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题名半导体集成电路制造中的准分子激光退火研究进展
被引量：2
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作者
喻学昊
方晓东
游利兵
王怡哲
刘墨林
王豪
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机构
深圳技术大学新材料与新能源学院
深圳盛方科技有限公司
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出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2023年第12期69-90,共22页
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基金
国家自然科学基金项目(62175167)
广东省重点建设学科科研能力提升项目(2021ZDJS112)
+2 种基金
广东省科技计划项目(2021QN02Z552)
深圳市科技计划资助项目(JCYJ20210324120207021,JSGG20220831094202005,KQTD20170331115422184)
中国科学院核心关键技术攻关项目(ZKYXG-2018-04)。
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文摘
随着半导体集成电路芯片的尺寸越来越小、结构越来越复杂,芯片制造过程中的退火工艺技术也在不断进步。激光退火以其在芯片制造过程中热预算控制的优势,在芯片制造退火工艺中的重要性正在显现。而准分子激光的特点是波长短、峰值功率高、作用于大多数物质表面时能量迅速被物质表面吸收。准分子激光退火可以实现对材料表面温度梯度的控制,是半导体集成电路制造中热处理工艺的重要选择。对半导体集成电路制造过程中准分子激光退火研究进展进行了综述。概述了集成电路制造中退火工艺热预算控制与激光退火的理论模拟研究结果;着重介绍了准分子激光退火在离子掺杂控制、超浅节形成、沟道外延等材料处理中的研究进展,以及在金属层制备和3D器件中的应用。研究表明,准分子激光退火工艺有望为三维半导体集成电路制造提供新的解决方案。
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关键词
半导体制造工艺
热预算
激光退火
准分子激光
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Keywords
semiconductor manufacturing process
thermal budget
laser annealing
excimer laser
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名英飞凌和博世签订功率半导体合作协议
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出处
《现代电子技术》
2009年第8期177-177,共1页
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关键词
功率半导体
合作协议
金属氧化物半导体场效应晶体管
半导体制造工艺
功率MOSFET
半导体工厂
股份公司
斯图加特
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分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
TP332
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名Au-Sn合金电镀
被引量：1
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作者
王丽丽
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机构
南京得实集团
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期36-37,42,共3页
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文摘
概述了改善的ＡｕＳｎ 合金镀液， 可以稳定地形成组成为８０ｗ ｔ％ Ａｕ、２０ｗ ｔ％ Ｓｎ 的ＡｕＳｎ 合金镀层， 适用于具有抗蚀剂图形的半导体等电子零件上形成ＡｕＳｎ 合金微细焊料图形。
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关键词
Au-Sn合金
有机酸锡盐
半导体制造工艺
电镀
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
TQ153.2
[化学工程—电化学工业]
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