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IGCT——GTO技术的最新进展
被引量：
11
1
作者
刘国友
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期9-9,共1页
IGCT是一种基于 GTO结构、利用集成门极结构进行门极硬驱动、采用缓冲层结构及阳极透明发射极技术的新型大功率半导体开关器件 ,具有晶闸管的通态特性及晶体管的开关特性。本文将对 IGCT的开发过程、结构特点、器件特性及其应用前景等...
IGCT是一种基于 GTO结构、利用集成门极结构进行门极硬驱动、采用缓冲层结构及阳极透明发射极技术的新型大功率半导体开关器件 ,具有晶闸管的通态特性及晶体管的开关特性。本文将对 IGCT的开发过程、结构特点、器件特性及其应用前景等进行介绍。
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关键词
GTO
集成门极
半导体开关器件
IGCT
晶闸管
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职称材料
题名
IGCT——GTO技术的最新进展
被引量：
11
1
作者
刘国友
机构
株洲电力机车研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期9-9,共1页
文摘
IGCT是一种基于 GTO结构、利用集成门极结构进行门极硬驱动、采用缓冲层结构及阳极透明发射极技术的新型大功率半导体开关器件 ,具有晶闸管的通态特性及晶体管的开关特性。本文将对 IGCT的开发过程、结构特点、器件特性及其应用前景等进行介绍。
关键词
GTO
集成门极
半导体开关器件
IGCT
晶闸管
Keywords
GTO IGCT Integrated gate Hard drive Buffer layer Transparent emitter
分类号
TN342.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
IGCT——GTO技术的最新进展
刘国友
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2000
11
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