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InP基应变自组装纳米材料及其光电子器件研究进展
1
作者
雷文
陈涌海
+4 位作者
程伟明
车晓玲
刘俊歧
黄秀颀
王占国
《微纳电子技术》
CAS
2004年第4期8-17,共10页
半导体低维结构材料,如量子线(点)材料,由于其特殊的电子结构,在新一代光电子、微电子器件中有着重要的应用价值。本文对应变自组装InP基量子线(点)材料的生长制备、光学和电学特性及其在半导体激光器、红外探测器及其他光电子和微电子...
半导体低维结构材料,如量子线(点)材料,由于其特殊的电子结构,在新一代光电子、微电子器件中有着重要的应用价值。本文对应变自组装InP基量子线(点)材料的生长制备、光学和电学特性及其在半导体激光器、红外探测器及其他光电子和微电子器件中的应用进行了综述,指出了目前需要改进的一些方面,并提出了一些相应的解决途径。
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关键词
INP
应变自组装
光电子器件
纳米
材料
半导体低维结构材料
量子线
材料
红外探测器
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职称材料
题名
InP基应变自组装纳米材料及其光电子器件研究进展
1
作者
雷文
陈涌海
程伟明
车晓玲
刘俊歧
黄秀颀
王占国
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《微纳电子技术》
CAS
2004年第4期8-17,共10页
基金
国家重点基础规划项目(G2000068303)
国家自然科学基金项目(60290084)
文摘
半导体低维结构材料,如量子线(点)材料,由于其特殊的电子结构,在新一代光电子、微电子器件中有着重要的应用价值。本文对应变自组装InP基量子线(点)材料的生长制备、光学和电学特性及其在半导体激光器、红外探测器及其他光电子和微电子器件中的应用进行了综述,指出了目前需要改进的一些方面,并提出了一些相应的解决途径。
关键词
INP
应变自组装
光电子器件
纳米
材料
半导体低维结构材料
量子线
材料
红外探测器
Keywords
InP
strain induced self-assembly
opto-electronic devices
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InP基应变自组装纳米材料及其光电子器件研究进展
雷文
陈涌海
程伟明
车晓玲
刘俊歧
黄秀颀
王占国
《微纳电子技术》
CAS
2004
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