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基于霍尔效应的半导体外延片电参数测试
被引量：
4
1
作者
孙慧卿
范广涵
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2004年第2期38-39,43,共3页
介绍半导体外延片霍尔效应测试的理论和方法,利用霍尔效应测试可以更好地研究半导体材料电学性能,在外延片的研制过程中测试外延层的载流子浓度,利用范德堡法测试电阻率以及载流子迁移率等参数。
关键词
半导体外延片
霍尔效应
电参数测试
电学性能
在线阅读
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职称材料
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体外延晶片的质量评估
2
作者
丁国庆
《光通信研究》
北大核心
1998年第3期57-62,共6页
本文介绍了影响半导体异质外延晶片质量的主要因素，检测方法，几个典型测试结果。最后给出了几个外延晶片材料质量评估的参照标准。
关键词
异质结构材料
光荧光谱
半导体
外延
晶
片
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职称材料
题名
基于霍尔效应的半导体外延片电参数测试
被引量：
4
1
作者
孙慧卿
范广涵
机构
华南师范大学光电子材料与技术研究所
出处
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2004年第2期38-39,43,共3页
基金
广东省重点科技攻关项目(国家部分)资助
(2000-D068)
+1 种基金
广东省重点科技公关项目资助
(2KM01102G)
文摘
介绍半导体外延片霍尔效应测试的理论和方法,利用霍尔效应测试可以更好地研究半导体材料电学性能,在外延片的研制过程中测试外延层的载流子浓度,利用范德堡法测试电阻率以及载流子迁移率等参数。
关键词
半导体外延片
霍尔效应
电参数测试
电学性能
Keywords
epitaxy slice
Hall effect
revision of function
分类号
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体外延晶片的质量评估
2
作者
丁国庆
机构
武汉邮电科学研究院
出处
《光通信研究》
北大核心
1998年第3期57-62,共6页
文摘
本文介绍了影响半导体异质外延晶片质量的主要因素，检测方法，几个典型测试结果。最后给出了几个外延晶片材料质量评估的参照标准。
关键词
异质结构材料
光荧光谱
半导体
外延
晶
片
Keywords
heterostructure material, dislocation and defect, Xray double crystal diffraction, photoluminescence spectrum
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于霍尔效应的半导体外延片电参数测试
孙慧卿
范广涵
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2004
4
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职称材料
2
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体外延晶片的质量评估
丁国庆
《光通信研究》
北大核心
1998
0
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职称材料
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