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关于Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体激光器的欧姆接触问题的分析 被引量:1
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作者 解金山 《光通信研究》 1981年第2期40-51,共12页
本文对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体激光器的欧姆接触提出了研究方向,综述了主要材料GaAs和Inp的欧姆接触的各个方面。同时对最佳合金条件进行了理论分析。
关键词 欧姆接触 INP GAAS 化合物半导体 接触电阻率 半导体 半导体光激射器
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《激光技术》2005年总目次
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《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期I0001-I0004,共4页
关键词 技术》 半导体 半导体光激射器 高斯 准分子 抽运 泵浦 冲击成形 YAG 微细熔覆 可调谐 可调 加工 莱塞加工 技术 目次
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《激光杂志》2008年第29卷总目次
3
《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期98-105,共8页
关键词 YAG 杂志》 辐照 疗法 半导体 半导体光激射器 目次
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《激光杂志》2007年第28卷总目次
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《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期98-105,共8页
关键词 一卯 子晶体 辐照 疗法 杂志》 目次 数字全息 垂直腔面发射 半导体 半导体光激射器 治疗 双包层 熔覆涂层 高功率 战术武器 洪云 理论分析
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工业和信息化部2017年第一批电子行业标准制修订计划项目(2017年4月12日)
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《信息技术与标准化》 2017年第5期79-80,共2页
关键词 工业和信息化部 标准制修订 标准化技术委员会 工业标准化 电子行业 印制电路 印刷电路 多媒体系统 锂离子电池 锂离子二次电池 锂电池 研究院 半导体 半导体光激射器 音频
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