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题名一种新型超高速多量子阱半导体激光器
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作者
杜荣建
向望华
张贵忠
裴新
张良
朱向宇
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机构
天津大学精密仪器与光电子工程学院光电信息技术科学教育部重点实验室
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出处
《光通信研究》
北大核心
2003年第4期64-66,70,共4页
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基金
国家自然科学基金(69987002和69978015)
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文摘
报道了一种主要用作超高速光纤通信光时分复用(OTDM)系统的新型光源,即10GHz的被动外腔式锁模多量子阱半导体激光器,其具有脉冲宽度为2.9ps,波长调谐范围为1.53～1.57μm(40nm),输出光波长可精确稳定在1.55μm,锁模光脉冲的重复频率为10GHz,平均输出光功率为1mW及较小的时间抖动性(<0.6ps)等优点。
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关键词
光纤通信
光时分复用
OTDM
锁模半导体激光器
多量子阱半导体激光器
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Keywords
OTDM
MLLD
fibre-optic communication
MQW-LD
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分类号
TN929.11
[电子电信—通信与信息系统]
TN722
[电子电信—电路与系统]
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题名GaAs多量子阱超晶格表面激光光伏效应
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作者
王德煌
王威礼
王恩哥
周小川
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机构
北京大学物理系
中国科学院物理研究所
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出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
1992年第1期86-87,共2页
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文摘
由于MOCVD、MBE等半导体材料生长技术飞跃发展,半导体多量子阱和超晶格的制备、研究和应用越来越引起广泛重视。GaAs多量子阱超晶格是较为成熟的一种结构。本文初次报道GaAs多量子阱超晶格表面激光辐照感生的光伏效应研究结果。实验样品是在〈001〉晶向半绝缘GaAs衬底上,MBE生长1.5μm n^+-GaAs缓冲层后,交替地周期生长两种阱宽和垒宽,不同周期数的掺硅GaAs层,构成GaAs多量子阱超晶格结构。
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关键词
多量子阱
光伏效应
超晶格
GAAS衬底
激光辐照
半导体多量子阱
激光功率
激光感生电压
超晶格结构
MOCVD
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分类号
TN201-55
[电子电信—物理电子学]
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