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题名半导体多纵模激光器相干特性分析
被引量：4
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作者
李尚俊
刘永智
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机构
电子科技大学光电子技术系
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出处
《激光杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期59-60,共2页
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文摘
本文运用傅立叶干涉分光计的原理和matlab工具 ,从半导体多纵模激光器的光谱图来分析其相干特性 ,指出其作为短相干光源的局限性 ,理论分析与实验结果基本一致。
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关键词
半导体多纵模激光器
相干性
干涉区
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Keywords
semiconductor multilongitudinal mode LD,coherence characteristic
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分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
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题名半导体激光器
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出处
《中国光学》
EI
CAS
2001年第3期24-26,共3页
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文摘
TN248.4 2001031660大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器=High powerIn(Ga)As/GaAs quantum dot lasers[刊,中]/王占国,刘峰奇,梁基本,徐波,丁鼎,龚谦,韩勤(中科院半导体所半导体材料科学实验室.北京(100083))∥半导体学报.-2000,21(8).-827-829利用分子束外延技术和S-K生长模式,系统研究了InAs/GaAs材料体系应变自组装量子点的形成和演化,研制出了量子点激光器。图4参4(李瑞琴)
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关键词
半导体激光器
量子点激光器
半导体多纵模激光器
半导体材料
应变自组装量子点
科学实验
分子束外延技术
波长转换
量子级联激光器
光电子技术
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分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
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