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高介电常数材料在半导体存储器件中的应用
被引量：
17
1
作者
邵天奇
任天令
+1 位作者
李春晓
朱钧
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期312-317,共6页
高介电常数材料是当前微电子行业最热门的研究课题之一。它的应用为解决当前半导体器件尺寸缩小导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能性 ,同时利用一些高介电常数材料具有的特殊物理特性 ,可实现具有特殊性能的新型器件。文中主要介绍几...
高介电常数材料是当前微电子行业最热门的研究课题之一。它的应用为解决当前半导体器件尺寸缩小导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能性 ,同时利用一些高介电常数材料具有的特殊物理特性 ,可实现具有特殊性能的新型器件。文中主要介绍几类常用的高介电常数材料的特性和制备方法 。
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关键词
半导体存储器件
高介电常数材料
铁电体
氮化物
铁电场效应管
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职称材料
题名
高介电常数材料在半导体存储器件中的应用
被引量：
17
1
作者
邵天奇
任天令
李春晓
朱钧
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期312-317,共6页
文摘
高介电常数材料是当前微电子行业最热门的研究课题之一。它的应用为解决当前半导体器件尺寸缩小导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能性 ,同时利用一些高介电常数材料具有的特殊物理特性 ,可实现具有特殊性能的新型器件。文中主要介绍几类常用的高介电常数材料的特性和制备方法 。
关键词
半导体存储器件
高介电常数材料
铁电体
氮化物
铁电场效应管
Keywords
high K materials
ferroelectrics
nitride
FeRAM
FeFET
分类号
TP333.5 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高介电常数材料在半导体存储器件中的应用
邵天奇
任天令
李春晓
朱钧
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2002
17
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