期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
OTS修饰的不同厚度酞菁铜OTFT的研究
被引量：
2
1
作者
刘向
刘惠
薛钰芝
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期66-70,共5页
用十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰了不同厚度的酞菁铜(CuPc)有机薄膜晶体管器件,对比酞菁铜厚度为15、40、80nm的3种器件性能后,得到40nm的酞菁铜器件具有最高载流子迁移率。分析了OTS修饰的绝缘层表面对器件性能的影响,得到的40nm厚度酞菁...
用十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰了不同厚度的酞菁铜(CuPc)有机薄膜晶体管器件,对比酞菁铜厚度为15、40、80nm的3种器件性能后,得到40nm的酞菁铜器件具有最高载流子迁移率。分析了OTS修饰的绝缘层表面对器件性能的影响,得到的40nm厚度酞菁铜器件载流子迁移率为4.3×10-3cm2/V.s,阈值电压为-9.5V。
展开更多
关键词
酞菁铜
半导体厚度
载流子迁移率
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
OTS修饰的不同厚度酞菁铜OTFT的研究
被引量：
2
1
作者
刘向
刘惠
薛钰芝
机构
大连交通大学材料学院
大连理工大学电信学院
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期66-70,共5页
基金
大连交通大学博士启动基金
文摘
用十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰了不同厚度的酞菁铜(CuPc)有机薄膜晶体管器件,对比酞菁铜厚度为15、40、80nm的3种器件性能后,得到40nm的酞菁铜器件具有最高载流子迁移率。分析了OTS修饰的绝缘层表面对器件性能的影响,得到的40nm厚度酞菁铜器件载流子迁移率为4.3×10-3cm2/V.s,阈值电压为-9.5V。
关键词
酞菁铜
半导体厚度
载流子迁移率
Keywords
CuPc
thickness of semiconductor
mobility
分类号
TN27 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
OTS修饰的不同厚度酞菁铜OTFT的研究
刘向
刘惠
薛钰芝
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
