检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

基于自动微分技术的器件模型参数提取算法: 1; 作者程彬杰邵志标 +2 位作者王莉萍于忠唐天同《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期8-13,共6页; 自动微分 (AD)技术以非标准分析为理论基础 ,是计算机数值计算领域中的一种很有前途的方法。文中提出了基于 AD技术的器件模型参数提取算法 ,在 Visual C+ +平台编制了模型参数提取程序 ,对所建立的基于表面势的 MOSFET模型进行了有约... 展开更多; 关键词自动微分参数提取金属-氧化物-半导体场效应晶体管模型半导体器件模型集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

深亚微米pHEMT器件的建模被引量：1: 2; 作者韩育高学邦《微纳电子技术》 CAS 2003年第12期35-38,共4页; 针对0.25μmpHEMT器件,建立了其小信号和非线性等效电路模型,采用窄脉冲测试技术提高了深亚微米器件的测试精度,采用改进的Materka模型提高了模型的模拟精度。已建立的两种0.25μmpHEMT模型已用于毫米波VCO和PA的设计中。; 关键词深亚微米 PHEMT器件脉冲测试非线性等效电路模型半导体器件模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

碳纳米管场效应晶体管电子输运特性的研究被引量：1: 3; 作者袁寿财刘亚媚《电子器件》 CAS 2008年第5期1523-1528,共6页; 由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度,人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究,其中最重要的纳米尺度器件是基于碳纳米管的电场效应器件并被称为碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)。本文分析了碳纳米管场效应晶体管沟... 展开更多; 关键词碳纳米管场效应晶体管弹道输运器件模拟量子效应半导体器件模型超薄衬底; 在线阅读下载PDF 职称材料

艰难困苦玉汝于成——访艾克赛利公司总裁张锡盛博士: 4; 作者挽弓《中国集成电路》 2010年第12期19-23,27,共6页; 本期高端人士介绍：张锡盛，清华大学微电子专业博士，师从中科院院士李志坚教授。美国加洲大学伯克利分校博士后，师从胡正明教授。研究方向是半导体器件模型BSIM3和参数提取方法。为BSIM3模型成为工业界标准做出了贡献。曾在位于美国... 展开更多; 关键词博士后半导体器件模型 BSIM3模型锡总裁清华大学美国硅谷中科院院士; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于自动微分技术的器件模型参数提取算法: 1; 作者程彬杰邵志标王莉萍于忠唐天同; 机构西安交通大学电子科学与技术系; 出处《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期8-13,共6页; 文摘自动微分 (AD)技术以非标准分析为理论基础 ,是计算机数值计算领域中的一种很有前途的方法。文中提出了基于 AD技术的器件模型参数提取算法 ,在 Visual C+ +平台编制了模型参数提取程序 ,对所建立的基于表面势的 MOSFET模型进行了有约束条件的参数提取。结果表明 ,算法收敛快、稳定性好。; 关键词自动微分参数提取金属-氧化物-半导体场效应晶体管模型半导体器件模型集成电路; Keywords automatic differentiation parameter extraction object oriented programming MOSFET model; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名深亚微米pHEMT器件的建模被引量：1: 2; 作者韩育高学邦; 机构河北科技大学中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《微纳电子技术》 CAS 2003年第12期35-38,共4页; 文摘针对0.25μmpHEMT器件,建立了其小信号和非线性等效电路模型,采用窄脉冲测试技术提高了深亚微米器件的测试精度,采用改进的Materka模型提高了模型的模拟精度。已建立的两种0.25μmpHEMT模型已用于毫米波VCO和PA的设计中。; 关键词深亚微米 PHEMT器件脉冲测试非线性等效电路模型半导体器件模型; Keywords deep sub-micron pHEMT pulsed test modeling; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碳纳米管场效应晶体管电子输运特性的研究被引量：1: 3; 作者袁寿财刘亚媚; 机构赣南师范学院物理与电子信息学院; 出处《电子器件》 CAS 2008年第5期1523-1528,共6页; 基金江西省教育厅项目资助(GJJ08380); 文摘由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度,人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究,其中最重要的纳米尺度器件是基于碳纳米管的电场效应器件并被称为碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)。本文分析了碳纳米管场效应晶体管沟道电子的传输特性,并给出了用器件端子参数描述的器件I-V特性方程表达式,计算了器件的I-V特性曲线并把结果与纳米器件专用分析软件nanoMOS-2.0给出的结果作了比较,发现本文模型的计算结果均大于nanoMOS-2.0给出的结果,表明本文模型尚需进一步的深入分析和优化。; 关键词碳纳米管场效应晶体管弹道输运器件模拟量子效应半导体器件模型超薄衬底; Keywords CNTFET Ballistic Device Simulation Quantum Effects Semiconductor Device Modeling Ultra_Thin Body; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名艰难困苦玉汝于成——访艾克赛利公司总裁张锡盛博士: 4; 作者挽弓; 出处《中国集成电路》 2010年第12期19-23,27,共6页; 文摘本期高端人士介绍：张锡盛，清华大学微电子专业博士，师从中科院院士李志坚教授。美国加洲大学伯克利分校博士后，师从胡正明教授。研究方向是半导体器件模型BSIM3和参数提取方法。为BSIM3模型成为工业界标准做出了贡献。曾在位于美国硅谷的著名Celestry Design Technologies，Inc．公司担任研发副总经理，领导团队成功开发了一系列的EDA软件工具，并在此期间申请了多个美国专利。张锡盛博士对SPICE仿真软件、器件模型、数值计算、器件测量等都有很深的研究。; 关键词博士后半导体器件模型 BSIM3模型锡总裁清华大学美国硅谷中科院院士; 分类号 F416.63 [经济管理—产业经济]; 在线阅读下载PDF 职称材料