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半导体和集成电路无损显微分层内窥的新方法 被引量:1
1
作者 肖玲 李亚文 +6 位作者 梁竹关 李萍 徐晓华 王建 周开邻 РАУЭ.И. 胡问国 《电子显微学报》 CAS CSCD 2000年第4期585-586,共2页
关键词 半导体材料 集成电路 无损显微分内窥法
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用扫描电子显微镜透视半导体和集成电路
2
作者 梁竹关 李亚文 +6 位作者 肖玲 王建 周开邻 李萍 徐晓华 Pay Э И 胡问国 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期404-405,共2页
关键词 扫描电镜 半导体材料 集成电路 结构分析 透视 缺陷 透表显微内窥法
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Lock-in用于无损显微分层内窥透视集成电路法
3
作者 王建 李亚文 +6 位作者 肖玲 梁竹关 周开邻 李萍 徐晓华 胡问国 Рау,З,И 《数据采集与处理》 CSCD 2001年第z1期112-115,共4页
提出一种新的扫描电子显微镜电子束非接触无损显微分层内窥透视半导体和多层结构集成电路表面层下亚表面层内半导体的缺陷和多层结构集成电路微结构的检测法(简称分层法)和用此法所观测到的分层内窥透视的图像.同时。
关键词 扫描电子显微镜 电子束 非接触无损 显微分内窥透视检测法 半导体和多层结构集成电路 的微结构和缺陷 锁相放大器
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集成电路多层结构中的化学机械抛光技术 被引量:21
4
作者 江瑞生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期6-9,共4页
化学机械抛光技术(CMP)已成功地应用于集成电路多层结构中介质层和金属层的全局平面化。这是唯一能对亚微米级器件提供全局平面化的技术,对0.35μm及以下的器件工艺是绝对必须的。CMP面临的问题主要是难以维持高效的、稳... 化学机械抛光技术(CMP)已成功地应用于集成电路多层结构中介质层和金属层的全局平面化。这是唯一能对亚微米级器件提供全局平面化的技术,对0.35μm及以下的器件工艺是绝对必须的。CMP面临的问题主要是难以维持高效的、稳定的、一次通过性的生产运转。 展开更多
关键词 化学机械抛光 多层结构 集成电路
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半导体超薄层微结构的外延生长技术 被引量:7
5
作者 彭英才 王英民 +1 位作者 李星文 傅广生 《真空科学与技术》 CSCD 1996年第3期185-192,共8页
半导体超薄层外延是超晶格与量子阱研究的技术基础。化学束外延、原子层外延、迁移增强外延、选择区域外延、激光辅助外延和低温Si外延等是在分子束外延和金属有机化学气相沉积基础上发展起来的几种新型超薄层外延技术。本文着重介绍了... 半导体超薄层外延是超晶格与量子阱研究的技术基础。化学束外延、原子层外延、迁移增强外延、选择区域外延、激光辅助外延和低温Si外延等是在分子束外延和金属有机化学气相沉积基础上发展起来的几种新型超薄层外延技术。本文着重介绍了这些外延工艺的生长机理及其研究进展。 展开更多
关键词 超晶格微结构 超薄 外延 生长机理 半导体
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五种二元过渡金属氧化物界面上的相互作用、非晶相结构及催化性能(Ⅱ)——DSC、半导体气敏特性、催化活性与亚单层分散模型
6
作者 王智民 李丽 +2 位作者 韩基新 李永战 韩维屏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期653-660,共8页
应用DSC、半导体气敏特性、催化活性及亚单(分子)层分散模型共四项表征技术,进一步研究了五种二元氧化物的界面结构及其特性,DSC曲线的放热峰及吸热峰分别与界面化学反应、晶格畸变和瓦解、熔化、烧结以及固溶体的形成相关,导电性能的... 应用DSC、半导体气敏特性、催化活性及亚单(分子)层分散模型共四项表征技术,进一步研究了五种二元氧化物的界面结构及其特性,DSC曲线的放热峰及吸热峰分别与界面化学反应、晶格畸变和瓦解、熔化、烧结以及固溶体的形成相关,导电性能的测试证明这些二元氧化物属于N-型半导体,对邻二甲苯具有气敏特性,其灵敏度在化学吸附的初期阶段与邻二甲苯蒸气浓度呈线性关系,催化选择性及转化率的测定证明V_2O_5-MnO_3及WO_3-MoO_3体系对邻二甲苯选择性氧化为苯酐具有催化活性,其非晶相MoO_3及V_2O_5的活性较为显著,尤其当二元氧化物的组成接近分散阈值Dt时,选择性最佳,为了解释大的分散阈值Dt与小的比表面积之间的关系,经计算机编程计算,在分子水平及纳米尺度上提出了球形八面体密置的亚单层分散模型并求得了模型的七个参数,通过讨论亚单层分散与非晶相结构之间的关系,提出了晶相损失的机理以及作为催化剂的非晶相结构对热的亚稳特性。 展开更多
关键词 二元过渡金属氧化物界面结构 特性表征(DSC 半导体气敏特性 催化活性 球形八面体密置的亚单分散模型及其七个参数)
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微晶/非晶Si∶ C∶ H半导体多层膜的结构研究
7
作者 王洪涛 冯良桓 徐明 《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第4期403-404,共2页
采用普通辉光放电分解硅烷的方法,沉积了具有交替微晶和非晶Si∶C∶H亚层的多层膜样品。从喇曼散射结果分析,样品具有明显的微晶和非晶两相结构;在低角度X射线衍射谱中,观察到了多级的衍射峰。
关键词 非晶半导体 多层结构 低角度 X射线衍射
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斯坦福大学成功研制出具备较复杂电路结构的碳纳米管集成电路
8
《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期115-116,共2页
最近斯坦福大学研制出了首个三维碳纳米管结构电路,这项成果可能标志着科学家在研制纳米管计算机方面又取得了一项重要的进展,纳米管计算机相比现有的硅半导体计算机在运算速度和省电性能方面拥有较大的优势。
关键词 斯坦福大学 碳纳米管 集成电路 电路结构 纳米管结构 计算机 运算速度 半导体
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应用于大规模集成电路非线性布局的二元结群算法 被引量:1
9
作者 高文超 周强 +1 位作者 钱旭 蔡懿慈 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第7期1083-1088,共6页
针对平面模式下非线性布局算法的设计能力远远跟不上集成电路发展速度的现状,将连接紧密的单元结合作为整体参与布局,提出一种应用于大规模非线性布局的二元结群算法,以减小电路规模和复杂度,进而提高布局算法速度、优化布局算法结果质... 针对平面模式下非线性布局算法的设计能力远远跟不上集成电路发展速度的现状,将连接紧密的单元结合作为整体参与布局,提出一种应用于大规模非线性布局的二元结群算法,以减小电路规模和复杂度,进而提高布局算法速度、优化布局算法结果质量.该算法按2个单元之间对内连接度与对外连接度的比值排序,并按比值从大到小对单元进行结群,然后更新网表;如果其中一个单元已经被结群或是它们合并后总面积会大于目标结群面积,则放弃这2个单元的组合.将文中算法嵌入之前实现的平面非线性布局器中,可使运行时间相对于平面模式减少40%,布局结果的质量提高了12%.该布局器详细布局后的结果比当前流行的同样采用结群算法的布局器Capo,FastPlace,Fengshui和mPL5-fast算法分别优化了7%,9%,7%和5%,显示了其有效性和高效性. 展开更多
关键词 二元结群 多层结构 非线性布局 大规模集成电路
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透绝缘层内窥透视集成电路法中Lock-in的应用
10
《数据采集与处理》 CSCD 2001年第z1期108-111,共4页
提出一种新的在扫描电子显微镜中非接触无损透过半导体和集成电路表面绝缘层显微内窥透视检测掩盖在其绝缘层下面的半导体的缺陷和集成电路微结构的检测法(简称透表法)和用此法所观测到的图像。同时,本文还介绍了在此新检测法中Lock-i... 提出一种新的在扫描电子显微镜中非接触无损透过半导体和集成电路表面绝缘层显微内窥透视检测掩盖在其绝缘层下面的半导体的缺陷和集成电路微结构的检测法(简称透表法)和用此法所观测到的图像。同时,本文还介绍了在此新检测法中Lock-in的应用。 展开更多
关键词 扫描电子显微镜 透过表面绝缘 非接触无损 显微内窥透视检测法 半导体集成电路 结构和缺陷 锁相放大器
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半导体ZnTe/GaAs界面层错的高分辨显微分析
11
作者 韩培德 《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第2期166-171,共6页
本项研究对经热壁外延(HWE)生长在GaAs基底上的ZnTe进行高分辨显微结构的观察。在ZnTe/GaAs界面上不仅存在着混合型全位错的扩展,而且首次发现类似螺旋位错分解的层错,并将其归结为原子在不全位错之后的堆积。
关键词 螺旋位错 不全位错 异质结构 半导体材料
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集成电路知识产权保护初探
12
作者 乔德喜 《知识产权》 1988年第1期14-18,共5页
基于商品经济而产生的知识产权制度,诞生伊始,就与科学技术的发展密切相关。知识产权制度为新技术转化为商品在市场流通提供了法律保障,促进了科学技术和经济的发展;同时,新技术及以其为基础的新兴产业又对知识产权制度提出了新的要求,... 基于商品经济而产生的知识产权制度,诞生伊始,就与科学技术的发展密切相关。知识产权制度为新技术转化为商品在市场流通提供了法律保障,促进了科学技术和经济的发展;同时,新技术及以其为基础的新兴产业又对知识产权制度提出了新的要求,从而推动了知识产权制度的完善和发展。近年来国际上出现的集成电路单独立法保护,就是知识产权领域中的一种新型的保护制度。一。 展开更多
关键词 集成电路芯片 知识产权保护 知识产权制度 半导体芯片 布局设计 集成电路保护 半导体材料 保护对象 形貌结构 科学技术
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半导体桥火工品研究新进展 被引量:38
13
作者 祝逢春 徐振相 +4 位作者 陈西武 周彬 秦志春 田桂蓉 侯素娟 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期106-110,共5页
半导体桥火工品属高新技术火工品 ,因其具有高安全性、高可靠性、高同步性、高工艺一致性、低发火能量以及能与数字逻辑电路组合等一系列优异性能 ,发展十分迅速。本文从理论、结构、封装、测试和改进等方面评介了半导体桥火工品研究的... 半导体桥火工品属高新技术火工品 ,因其具有高安全性、高可靠性、高同步性、高工艺一致性、低发火能量以及能与数字逻辑电路组合等一系列优异性能 ,发展十分迅速。本文从理论、结构、封装、测试和改进等方面评介了半导体桥火工品研究的新进展 ,并指出半导体桥 (SCB)火工品是桥丝式火工品的理想换代产品 ,且有更广泛的应用范围和前景 ;今后应在理论基础、生产自动化。 展开更多
关键词 半导体桥火工品 结构 理论模型 多层焊接区 封装方式 桥丝式火工品 研究进展
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半导体表面和界面电子态的研究进展
14
作者 谢希德 《物理学进展》 1981年第1期86-99,共14页
本文第一部份介绍了近年来有关半导体表面和界面电子态的一些实验与理论研究结果以及目前大家感兴趣的课题,第二部份则介绍理论研究方面主要使用的方法以及方法的特点和不足之处。
关键词 表面电子态 半导体表面 基矢 原胞 薄片 原子 再构 界面电子态 赝势法 能带结构算法 自洽计算 原子轨道 能带结构 电子能态
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半导体材料(semiconductor material)
15
《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期570-570,共1页
导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料,其电导率在10(U-3)~10(U-9)欧姆/厘米范围内。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化... 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料,其电导率在10(U-3)~10(U-9)欧姆/厘米范围内。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感,在半导体材料中掺入少量杂质可以控制这类材料的电导率。正是利用半导体材料的这些性质,才制造出功能多样的半导体器件。半导体材料是半导体工业的基础,它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。半导体材料按化学成分和内部结构,大致可分为以下几类。 展开更多
关键词 半导体材料 半导体器件 半导体性能 半导体工业 半导体技术 导电能力 电子材料 集成电路 电学性质 外界因素 内部结构 化学成分 电导率 绝缘体 极大的 杂质
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日立制作所开发出世界最高速的半导体激光器
16
作者 曹明子 《液晶与显示》 CAS CSCD 1990年第3期47-47,共1页
日立制作所成功地开发出有可能实现每秒千兆比特(bit)大容量光传输的半导体激光器。半导体激光器超高速化的必要条件是实现这样的元件结构,其中①用单色性好的光使激光器振荡,②当对激光器的注入电流进行超高速调制时,激光器发出的光跟... 日立制作所成功地开发出有可能实现每秒千兆比特(bit)大容量光传输的半导体激光器。半导体激光器超高速化的必要条件是实现这样的元件结构,其中①用单色性好的光使激光器振荡,②当对激光器的注入电流进行超高速调制时,激光器发出的光跟着受超高速调制。半导体激光器的高速性能由其调制频带表示,它越高调制速度就越高。 展开更多
关键词 半导体激光器 日立制作所 单色性好 元件结构 兆比特 光传输 高速性能 半导体 寄生电容 元件表
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《半导体技术》稿约
17
《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第8期675-675,共1页
《半导体技术》是北大版中文核心期刊、中国科技核心期刊,并被国内外多家数据库收录。本刊以半导体领域中的材料制备和表征、器件结构和技术、集成电路设计与应用、封装与检测、生产设备及产业发展等方面的文章为主。
关键词 中文核心期刊 半导体技术 半导体领域 中国科技核心期刊 数据库收录 集成电路 器件结构 制备和表征
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《半导体技术》稿约
18
《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期899-899,共1页
《半导体技术》是北大版中文核心期刊、中国科技核心期刊,并被国内外多家数据库收录。本刊以半导体领域中的材料制备和表征、器件结构和技术、集成电路设计与应用、封装与检测、生产设备及产业发展等方面的文章为主。
关键词 中文核心期刊 半导体技术 半导体领域 中国科技核心期刊 数据库收录 集成电路 器件结构 制备和表征
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超晶格半导体材料及其应用(2)
19
作者 康昌鹤 《功能材料》 EI CAS 1987年第5期308-311,共4页
三、超晶格材料在器件方面的应用第一讲中所叙述的超晶格材料表明,我们在电子波长和平均自由程(~10nm)范围内的空间中,有可能设计和控制对电子和空穴的势能。在这样的微观势场变化中,电子状态的量子化和势垒中的隧道效应等的反映,表现... 三、超晶格材料在器件方面的应用第一讲中所叙述的超晶格材料表明,我们在电子波长和平均自由程(~10nm)范围内的空间中,有可能设计和控制对电子和空穴的势能。在这样的微观势场变化中,电子状态的量子化和势垒中的隧道效应等的反映,表现出超晶格结构新的多种物理性质。因为这些物理性质不仅与材料有关,而且还与膜厚等结构参数有很强的依赖关系。因此,对器件设计的自由度很大。外另。 展开更多
关键词 超晶格结构 调制掺杂 量子阱激光器 半导体激光器 能带结构 电子能态 GaAs 仪表材料 超晶格雪崩光电二极管 子能带 超晶格器件 隧道效应 超薄膜 空穴 载流子(半导体) 电子气 势垒 电离系数
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溅射气压对Si/Ge多层膜结构光学常数的影响 被引量:6
20
作者 张晋敏 郜小勇 +1 位作者 杨宇 陈良尧 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期77-79,共3页
采用可变入射角全自动椭圆偏振光谱仪 ,测量了用磁控溅射法制备的Si/Ge异质多层膜结构的光学常数 ,测量能量范围为 1.5~ 4.5eV .分析了不同氩气压强对磁控溅射制备的Si/Ge异质多层膜结构的光学常数的影响 .实验结果表明 ,在低能区域 ,... 采用可变入射角全自动椭圆偏振光谱仪 ,测量了用磁控溅射法制备的Si/Ge异质多层膜结构的光学常数 ,测量能量范围为 1.5~ 4.5eV .分析了不同氩气压强对磁控溅射制备的Si/Ge异质多层膜结构的光学常数的影响 .实验结果表明 ,在低能区域 ,随压强的增加 ,多层膜结构的所有光学常数均有不同程度的增加 ,但在高能区域 ,溅射气压对光学常数的影响不再明显 .多层膜结构的复介电常数的实部和虚部及折射率n的峰位随压强增大而向低能方向位移 ;多层膜结构的消光系数k的峰位随压强的变化很小 ,但其峰值随压强的增加而增加 . 展开更多
关键词 溅射气压 Si/Ge多层 结构 椭偏光谱 光学常数 磁控溅射 硅衬底 大规模集成电路
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