检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究: 1; 作者王领航张继军 +1 位作者介万奇董阳春《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期387-389,共3页; 研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞（MIT）晶体，利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶，并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测。结果表明：MIT晶体为缺陷闪锌矿结构，其在中... 展开更多; 关键词碲铟汞晶体生长垂直布里奇曼法光电半导体材料近红外探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型光电信息材料的应用及展望: 2; 作者黄炫云《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期58-61,共4页; 介绍了光电信息工程用新型功能材料———光电半导体材料、非线性光学材料和金刚石薄膜的基本特性、分类及其应用，并对它们的发展前景作了展望。; 关键词光电半导体材料非线性光学材料金刚石薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

高效可重现的SbI_(3)声化学合成及其薄膜制备: 3; 作者李晴雯钟敏《人工晶体学报》北大核心 2025年第6期1042-1049,共8页; 二维金属卤化物近年来成为研究热点,其中三碘化锑(SbI_(3))因具有光学各向异性、较高的折射率、二次谐波等特性被用于辐射探测器和光电器件。但SbI_(3)价格昂贵,限制了其大规模应用。本文以锑粉和碘粉为原料,首次采用声化学方法合成了Sb... 展开更多; 关键词三碘化锑半导体光电材料声化学合成升华气相输运沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

表面修饰纳米CdS制备中两个重要影响因素及结构表征被引量：14: 4; 作者曹维良张凯华张敬畅《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第10期997-1002,共6页; 利用溶胶-凝胶法制备了PVP表面修饰的CdS纳米晶粒。考察了影响纳米CdS制备的两个重要因素Cd2+/S2-和PVP,及其作用机理。确证表面过剩S2-和PVP在反应体系中的作用是在较高浓度下制备纳米CdS的两个重要因素,进一步确定了PVP的最佳用量。通... 展开更多; 关键词表面修饰结构表征纳米CDS PVP 光电半导体材料硫化镉; 在线阅读下载PDF 职称材料

碲铟汞晶体的生长研究被引量：1: 5; 作者王领航董阳春介万奇《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期253-255,共3页; 以高纯Hg、In、Te单质为原料,在摇摆合料炉中成功地合成了HgInTe多晶原料,并且利用该多晶原料,在特殊设计的坩埚中,成功地生长了HgInTe单晶体。X射线衍射分析证明,所生长的HgInTe晶体为缺陷闪锌矿结构,晶格常数a=0.6293nm,是一种高质量... 展开更多; 关键词 HgInTe 晶体生长垂直布里奇曼法光电半导体材料近红外探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究: 1; 作者王领航张继军介万奇董阳春; 机构西北工业大学凝固技术国家重点实验室; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期387-389,共3页; 基金基金项目：国家自然科学基金资助项目（50336040）西北工业大学博士创新基金资助项目（CX200606）西北工业大学研究生种子基金资助项目（200612）; 文摘研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞（MIT）晶体，利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶，并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测。结果表明：MIT晶体为缺陷闪锌矿结构，其在中远红外波段透过性能较好（〉50％），并且随着波长的增大，透过增强．MIT晶体为n型半导体，室温电阻率为4．79×10^2Ω．cm，载流子迁移率为4．6×10^2cm^2．V^-1．s^-1，载流子浓度为2．83×10^13cm^-3。较低的载流子浓度，有利于降低探测器的噪声及提高探测器的能量分辨率。; 关键词碲铟汞晶体生长垂直布里奇曼法光电半导体材料近红外探测器; Keywords mercury indium teiluride crystal growth vertical Bridginan method photovoitaic semiconductors NIR detector; 分类号 O782 [理学—晶体学] TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型光电信息材料的应用及展望: 2; 作者黄炫云; 机构中国兵器工业物资总公司; 出处《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期58-61,共4页; 文摘介绍了光电信息工程用新型功能材料———光电半导体材料、非线性光学材料和金刚石薄膜的基本特性、分类及其应用，并对它们的发展前景作了展望。; 关键词光电半导体材料非线性光学材料金刚石薄膜; Keywords Optoelectronic semiconductor materials, nonlinear optical materials, diamond film, application, Prospects.; 分类号 TN204 [电子电信—物理电子学] TH740.4 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高效可重现的SbI_(3)声化学合成及其薄膜制备: 3; 作者李晴雯钟敏; 机构渤海大学化学与材料工程学院辽宁省光电功能材料与检测重点实验室; 出处《人工晶体学报》北大核心 2025年第6期1042-1049,共8页; 基金辽宁省教育厅基金(LJKZ1029)。; 文摘二维金属卤化物近年来成为研究热点,其中三碘化锑(SbI_(3))因具有光学各向异性、较高的折射率、二次谐波等特性被用于辐射探测器和光电器件。但SbI_(3)价格昂贵,限制了其大规模应用。本文以锑粉和碘粉为原料,首次采用声化学方法合成了SbI_(3),并研究了超声时间、反应溶剂、Sb物质的量及锑碘摩尔比对产物的影响,并以此粉体为原料制得SbI_(3)晶体和薄膜。结果表明,当溶剂为甲醇,锑碘摩尔比n(Sb)∶n(I_(2))=2∶3.6(碘过量20%),超声时间为100 min时,得到纯相SbI_(3)粉体。采用升华法在温度为220℃,反应时间为3 h时得到(006)高取向的SbI_(3)晶体。采用气相输运沉积方法制备SbI_(3)薄膜时,沉积距离对薄膜形貌有较大影响。沉积距离增大使薄膜致密性提高,但沉积区温度降低导致薄膜晶化变差,因此要选择合适的沉积距离。此处,沉积距离为17.5 cm时获得了致密均匀的SbI_(3)薄膜。该声化学合成SbI_(3)的方法简单高效,成本低,重现性好,并可拓展应用于AgI、CuI、BiI_(3)和Cs_(3)Bi_(2)I_(9)等金属碘化物的合成。; 关键词三碘化锑半导体光电材料声化学合成升华气相输运沉积; Keywords SbI_(3) photoelectric materials of semiconductor sonochemical synthesis sublimation vapor transport deposition; 分类号 O484 [理学—固体物理] O614.531 [理学—无机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名表面修饰纳米CdS制备中两个重要影响因素及结构表征被引量：14: 4; 作者曹维良张凯华张敬畅; 机构北京化工大学理学院; 出处《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第10期997-1002,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(No.20076004)。; 文摘利用溶胶-凝胶法制备了PVP表面修饰的CdS纳米晶粒。考察了影响纳米CdS制备的两个重要因素Cd2+/S2-和PVP,及其作用机理。确证表面过剩S2-和PVP在反应体系中的作用是在较高浓度下制备纳米CdS的两个重要因素,进一步确定了PVP的最佳用量。通过TEM、ED、XRD、FT-IR等手段对合成的纳米粒子进行了结构表征,最小粒径为7～10nm,闪锌矿构型,粒子大小及形貌可通过改变Cd2+/S2-及反应物浓度来控制。最后给出了CdS/PVP纳米晶粒的结构模型。; 关键词表面修饰结构表征纳米CDS PVP 光电半导体材料硫化镉; Keywords CdS nanoparticles Cd^(2+) /S^(2-) PVP; 分类号 TN304.25 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碲铟汞晶体的生长研究被引量：1: 5; 作者王领航董阳春介万奇; 机构西北工业大学凝固技术国家重点实验室; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期253-255,共3页; 基金国家自然科学基金(No.50336040) 西北工业大学博士创新基金(CX200606) 西北工业大学研究生种子基金(No.200612)资助项目; 文摘以高纯Hg、In、Te单质为原料,在摇摆合料炉中成功地合成了HgInTe多晶原料,并且利用该多晶原料,在特殊设计的坩埚中,成功地生长了HgInTe单晶体。X射线衍射分析证明,所生长的HgInTe晶体为缺陷闪锌矿结构,晶格常数a=0.6293nm,是一种高质量的完整单晶体。; 关键词 HgInTe 晶体生长垂直布里奇曼法光电半导体材料近红外探测器; Keywords HgInTe crystal growth vertical Bridgman method photovoitaie semiconduetors near infrared receiver （NIR）; 分类号 O78 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究	王领航张继军介万奇董阳春	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	新型光电信息材料的应用及展望	黄炫云	《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心	1998	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	高效可重现的SbI_(3)声化学合成及其薄膜制备	李晴雯钟敏	《人工晶体学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	表面修饰纳米CdS制备中两个重要影响因素及结构表征	曹维良张凯华张敬畅	《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心	2002	14	在线阅读下载PDF 职称材料
5	碲铟汞晶体的生长研究	王领航董阳春介万奇	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料