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雪崩晶体管电压斜坡触发模式下终端失效机理研究
被引量：
1
1
作者
温凯俊
梁琳
陈晗
《电源学报》
CSCD
北大核心
2024年第3期220-226,共7页
随着超宽带脉冲信号系统在新能源汽车智能化感知技术等许多重要领域的应用,高幅值、快前沿脉冲源的研发得到了广泛研究。针对纳秒级前沿脉冲对超快功率半导体开关的需求,进行了雪崩晶体管在电压斜坡触发模式下终端失效机理的研究。利用...
随着超宽带脉冲信号系统在新能源汽车智能化感知技术等许多重要领域的应用,高幅值、快前沿脉冲源的研发得到了广泛研究。针对纳秒级前沿脉冲对超快功率半导体开关的需求,进行了雪崩晶体管在电压斜坡触发模式下终端失效机理的研究。利用仿真模型的静态特性与器件样品进行对比分析,测试了器件样品的动态开通特性。在成功得到纳秒级开通速度器件的基础上,对器件在电压斜坡触发模式下出现的失效现象进行了分析。
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关键词
雪崩晶体管
二次击穿
半导体
器件
建
模
MARX电路
失效分析
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职称材料
单向瞬态电压抑制二极管的参数提取
被引量：
2
2
作者
李勇
谢海燕
+3 位作者
杨志强
夏洪富
宣春
王建国
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期177-181,共5页
在半导体器件高功率电磁脉冲效应数值模拟中,真实器件的物理模型构建较为困难。为了解决这一问题,以某型单向瞬态电压抑制(TVS)二极管为例,对其进行测试获取建模所需的参数信息。通过X光成像、扫描电子显微镜(SEM)及杂质染色等技术手段...
在半导体器件高功率电磁脉冲效应数值模拟中,真实器件的物理模型构建较为困难。为了解决这一问题,以某型单向瞬态电压抑制(TVS)二极管为例,对其进行测试获取建模所需的参数信息。通过X光成像、扫描电子显微镜(SEM)及杂质染色等技术手段,获得了该器件PN结正对面积大小、PN结深度等结构参数。通过实验测量了二极管的反向击穿电压和电容曲线,结合数值计算,推导出了二极管的杂质浓度。利用本次实验获得的参数,结合数值计算的结果,建立了该型号二极管的真实半导体物理模型。对该模型进行了数值仿真,计算了器件的伏安响应曲线并与实验值进行了比对,计算结果与实验值吻合较好。本次的方法除了可以直接用于PN结型器件的建模外,也为其他器件物理模型的建立提供了参考,可在半导体器件效应数值模拟研究中得到应用。
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关键词
TVS二极管
半导体建模
数值
模
拟
参数提取
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职称材料
题名
雪崩晶体管电压斜坡触发模式下终端失效机理研究
被引量：
1
1
作者
温凯俊
梁琳
陈晗
机构
强电磁技术全国重点实验室(华中科技大学电气与电子工程学院)
中国电源学会
出处
《电源学报》
CSCD
北大核心
2024年第3期220-226,共7页
基金
台达电力电子科教发展计划重点资助项目(DREK2022003)。
文摘
随着超宽带脉冲信号系统在新能源汽车智能化感知技术等许多重要领域的应用,高幅值、快前沿脉冲源的研发得到了广泛研究。针对纳秒级前沿脉冲对超快功率半导体开关的需求,进行了雪崩晶体管在电压斜坡触发模式下终端失效机理的研究。利用仿真模型的静态特性与器件样品进行对比分析,测试了器件样品的动态开通特性。在成功得到纳秒级开通速度器件的基础上,对器件在电压斜坡触发模式下出现的失效现象进行了分析。
关键词
雪崩晶体管
二次击穿
半导体
器件
建
模
MARX电路
失效分析
Keywords
Avalanche bipolar junction transistor
secondary breakdown
semiconductor device modeling
Marx circuit
failure analysis
分类号
TN323 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
单向瞬态电压抑制二极管的参数提取
被引量：
2
2
作者
李勇
谢海燕
杨志强
夏洪富
宣春
王建国
机构
西北核技术研究所
西安交通大学电子信息学院
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期177-181,共5页
基金
国家自然科学基金项目(61231003
61201090)
高功率微波技术重点实验室基金项目(HPM1401)
文摘
在半导体器件高功率电磁脉冲效应数值模拟中,真实器件的物理模型构建较为困难。为了解决这一问题,以某型单向瞬态电压抑制(TVS)二极管为例,对其进行测试获取建模所需的参数信息。通过X光成像、扫描电子显微镜(SEM)及杂质染色等技术手段,获得了该器件PN结正对面积大小、PN结深度等结构参数。通过实验测量了二极管的反向击穿电压和电容曲线,结合数值计算,推导出了二极管的杂质浓度。利用本次实验获得的参数,结合数值计算的结果,建立了该型号二极管的真实半导体物理模型。对该模型进行了数值仿真,计算了器件的伏安响应曲线并与实验值进行了比对,计算结果与实验值吻合较好。本次的方法除了可以直接用于PN结型器件的建模外,也为其他器件物理模型的建立提供了参考,可在半导体器件效应数值模拟研究中得到应用。
关键词
TVS二极管
半导体建模
数值
模
拟
参数提取
Keywords
TVS diode
semiconductor modeling
numerical simulation
parameter extraction
分类号
O441.4 [理学—电磁学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
雪崩晶体管电压斜坡触发模式下终端失效机理研究
温凯俊
梁琳
陈晗
《电源学报》
CSCD
北大核心
2024
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
单向瞬态电压抑制二极管的参数提取
李勇
谢海燕
杨志强
夏洪富
宣春
王建国
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
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职称材料
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