一种新型半导体超辐射集成光源

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作者 赵永生 杜国同 +4 位作者 姜秀英 韩伟华 李雪梅 宋俊峰 高鼎三 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1998年第1期5-7,共3页

为有效地提高超辐射输出功率，满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要，提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想，并采用ＡｌＧａＡｓ单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，对该集成器件进行了初步研制。实验结果表明，这... 为有效地提高超辐射输出功率，满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要，提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想，并采用ＡｌＧａＡｓ单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，对该集成器件进行了初步研制。实验结果表明，这种集成器件可有效地提高超辐射输出功率，有望成为新一代大功率超辐射光源。 展开更多

关键词 超辐射发光管 集成光源 半导体光电器件

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中国电子科技集团公司第十三研究所半导体激光器产品推介

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《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第6期405-405,共1页

中国电子科技集团公司第十三研究所是国内最早从事半导体光电器件、光电模块及组件研制与生产的单位,以高功率半导体激光器为主要研究方向,开发的典型产品包括光纤激光器、固态激光器、塑封脉冲激光器、TO封装激光器和光纤耦合激光器,... 中国电子科技集团公司第十三研究所是国内最早从事半导体光电器件、光电模块及组件研制与生产的单位,以高功率半导体激光器为主要研究方向,开发的典型产品包括光纤激光器、固态激光器、塑封脉冲激光器、TO封装激光器和光纤耦合激光器,其广泛应用于激光打标、激光雕刻、激光焊接,激光测量、望远镜测距、汽车激光防撞、工业激光传感器、激光指示笔、激光照明和医疗器械等领域。 展开更多

关键词 高功率半导体激光器 中国电子科技集团公司 研究所 产品推介 半导体光电器件 光纤激光器 固态激光器 脉冲激光器

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硅基光电器件研究进展 被引量：2

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作者 郭宝增 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期19-24,共6页

在信息处理和通信技术中，光电子器件起着越来越重要的作用。然而，因为硅是间接带隙半导体，试图把光电子器件集成在硅微电子集成电路上却遇到很大困难。为解决这一困难，人们发展了多种与硅微电子集成电路兼容的光电子器件制造技术。... 在信息处理和通信技术中，光电子器件起着越来越重要的作用。然而，因为硅是间接带隙半导体，试图把光电子器件集成在硅微电子集成电路上却遇到很大困难。为解决这一困难，人们发展了多种与硅微电子集成电路兼容的光电子器件制造技术。本文介绍最近几年这方面技术的发展情况。 展开更多

关键词 多孔硅 光电子器件 硅集成电路 半导体光电器件

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InGaAs(P)/InP量子阱混合处理对其光电特性的影响 被引量：3

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作者 赵杰 王永晨 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期540-548,共9页

用离子注入诱导无序(IICD)和无杂质空位扩散诱导无序(IFVD)方法研究了InGaAs(P)/InP量子阱结构的混合造成材料光电特性变化、带隙蓝移的规律。研究结果发现,IICD造成的带隙蓝移与离子注入的种类、剂量、注入后退火温度、时间有关,也和... 用离子注入诱导无序(IICD)和无杂质空位扩散诱导无序(IFVD)方法研究了InGaAs(P)/InP量子阱结构的混合造成材料光电特性变化、带隙蓝移的规律。研究结果发现,IICD造成的带隙蓝移与离子注入的种类、剂量、注入后退火温度、时间有关,也和样品存在的应力有关。具有压应力的样品产生的蓝移量比具有张应力的大。IFVD方法造成的带隙蓝移量与介质膜的种类、后继退火温度、退火时间有关。同时还发现,蓝移量与半导体盖层成分和介质层成分的组合有关,InGaAs与SiO2组合产生的蓝移比InGaAs与Si3N4组合产生的蓝移大;与此相反,InP与Si3N4组合产生的蓝移比InP与SiO2组合的大。介质层的掺杂也影响蓝移量,掺P的SiOxPyNz可以产生高达224meV的蓝移,目前尚未见其他报道。二次离子质谱(SIMS)研究说明,量子阱层元素的互扩散可能是造成带隙蓝移的主要原因。 展开更多

关键词 InGaAs(P)/InP 量子阱 混合处理 光电特性 超晶格 离子注入 无杂质空位扩散 半导体光电器件 砷镓铟三元化合物 磷化铟

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基于峰域工作点的间接耦合光电探测器 被引量：1

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作者 何民才 陈长清 +1 位作者 郭缨 刘志伟 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期13-17,共5页

本文系统报道了间接耦合光电探测器奇异输出特性中四类工作区域的瞬态响应状况，当器件工作于峰域时，不仅能加快响应速度而且产生新的内部增益，充分展示出这是一个极有价值的区域。文中针对实验结果进行讨论，得出交流耦合系数大于１... 本文系统报道了间接耦合光电探测器奇异输出特性中四类工作区域的瞬态响应状况，当器件工作于峰域时，不仅能加快响应速度而且产生新的内部增益，充分展示出这是一个极有价值的区域。文中针对实验结果进行讨论，得出交流耦合系数大于１（具有内部增益）的分析结果。 展开更多

关键词 间接耦合 光电探测器 响应时间 半导体光电器件

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MOS结构衬底电阻率ρ对光电参数的影响

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作者 陈杰 戴文战 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期40-42,共3页

用高阻ｐ型硅（ρ＝１２０００Ωｃｍ）单晶材料制作了ＭＯＳ结构器件，对样管的光电参数进行了测量。在激光辐射下，测出样管在光照前后的Ｃ－Ｖ实验曲线及样管在０．４Ｖ偏压下，光照前后的电容相对变化率为３９．５％。而用低阻ｐ型... 用高阻ｐ型硅（ρ＝１２０００Ωｃｍ）单晶材料制作了ＭＯＳ结构器件，对样管的光电参数进行了测量。在激光辐射下，测出样管在光照前后的Ｃ－Ｖ实验曲线及样管在０．４Ｖ偏压下，光照前后的电容相对变化率为３９．５％。而用低阻ｐ型硅制成的样管，在同样条件下，电容的变化量不大。 展开更多

关键词 半导体光电器件 C-V特性曲线 光电容 测试

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中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部产品推介

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《微纳电子技术》 北大核心 2019年第6期504-504,共1页

中国电子科技集团公司第十三研究所从事半导体光电器件研制与生产30余年,拥有一条国际先进水平的工艺线,涵盖材料外延、圆片加工和器件封装等全套工艺,主要产品有大功率半导体激光器、高速半导体激光器和高速探测器。其中大功率激光器... 中国电子科技集团公司第十三研究所从事半导体光电器件研制与生产30余年,拥有一条国际先进水平的工艺线,涵盖材料外延、圆片加工和器件封装等全套工艺,主要产品有大功率半导体激光器、高速半导体激光器和高速探测器。其中大功率激光器代表产品有连续/准连续阵列激光器、高亮度光纤耦合激光器和窄脉冲激光器,应用于固态激光器泵浦、光纤激光器泵浦和激光雷达等领域;高速激光器和探测器代表产品有DFB激光器、pin探测器和APD探测器,应用于光纤通信、5G无线通信和激光雷达等领域。 展开更多

关键词 中国电子科技集团公司 产品推介 研究所 大功率半导体激光器 PIN探测器 电专业 半导体光电器件 激光器泵浦

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中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部产品推介

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《微纳电子技术》 北大核心 2019年第9期703-703,共1页

中国电子科技集团公司第十三研究所从事半导体光电器件研制与生产30余年,拥有一条国际先进水平的工艺线,涵盖材料外延、圆片加工和器件封装等全套工艺,主要产品有大功率半导体激光器、高速半导体激光器和高速探测器。其中大功率激光器... 中国电子科技集团公司第十三研究所从事半导体光电器件研制与生产30余年,拥有一条国际先进水平的工艺线,涵盖材料外延、圆片加工和器件封装等全套工艺,主要产品有大功率半导体激光器、高速半导体激光器和高速探测器。其中大功率激光器代表产品有连续/准连续阵列激光器、高亮度光纤耦合激光器和窄脉冲激光器,应用于固态激光器泵浦、光纤激光器泵浦和激光雷达等领域;高速激光器和探测器代表产品有DFB激光器、pin探测器和APD探测器,应用于光纤通信、5G无线通信和激光雷达等领域。 展开更多

关键词 中国电子科技集团公司 产品推介 研究所 大功率半导体激光器 PIN探测器 电专业 半导体光电器件 激光器泵浦

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国星光电:外延芯片10月实现量产

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《股市动态分析》 2012年第35期61-61,共1页

传闻:国星光电LED外延芯片项目已进入起步阶段,预计相关产品将在10月底实现量产。记者连线:记者致电国星光电证券部,工作人员表示外延芯片10月实现量产。国星光电(002449)是专业生产LED(发光二极管)半导体光电器件及LED应用产品的国家... 传闻:国星光电LED外延芯片项目已进入起步阶段,预计相关产品将在10月底实现量产。记者连线:记者致电国星光电证券部,工作人员表示外延芯片10月实现量产。国星光电(002449)是专业生产LED(发光二极管)半导体光电器件及LED应用产品的国家火炬计划重点高新技术企业。 展开更多

关键词 起步阶段 工作人员 现量 外延 芯片 半导体光电器件 高新技术企业 发光二极管 星光 国家火炬计划

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与CMOS-SEED灵巧象素相关的倒装焊工艺 被引量：1

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作者 李献杰 曾庆明 +5 位作者 蔡克理 敖金平 赵永林 焦智贤 王全树 郭建魁 《半导体情报》 1999年第1期37-40,共4页

介绍了新型ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧象素结构原理及相关的倒装焊技术，采用厚光致抗蚀剂作掩模，通过磁控溅射和真空蒸发相结合，解决了与ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ有关的Ｉｎ凸点阵列成型等关键工艺，并用Ｍ８－Ａ型可视对准式倒装焊系统完成... 介绍了新型ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧象素结构原理及相关的倒装焊技术，采用厚光致抗蚀剂作掩模，通过磁控溅射和真空蒸发相结合，解决了与ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ有关的Ｉｎ凸点阵列成型等关键工艺，并用Ｍ８－Ａ型可视对准式倒装焊系统完成了ＣＭＯＳ电路芯片和ＳＥＥＤ阵列芯片的倒装焊。 展开更多

关键词 倒装焊 CMOS-SEED 半导体光电器件 凸点

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热壁LPCVD设备使用中几个问题的探讨 被引量：2

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作者 程开富 《电子工业专用设备》 1996年第2期30-32,共3页

文章就热壁ＬＰＣＶＤ设备使用过程中出现的几个问题作了较全面的分析，提出了一些解决办法，并就设备易出现的故障及维护谈一点体会。

关键词 热壁LPCVD 多晶硅 氮化硅 半导体光电器件

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热壁低压化学汽相淀积设备的使用与维修

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作者 程开富 《电子工业专用设备》 1998年第1期34-39,共6页

文章就热壁低压化学汽相淀积（ＨＷＬＰＣＶＤ）设备使用过程中常见的故障现象及维修谈一点体会。

关键词 HWLPCVD 多晶硅 氮化硅 半导体光电器件

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几种制备非晶硅膜的CVD新技术

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作者 程开富 《电子工业专用设备》 1997年第2期27-32,共6页

在介绍光—ＣＶＤ制备非晶硅膜的同时，简要介绍国外近几年报导的电子回旋共振微波等离子体低温ＣＶＤ（简称ＭＰＣＶＤ）、ＣＬＴ—ＣＶＤ。

关键词 CVD 非晶硅膜 半导体光电器件

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改进型PSD非线性误差分析及其应用研究 被引量：4

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作者 李田泽 王淑云 +1 位作者 申晋 袁江 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期123-127,共5页

阐述半导体光电位置敏感器件(PSD)的横向光电效应,改进型2D-PSD的结构、特点、工作原理,在此基础上,提出一种新的电桥理论分析2D-PSD的中心与边缘产生非线性及其误差的原因。采用高精度低温漂高输入阻抗的前置放大器、加法器、减法器、... 阐述半导体光电位置敏感器件(PSD)的横向光电效应,改进型2D-PSD的结构、特点、工作原理,在此基础上,提出一种新的电桥理论分析2D-PSD的中心与边缘产生非线性及其误差的原因。采用高精度低温漂高输入阻抗的前置放大器、加法器、减法器、除法器等元器件设计了一种改进型2D-PSD的信号调理电路,用于高精度的激光准直系统中。该信号调理电路将激光束经光学透镜、光阑、滤光器等光学元器件处理的光信号转换为电信号后,送入数据采集系统,利用直线度测评软件直接在计算机上将被测件的直线度测量显示。系统特点是:响应速度快;位置分辨率高;能实时检测等优点。最后给出测量实验结果和几个重要结论。 展开更多

关键词 横向光电效应 非线性误差 半导体光电位置敏感器件 电桥理论 激光准直系统

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熔封透镜研制 被引量：1

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作者 申志刚 李元 《电子工艺技术》 1997年第6期224-226,共3页

介绍了用烧结法或高频熔封法制作光窗（透镜）。对高频熔封透镜应力作了分析，提出了阻止永久应力形成的新工艺，并研制出ＢＫ４—可伐（非完全匹配封接）高频熔封透镜。

关键词 熔封光窗 透镜 封装 半导体光电器件

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光敏电阻的种类、原理及工作特性 被引量：11

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作者 秉时 《红外》 CAS 2003年第11期48-48,F003,共2页

这里,向大家介绍一种光电器件——光敏电阻。介绍其优缺点、种类、工作原理、应用及主要特性参数。 1.定义 光敏电阻是一种典型的光电导器件。该电阻具有光电导效应,即其组成材料(或器件)在受到光辐射以后,它的电导率(或阻值)会发生变化。

关键词 光敏电阻 种类 原理 工作特性 半导体光电器件

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用于外形参数诊断的三维系统的设计与应用

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作者 李东兴 李田泽 张新慧 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2002年第4期356-359,共4页

首先分析了半导体光电位置敏感器件 (PSD)的工作过程。利用连续发射的激光光源和半导体光电位置敏感器件 ,设计了一种三维非接触高精度的光学测量系统。该系统根据定位于被测量物体上直角坐标系的格线 ,生成该物体的外形 ,从而用于不规... 首先分析了半导体光电位置敏感器件 (PSD)的工作过程。利用连续发射的激光光源和半导体光电位置敏感器件 ,设计了一种三维非接触高精度的光学测量系统。该系统根据定位于被测量物体上直角坐标系的格线 ,生成该物体的外形 ,从而用于不规则三维物体多种参数的测量和诊断。该系统使用了光学装置 ,特别适用于不规则形状尤其是边缘形状的图形的精确测量和探测 ,测量出的数据对于研究和诊断皮肤损伤的形态、特征和类型之间的关系等有很高的价值 ,应用前景非常广阔。 展开更多

关键词 半导体光电位置敏感器件 PSD 激光 三维非接触测量系统 诊断

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中昊光明公司获一发明专利授权

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《低温与特气》 CAS 2016年第4期52-52,共1页

由中昊光明公司自主研发的“一种深度脱除氧化亚氮中水和二氧化碳的装置与方法”获得国家发明专利授权，专利号为ZL201410360551．9。高纯氧化亚氮主要用于半导体光电器件研制生产的介质膜工艺，是直接影响光电器件质量不可替代的关键... 由中昊光明公司自主研发的“一种深度脱除氧化亚氮中水和二氧化碳的装置与方法”获得国家发明专利授权，专利号为ZL201410360551．9。高纯氧化亚氮主要用于半导体光电器件研制生产的介质膜工艺，是直接影响光电器件质量不可替代的关键气体。 展开更多

关键词 专利授权 发明 半导体光电器件 氧化亚氮 二氧化碳 自主研发 器件质量 专利号

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红外多波长探测装置

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作者 顾聚兴 《红外》 CAS 2002年第5期40-41,共2页

在美国防御高级研究计划局和空军的资助下,美国西北大学一个研究小组的研究人员正在研制基于多光谱量子阱红外光电探测器的“人造眼睛”。据有关专家介绍,研制工作分几个阶段,其中包括把量子阱红外光电探测器本身做成焦平面列阵,把探测... 在美国防御高级研究计划局和空军的资助下,美国西北大学一个研究小组的研究人员正在研制基于多光谱量子阱红外光电探测器的“人造眼睛”。据有关专家介绍,研制工作分几个阶段,其中包括把量子阱红外光电探测器本身做成焦平面列阵,把探测器同其它电路一起集成在硅衬底上,研制量子串级激光源。 展开更多

关键词 红外多波长探测装置 半导体光电器件 量子阱 红外光电探测器 红外焦平面列阵

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