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半导体器件纵向结构模拟工具
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作者 郑海东 叶润涛 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1995年第4期35-38,共4页
介绍了半导体器件纵向结构准三维模拟方法,包括版图信息提取,二维工艺模拟等功能。该模拟器可以根据版图信息和工艺参数自动显示器件上任意切线位置处断面图,稍加修改即可用于对Si压力传感器等部分压电器件进行工艺模拟。
关键词 工艺模拟 半导体器件 纵向结构 结构 模拟
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利用BiCom3硅锗高速半导体工艺发展新一代高效能模拟器件
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作者 Matthias Feulner 《电子与电脑》 2007年第3期31-33,共3页
BiCom3是一种适合高速器件设计的先进高效能互补Bi-CMOS工艺.不仅提供很高的晶体管转换频率(transit frequency).还具备绝佳的线性特性和精准度。BiCom3以现有的数字工艺器件库为基础,包含种类齐全的数字器件,并整合数字逻辑与双... BiCom3是一种适合高速器件设计的先进高效能互补Bi-CMOS工艺.不仅提供很高的晶体管转换频率(transit frequency).还具备绝佳的线性特性和精准度。BiCom3以现有的数字工艺器件库为基础,包含种类齐全的数字器件,并整合数字逻辑与双极电路结构以制造更复杂的功能。近来有许多以无线通讯、医疗影像以及高阶测试与量测为目标的创新器件出现,代表了此工艺在高速器件设计的潜力。本文将介绍工艺本身的特点、工艺与某些器件效能参数的关联以及工艺在实际器件的应用结果。 展开更多
关键词 半导体工艺 模拟器件 硅锗 CMOS工艺 器件设计 转换频率 线性特性 数字器件
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华虹半导体推出0.2μm射频S0I工艺设计工具包
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《中国集成电路》 2015年第4期1-1,共1页
华虹半导体日前宣布推出全新的0.2μm射频SOI(绝缘体上硅)工艺设计工具包(ProcessDesignKit,PDK)。这标志着新的0.2μm射频SOI工艺平台已成功通过验证,并正式投入供客户设计开发使用。工艺设计工具包(PDK)的推出可协助客户快... 华虹半导体日前宣布推出全新的0.2μm射频SOI(绝缘体上硅)工艺设计工具包(ProcessDesignKit,PDK)。这标志着新的0.2μm射频SOI工艺平台已成功通过验证,并正式投入供客户设计开发使用。工艺设计工具包(PDK)的推出可协助客户快速完成高质量射频器件的设计与流片。 展开更多
关键词 工艺设计 射频器件 工具 半导体 SOI工艺 绝缘体上硅 客户
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华虹半导体推出0.2微米射频SOI工艺设计工具包
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《集成电路应用》 2015年第4期44-44,共1页
华虹半导体有限公司推出全新的0.2微米射频SOI(绝缘体上硅)工艺设计工具包(Process Design Kit,PDK)。这标志着新的0.2微米射频SOI工艺平台已成功通过验证,并正式投入供客户设计开发使用。工艺设计工具包(PDK)的推出可协助客户快... 华虹半导体有限公司推出全新的0.2微米射频SOI(绝缘体上硅)工艺设计工具包(Process Design Kit,PDK)。这标志着新的0.2微米射频SOI工艺平台已成功通过验证,并正式投入供客户设计开发使用。工艺设计工具包(PDK)的推出可协助客户快速完成高质量射频器件的设计与流片。华虹半导体的0.2微米SOI工艺平台是专为无线射频前端开关应用优化的工艺解决方案。 展开更多
关键词 SOI工艺 工艺设计 射频器件 工具 半导体 微米 绝缘体上硅 射频前端
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微加工干法刻蚀工艺模拟工具的研究现状 被引量:7
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作者 周荣春 张海霞 郝一龙 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期5-7,共3页
随着MEMS技术的不断发展 ,微加工工艺的仿真和模拟越来越受到人们的关注。简要介绍了国外干法刻蚀工艺模拟工具的发展情况 ,主要包括美国的SPEEDIE、日本的MORDERN和DEER。
关键词 干法刻蚀工艺 模拟工具 微加工工艺 MEMS 半导体加工
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宏力与Setitiel合作提供0.18微米RFCMOS工艺设计工具包(PDK)
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《中国集成电路》 2009年第5期5-5,共1页
近日,宏力半导体制造有限公司发布其先进的0.18微米RFCMOS工艺设计工具包(PDK)。该PDK是与Sentinel IC Technologies(Sentinel)独家合作提供的。这个PDK建立在先进的模型与模拟平台上,集成了具备射频领域核心特性的创新的、完全... 近日,宏力半导体制造有限公司发布其先进的0.18微米RFCMOS工艺设计工具包(PDK)。该PDK是与Sentinel IC Technologies(Sentinel)独家合作提供的。这个PDK建立在先进的模型与模拟平台上,集成了具备射频领域核心特性的创新的、完全可扩展参数的设计单元(PCELLS)。这一组合使设计者能够最大限度地提高芯片性能和降低芯片尺寸,同时大大缩短设计周期。 展开更多
关键词 工艺设计 工具 微米 合作 半导体制造 模拟平台 扩展参数
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MOS结构衬底电阻率ρ对阈值电压V_T动态调制的计算机模拟 被引量:3
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作者 李惠军 马瑞芬 +1 位作者 张宝财 刘乃英 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期22-25,共4页
使用MS-PC工艺模拟CAD系统对绝缘栅P-MOS结构栅氧过程中衬底电阻率ρ(掺杂浓度)与MOS结构阈值电压VT之间的因变关系进行了动态模拟。定量地考查了栅氧层制备过程中杂质的分凝效应对阈值电压VT的影响。计算机模拟... 使用MS-PC工艺模拟CAD系统对绝缘栅P-MOS结构栅氧过程中衬底电阻率ρ(掺杂浓度)与MOS结构阈值电压VT之间的因变关系进行了动态模拟。定量地考查了栅氧层制备过程中杂质的分凝效应对阈值电压VT的影响。计算机模拟获得了与有关的实验现象[1]相一致的结果,作者进一步提出:以调节栅氧化步序来抑制分凝效应,从而减少二氧化硅-畦界面硅一侧的施主杂质堆积,则可起到调节MOS结构能带状态、调节MOS结构电场效应状态的作用。这一设想也已经计算机的模拟加以证实。 展开更多
关键词 工艺模拟 场效应 阈值电压 半导体器件 CAD
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一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现
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作者 韩成功 郭清 +3 位作者 韩雁 张斌 张世峰 胡佳贤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期436-440,共5页
对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process c... 对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process control module)片上的HV-PMOS击穿电压达到了185V,阈值为6.5V。整体扫描驱动芯片的击穿电压达到了180V,满足了设计要求。 展开更多
关键词 高压P沟道金属氧化物场效应晶体管 半导体工艺及器件模拟工具 等离子扫描驱动芯片 双极-互补金属氧化物场效应晶体管-双扩散金属氧化物场效应晶体管工艺
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微电子CAD系统PC-SUPREM和PC-SEDAN及其应用研究
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作者 李惠军 刘运臣 张俊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期55-58,共4页
较全面地介绍了微电子工艺模拟及半导体器件模拟的PC实用系统和有关应用方面的研究,特别是SUPREM(微电子集成电路工艺模拟系统)同SEDAN(半导体器件特性模拟系统)的接口联机模拟,极大地增强了模拟信息量,最大限度地... 较全面地介绍了微电子工艺模拟及半导体器件模拟的PC实用系统和有关应用方面的研究,特别是SUPREM(微电子集成电路工艺模拟系统)同SEDAN(半导体器件特性模拟系统)的接口联机模拟,极大地增强了模拟信息量,最大限度地实施了以上两系统的模拟功能。 展开更多
关键词 微电子 CAD 集成电路 工艺模拟 半导体器件应用
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走进数字电源新时代 被引量:1
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作者 SILICON LABORATORIES KEITH COFFEY 《世界电子元器件》 2006年第3期16-16,18,共2页
近来,市场对数字化电源的需求已大幅攀升。先进的半导体工艺技术不但使元器件速度更快、体积更小,而且它们还要求更低(密度更大)的供电电压和更高的供电电流;在此同时,最终系统的功能持续提升,而体积和平均售价则不断下降。这些... 近来,市场对数字化电源的需求已大幅攀升。先进的半导体工艺技术不但使元器件速度更快、体积更小,而且它们还要求更低(密度更大)的供电电压和更高的供电电流;在此同时,最终系统的功能持续提升,而体积和平均售价则不断下降。这些因素迫使电源设计者要不断地开发出更精确、响应速度更快、效率更高、体积更小、成本更低和上市时间更快的电源产品。面对这些问题,传统模拟控制解决方案正逐渐变得束手无策。 展开更多
关键词 数字电源 响应速度 工艺技术 供电电流 供电电压 上市时间 模拟控制 数字化 器件 半导体
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国际要闻
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《中国集成电路》 2002年第10期9-17,共9页
Intel在欧洲新建微处理器研究实验室 Intel已经决定在西班牙巴塞罗娜新建第一个在欧洲的微处理器研发中心。被称之为ILB的英特尔巴塞罗娜实验室位于Politecnicade
关键词 微处理器 半导体工艺 生产线 高性能 研发中心 解决方案 芯片 器件 设计工具 设计方法
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