 ;溶液稳定性随时间的增长和温度的升高而逐渐变差。本文分析了CMTC单晶生长和定向生长适宜的溶液条件和关键。 展开更多
关键词 硫氰酸汞镉晶体 LD 显微结晶 半导体激光倍频晶体 CMTC
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在磁场中生长半导体致冷晶体
8
作者 赵秀平 董兴才 +2 位作者 李将录 荣剑英 赵洪安 《人工晶体学报》 CSCD 1991年第3期233-233,共1页
通常用区熔法生长的Te-Bi-Sb-Se致冷晶体,长期存在均匀性不好,容易解理等问题,严重影响半导体致冷器生产中的成品率和成品的使用寿命,为解决这些问题,我们采用在强磁场中区熔生长方法,在适当强度的磁场作用下,从晶体外观就可以看出,晶... 通常用区熔法生长的Te-Bi-Sb-Se致冷晶体,长期存在均匀性不好,容易解理等问题,严重影响半导体致冷器生产中的成品率和成品的使用寿命,为解决这些问题,我们采用在强磁场中区熔生长方法,在适当强度的磁场作用下,从晶体外观就可以看出,晶体解理面的平行度发生了变化,磁场使p型晶体材料抗压强度增大近一倍。 展开更多
关键词 区熔法 半导体致冷晶体 磁场 Te-Bi-Sb-Se
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光子晶体微腔半导体激光器的研究进展
9
作者 高鹏 毛陆虹 +3 位作者 李斌桥 陈弘达 孙增辉 陈永权 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第12期94-97,共4页
概述了光子晶体微腔半导体激光器的研究进展 ,从物理机理、数值模拟、以及工艺实现方法等方面作了详细的叙述 ,并对其在光子集成中的应用前景进行了展望。
关键词 光子晶体微腔半导体激光器 PBG 垂直腔面发射激光器 VCSEL 光子禁带
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纳米金属氧化物半导体场效应晶体管(NANO-MOSFET)的热电子发射和弹道输运模型 被引量:1
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作者 郭靖 蒋建飞 蔡琪玉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期52-54,共3页
本文首先给出了SOI上纳米金属 氧化物 半导体场效应晶体管 (NANO MOSFET)的结构 ,它是一种非传统MOSFET .NANO MOSFET源漏区采用金属 ,沟道采用本征硅 ,该结构避免了传统MOSFET的短沟道效应 .利用一组基本器件方程式 ,我们模拟并分析了... 本文首先给出了SOI上纳米金属 氧化物 半导体场效应晶体管 (NANO MOSFET)的结构 ,它是一种非传统MOSFET .NANO MOSFET源漏区采用金属 ,沟道采用本征硅 ,该结构避免了传统MOSFET的短沟道效应 .利用一组基本器件方程式 ,我们模拟并分析了NANO MOSFET的基本特性 .计算表明 ,NANO MOSFET在一定范围内源漏电导受栅极电压显著调控 ,适用于各种数字电路 ,包括存储单元 .另外 ,选取合适的直流偏置点 ,NANO 展开更多
关键词 纳米器件 半导体场效应晶体 热电子发射
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Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶体表面对氮分子的吸附作用
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作者 王立民 刘振刚 +5 位作者 董守义 于美燕 郝霄鹏 崔得良 徐现刚 王琪珑 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期350-353,共4页
研究了Ⅲ Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化状态对它们表面活性的影响 ,并比较了具有不同阳离子的纳米晶体对氮分子吸附能力的差异 ,对这些现象进行了解释 ;用XPS、红外光谱等测试手段对样品进行了性质表征。结果表明 :当Ⅲ Ⅴ族半导体纳米晶... 研究了Ⅲ Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化状态对它们表面活性的影响 ,并比较了具有不同阳离子的纳米晶体对氮分子吸附能力的差异 ,对这些现象进行了解释 ;用XPS、红外光谱等测试手段对样品进行了性质表征。结果表明 :当Ⅲ Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化严重时 ,其表面活性明显降低 ;含Ga的Ⅲ Ⅴ族半导体纳米晶对氮分子的吸附作用明显强于含In的纳米晶。这是因为Ga能够与氮分子形成较强的配位键 。 展开更多
关键词 Ⅲ-Ⅴ族 半导体纳米晶体 氮分子 吸附作用 表面氧化 活化 配位键
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金属氧化物半导体场效应晶体管中总剂量效应导致的阈值电压漂移研究现状
12
作者 刘一宁 王任泽 +5 位作者 杨亚鹏 王宁 冯宗洋 贾林胜 张建岗 李国强 《辐射防护》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期663-670,共8页
为了研发可用于核与辐射应急响应与准备的机器人,对比了多种具有不同结构和生产工艺的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)由于总剂量效应(TID)导致的阈值电压漂移(ΔVth)。注意到了栅宽和栅长对器件耐辐射能力的影响在体CMOS器件和... 为了研发可用于核与辐射应急响应与准备的机器人,对比了多种具有不同结构和生产工艺的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)由于总剂量效应(TID)导致的阈值电压漂移(ΔVth)。注意到了栅宽和栅长对器件耐辐射能力的影响在体CMOS器件和纳米线(NW)MOSFET器件之间、高的和低的工艺节点之间的不同,并从辐射诱导的窄通道效应(RINCE)和辐射诱导的短通道效应(RISCE)两方面解释了这种区别的原因。发现近年来前沿的一些研究在考虑辐射效应时,修正了负偏压不稳定性(NBTI)的影响。并讨论了几种新型器件包括锗沟道、氮化镓沟道管和具有特殊几何布局的晶体管。此外,介绍了计算机辅助设计技术(TCAD)在几种新型场效应管的机理研究和建模验证中的应用。 展开更多
关键词 总剂量效应(TID) 阈值电压漂移 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) TCAD
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高分辨率多晶多反射X射线衍射仪在半导体材料分析中的应用
13
作者 朱李安 高鸿楷 +3 位作者 何益民 贺丽 赛小锋 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 1997年第11期1003-1006,共4页
用高分辨率多晶多反射X射线衍射仪进行衍射空间的二维扫描是目前非损伤性表征半导体材料质量的手段之一.不同质量的材料在二维衍射空间中的衍射图形状不同.本文以GaAS/AlGaAs为例,展示了如何利用X射线的二维衍射空间图的形状来定性... 用高分辨率多晶多反射X射线衍射仪进行衍射空间的二维扫描是目前非损伤性表征半导体材料质量的手段之一.不同质量的材料在二维衍射空间中的衍射图形状不同.本文以GaAS/AlGaAs为例,展示了如何利用X射线的二维衍射空间图的形状来定性地分析半导体单晶样品的宏观弯曲、微观倾斜、组分梯度、应变、弛豫以及平行于界面的连续性等问题.所得结果同样适用于其它半导体材料. 展开更多
关键词 X射线 衍射仪 倒易空间 多晶多反射 半导体晶体
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砷化镓半导体光吸收特性的研究 被引量:1
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作者 印新达 叶嘉雄 +2 位作者 李宇航 王省非 关荣峰 《光电工程》 CAS CSCD 1997年第2期55-60,共6页
简叙了本征GaAs晶体中的光吸收过程,分析了半导体材料光吸收特性与温度之间的依赖关系。研究表明,一定厚度的GaAs晶片对入射光的吸收直接依赖于光源的功率谱特性与温度,文中揭示了光吸收—温度曲线与光源光谱功率分布之间的... 简叙了本征GaAs晶体中的光吸收过程,分析了半导体材料光吸收特性与温度之间的依赖关系。研究表明,一定厚度的GaAs晶片对入射光的吸收直接依赖于光源的功率谱特性与温度,文中揭示了光吸收—温度曲线与光源光谱功率分布之间的关系式。根据这种原理,获得了新的检测温度的方法,同时。 展开更多
关键词 半导体晶体 砷化镓 光吸收 光谱光源
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窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管
15
作者 文争 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期64-64,共1页
关键词 窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体 MOSFET 窄禁带异质材料
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用于微生物体标记的CdTe半导体纳米晶超声波水相合成 被引量:2
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作者 刘岩 周建光 +4 位作者 沈启慧 于东 金丽 范宏亮 金钦汉 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1166-1170,共5页
利用超声波法制备高质量CdTe半导体纳米晶体,采用该方法不仅降低了实验成本,简化了实验流程,而且还可制备出量子产率达到50%的CdTe纳米晶体,具有较好的光谱学性质,可用于莱姆病伯氏螺旋体(微生物)的荧光标记,有利于提高对该病的检测效率.
关键词 超声波合成 碲化镉 半导体纳米晶体
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半导体量子点对原代培养大鼠牙乳头细胞生物相容性的研究 被引量:3
17
作者 孙德平 杨凯 陈睿 《重庆医科大学学报》 CAS CSCD 2007年第12期1237-1241,共5页
目的:研究半导体量子点(QDs)对原代培养的大鼠牙乳头细胞(Rat dental papillae cells,RDPCs)的生物相容性。方法:①选择刚出生3天的新生SD大鼠,取出磨牙牙胚,分离牙乳头,用酶消化法培养SD大鼠牙乳头细胞,用波形丝蛋白和细胞角蛋白免疫... 目的:研究半导体量子点(QDs)对原代培养的大鼠牙乳头细胞(Rat dental papillae cells,RDPCs)的生物相容性。方法:①选择刚出生3天的新生SD大鼠,取出磨牙牙胚,分离牙乳头,用酶消化法培养SD大鼠牙乳头细胞,用波形丝蛋白和细胞角蛋白免疫化学染色鉴定细胞来源,观察细胞的生长规律;②把605QDs、525QDs及两种量子点等浓度的混合物按3种不同浓度与RDPCs共同培养,观察QDs对RDPCs生长和形态的影响;③用MTT法检测不同浓度的605QDs、525QDs及两种量子点等浓度的混合物对RDPCs的毒性作用结果:①:体外培养的RDPCs生长良好,波形丝蛋白染色阳性而细胞角蛋白染色阴性。②不同浓度的605QDs、525QDs及两种量子点的等浓度混合物对体外培养的RDPCs没有毒性作用,对其生长和形态也没有影响。结论:605QDs、525QDs及两种量子点等浓度的混合物在一定的浓度范围内时RPDCs具有良好的生物相容性,为605QDs、525QDs在活体生理条件下用于活细胞内的多通道信号研究提供了科学依据。 展开更多
关键词 半导体量子点(半导体纳米微晶体) 大鼠牙乳头细胞 生物相容性 口腔 活细胞
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半导体量子点对口腔鳞癌BcaCD885细胞生长、侵袭和转移能力影响的体外研究 被引量:2
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作者 杨凯 陈睿 孙德平 《重庆医科大学学报》 CAS CSCD 2007年第4期337-339,共3页
目的:研究半导体量子点(QDs)对口腔鳞癌BcaCD885细胞的生长、侵袭、粘附和趋化运动能力的影响。方法:①用不同浓度的QDs与BcaCD885共培养,观察QDs对BcaCD885细胞生长的影响;②用QDs标记BcaCD885细胞(BcaCD885/QDs),然后用transwell小室... 目的:研究半导体量子点(QDs)对口腔鳞癌BcaCD885细胞的生长、侵袭、粘附和趋化运动能力的影响。方法:①用不同浓度的QDs与BcaCD885共培养,观察QDs对BcaCD885细胞生长的影响;②用QDs标记BcaCD885细胞(BcaCD885/QDs),然后用transwell小室法和冲刷实验,观察BcaCD885/QDs细胞侵袭、粘附和趋化运动能力的变化。结果:①不同浓度的QDs均未影响BcaCD885细胞的生长情况;②BcaCD885/QDs细胞和BcaCD885细胞的侵袭、粘附和趋化运动能力无显著性差异(P﹥0.05)。结论:用QDs标记BcaCD885细胞后不影响其生长、侵润和转移能力,为半导体量子点在活体生理条件下用于肿瘤学的研究提供了科学依据。 展开更多
关键词 半导体量子点(纳米微晶体) 口腔 肿瘤 生长 粘附 侵袭 转移
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半导体量子点对人骨肉瘤MG-63细胞生长、侵袭和转移能力的影响研究
19
作者 陈睿 杨凯 +1 位作者 陈丹 项立 《重庆医科大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1629-1631,共3页
目的:研究半导体量子点(Semiconductor quantum dots,QDs)对人骨肉瘤MG-63细胞的生长、侵袭、粘附和趋化运动能力的影响。方法:①用不同浓度的QDs与人骨肉瘤MG-63细胞共培养,观察QDs对骨肉瘤MG-63细胞生长的影响;②用QDs标记骨肉瘤MG-6... 目的:研究半导体量子点(Semiconductor quantum dots,QDs)对人骨肉瘤MG-63细胞的生长、侵袭、粘附和趋化运动能力的影响。方法:①用不同浓度的QDs与人骨肉瘤MG-63细胞共培养,观察QDs对骨肉瘤MG-63细胞生长的影响;②用QDs标记骨肉瘤MG-63细胞(MG-63/QDs),然后用transwell小室法和冲刷实验,观察骨肉瘤MG-63/QDs细胞的侵袭、粘附和趋化运动能力的变化。结果:①不同浓度的QDs均未影响骨肉瘤MG-63细胞的生长情况;②骨肉瘤MG-63/QDs细胞和MG-63细胞的侵袭、粘附和趋化运动能力无显著性差异(P>0.05)。结论:用QDs标记骨肉瘤MG-63细胞后不影响其生长、侵润和转移能力,为半导体量子点在活体生理条件下用于肿瘤学的研究提供了科学依据。 展开更多
关键词 半导体量子点(纳米微晶体) 口腔 骨肉瘤 生长 粘附 侵袭 转移
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全无机锡钙钛矿CsSnBr_(3)晶体的生长和电学、光学性能研究
20
作者 萧岱桢 高荣 +1 位作者 陈怡 米启兮 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第7期1245-1255,共11页
使用布里奇曼法成功制备了φ12 mm×35 mm的掺杂1%Sn(Ⅳ)与未掺杂的CsSnBr_(3)晶体,并以溶液法生长的CsSnBr_(3)晶体作为对照,对全部晶体样品进行了物相、电学和光学性质研究。CsSnBr_(3)晶体属于立方晶系,空间群Pm3m。未掺杂的CsSn... 使用布里奇曼法成功制备了φ12 mm×35 mm的掺杂1%Sn(Ⅳ)与未掺杂的CsSnBr_(3)晶体,并以溶液法生长的CsSnBr_(3)晶体作为对照,对全部晶体样品进行了物相、电学和光学性质研究。CsSnBr_(3)晶体属于立方晶系,空间群Pm3m。未掺杂的CsSnBr_(3)的禁带宽度为1.79 eV,掺杂1%的Sn(Ⅳ)可以显著提升CsSnBr_(3)晶体的载流子浓度及迁移率,其中载流子浓度从6.1×10^(16)cm^(-3)提升至1.0×10^(18)cm^(-3),迁移率从5.7 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)提升至36 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),迁移率达到和溶液法晶体相当的水平。CsSnBr_(3)在约680 nm处存在荧光发射峰,Sn(Ⅳ)能抑制载流子的非辐射复合过程,减小非辐射复合概率,提高荧光强度,但不影响荧光寿命。经计算后发现在掺杂1%的Sn(Ⅳ)后,CsSnBr_(3)晶体的少数载流子扩散长度达到了未掺杂时的近三倍。CsSnBr_(3)晶体对化学计量比的偏离具有一定的容忍度,在±1%的偏离范围内,晶体性能不会受到显著影响,多余组分会以特定形式析出于晶体表面。本文认为少量的Sn(Ⅳ)可以增加锡钙钛矿材料的导电性,并可能保护晶界,削弱晶界处载流子的散射及非辐射复合。化学计量比容忍度的发现可以为制备锡钙钛矿材料提供原料配比的灵活性,加深对CsSnBr_(3)晶体生长机制的理解,降低工艺难度。 展开更多
关键词 CsSnBr_(3) 锡钙钛矿 光电材料 半导体晶体 坩埚下降法 载流子浓度 迁移率
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