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基于聚噻吩/聚己内酯共混物的有机薄膜晶体管
被引量：
6
1
作者
王晓鸿
邱龙臻
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期857-862,共6页
选择聚3-己基噻吩(P3HT)/聚己内酯(PCL)双晶共混体系制备了不同配比的共混物有机薄膜晶体管。电学性能研究发现,随着共混物中P3HT含量降低,薄膜晶体管的场效应迁移率、开关电流比和阈值电压等性能缓慢降低。当P3HT质量分数为40%时,共混...
选择聚3-己基噻吩(P3HT)/聚己内酯(PCL)双晶共混体系制备了不同配比的共混物有机薄膜晶体管。电学性能研究发现,随着共混物中P3HT含量降低,薄膜晶体管的场效应迁移率、开关电流比和阈值电压等性能缓慢降低。当P3HT质量分数为40%时,共混物薄膜仍具有较好的场效应性能,迁移率为0.008 cm2.V-1.s-1,开关电流比为5×103,阈值电压为45.5 V。原子力显微镜测试结果表明:共混物成膜时发生明显的垂直相分离,在界面处形成连续的半导体层,有利于载流子传输。
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关键词
有机薄膜晶体管
半导体/绝缘聚合物
相分离
电性能
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职称材料
题名
基于聚噻吩/聚己内酯共混物的有机薄膜晶体管
被引量：
6
1
作者
王晓鸿
邱龙臻
机构
特种显示技术教育部重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期857-862,共6页
基金
973计划前沿专项(2010CB334704
2012CB723406)
+1 种基金
国家自然科学基金(21174036
51103034)资助项目
文摘
选择聚3-己基噻吩(P3HT)/聚己内酯(PCL)双晶共混体系制备了不同配比的共混物有机薄膜晶体管。电学性能研究发现,随着共混物中P3HT含量降低,薄膜晶体管的场效应迁移率、开关电流比和阈值电压等性能缓慢降低。当P3HT质量分数为40%时,共混物薄膜仍具有较好的场效应性能,迁移率为0.008 cm2.V-1.s-1,开关电流比为5×103,阈值电压为45.5 V。原子力显微镜测试结果表明:共混物成膜时发生明显的垂直相分离,在界面处形成连续的半导体层,有利于载流子传输。
关键词
有机薄膜晶体管
半导体/绝缘聚合物
相分离
电性能
Keywords
organic thin-film transistors （OTFTs）
semiconducting/insulating blend
phase separation
electric performance
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
基于聚噻吩/聚己内酯共混物的有机薄膜晶体管
王晓鸿
邱龙臻
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
6
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