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基于集成众核的3D蒙特卡罗半导体器件模拟器
1
作者
方民权
张卫民
+3 位作者
张理论
曾琅
刘晓彦
尹龙祥
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2015年第4期621-627,共7页
3D蒙特卡罗器件模拟计算量大,计算量随网格与粒子数增加而急剧增加。通过分析3D蒙卡模拟加速热点和进一步可并行性,研究有效电势方法的集成众核并行方案;研究粒子自由飞行、统计模拟信息、计算表面粗糙散射等热点并行方案,最终实现基于C...
3D蒙特卡罗器件模拟计算量大,计算量随网格与粒子数增加而急剧增加。通过分析3D蒙卡模拟加速热点和进一步可并行性,研究有效电势方法的集成众核并行方案;研究粒子自由飞行、统计模拟信息、计算表面粗糙散射等热点并行方案,最终实现基于CPU/MIC的三级并行3D蒙特卡罗器件模拟软件。实验结果显示,三级并行比单级并行获得更好的性能;当提高模拟精度时,相比单级并行,三级并行蒙特卡罗模拟加速比增加。
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关键词
蒙特卡罗
半导体器件模拟
集成众核
有效电势方法
粒子自由飞行
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职称材料
基于TCAD的脉冲作用下晶闸管反向恢复特性仿真研究
被引量：
1
2
作者
陈炫宇
陶风波
+2 位作者
徐阳
庞磊
张乔根
《电力工程技术》
2020年第5期185-190,共6页
研究暂态脉冲电压作用下高压晶闸管反向恢复特性对换流阀参数设计、故障保护以及试验检测等具有重要意义。首先参照晶闸管实际结构,建立了晶闸管二维半导体仿真模型,基于载流子漂移扩散模型求解,仿真获得了晶闸管静态击穿特性和反向恢...
研究暂态脉冲电压作用下高压晶闸管反向恢复特性对换流阀参数设计、故障保护以及试验检测等具有重要意义。首先参照晶闸管实际结构,建立了晶闸管二维半导体仿真模型,基于载流子漂移扩散模型求解,仿真获得了晶闸管静态击穿特性和反向恢复电流特性,实验结果验证了仿真模型的有效性。在上述基础上,建立了半导体器件-电路仿真混合模型,并分析了正常导通和误触发导通时晶闸管内部电流密度变化的异同。仿真表明,反向恢复期间电压脉冲易导致晶闸管误触发,误触发电压随脉冲施加时刻后移而升高。
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关键词
高压晶闸管
电压脉冲
反向恢复
暂态特性
半导体器件模拟
工具(TCAD)
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职称材料
题名
基于集成众核的3D蒙特卡罗半导体器件模拟器
1
作者
方民权
张卫民
张理论
曾琅
刘晓彦
尹龙祥
机构
国防科学技术大学计算机学院
国家超级计算广州中心
北京航空航天大学电子信息工程学院
北京航空航天大学自旋电子交叉研究中心
北京大学微纳电子学研究院
出处
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2015年第4期621-627,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(41375113
61272146)
文摘
3D蒙特卡罗器件模拟计算量大,计算量随网格与粒子数增加而急剧增加。通过分析3D蒙卡模拟加速热点和进一步可并行性,研究有效电势方法的集成众核并行方案;研究粒子自由飞行、统计模拟信息、计算表面粗糙散射等热点并行方案,最终实现基于CPU/MIC的三级并行3D蒙特卡罗器件模拟软件。实验结果显示,三级并行比单级并行获得更好的性能;当提高模拟精度时,相比单级并行,三级并行蒙特卡罗模拟加速比增加。
关键词
蒙特卡罗
半导体器件模拟
集成众核
有效电势方法
粒子自由飞行
Keywords
Monte Carlo
device simulating for semiconductor
many integrated core
effective potential method
particle free flight
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于TCAD的脉冲作用下晶闸管反向恢复特性仿真研究
被引量：
1
2
作者
陈炫宇
陶风波
徐阳
庞磊
张乔根
机构
西安交通大学电气工程学院
国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
出处
《电力工程技术》
2020年第5期185-190,共6页
基金
国家电网有限公司科技项目(SGJSDK00KJJS1800292,SGJSDK00ZPJS1900278)。
文摘
研究暂态脉冲电压作用下高压晶闸管反向恢复特性对换流阀参数设计、故障保护以及试验检测等具有重要意义。首先参照晶闸管实际结构,建立了晶闸管二维半导体仿真模型,基于载流子漂移扩散模型求解,仿真获得了晶闸管静态击穿特性和反向恢复电流特性,实验结果验证了仿真模型的有效性。在上述基础上,建立了半导体器件-电路仿真混合模型,并分析了正常导通和误触发导通时晶闸管内部电流密度变化的异同。仿真表明,反向恢复期间电压脉冲易导致晶闸管误触发,误触发电压随脉冲施加时刻后移而升高。
关键词
高压晶闸管
电压脉冲
反向恢复
暂态特性
半导体器件模拟
工具(TCAD)
Keywords
high voltage thyristor
voltage pulse
reverse recovery
transient characteristics
technology computer aided design(TCAD)
分类号
TM461.4 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于集成众核的3D蒙特卡罗半导体器件模拟器
方民权
张卫民
张理论
曾琅
刘晓彦
尹龙祥
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2015
0
在线阅读
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职称材料
2
基于TCAD的脉冲作用下晶闸管反向恢复特性仿真研究
陈炫宇
陶风波
徐阳
庞磊
张乔根
《电力工程技术》
2020
1
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