具有氧化孔径层的方柱形微腔半导体激光器理论模型

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作者 王英龙 李惠青 +4 位作者 丁文革 常雷 孙江 郑云龙 王莹 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 2001年第3期235-238,243,共5页

对于具有大折射率衬比的氧化孔径层的方柱形垂直腔面发射微腔半导体激光器 ,基于Maxwell方程组的矢量解 ,推导了用于计算激光器阈值增益的理论模型 。

关键词 方柱形 微腔半导体激光器 氧化孔径层

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五种二元过渡金属氧化物界面上的相互作用、非晶相结构及催化性能(Ⅱ)——DSC、半导体气敏特性、催化活性与亚单层分散模型

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作者 王智民 李丽 +2 位作者 韩基新 李永战 韩维屏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期653-660,共8页

应用DSC、半导体气敏特性、催化活性及亚单(分子)层分散模型共四项表征技术,进一步研究了五种二元氧化物的界面结构及其特性,DSC曲线的放热峰及吸热峰分别与界面化学反应、晶格畸变和瓦解、熔化、烧结以及固溶体的形成相关,导电性能的... 应用DSC、半导体气敏特性、催化活性及亚单(分子)层分散模型共四项表征技术,进一步研究了五种二元氧化物的界面结构及其特性,DSC曲线的放热峰及吸热峰分别与界面化学反应、晶格畸变和瓦解、熔化、烧结以及固溶体的形成相关,导电性能的测试证明这些二元氧化物属于N-型半导体,对邻二甲苯具有气敏特性,其灵敏度在化学吸附的初期阶段与邻二甲苯蒸气浓度呈线性关系,催化选择性及转化率的测定证明V_2O_5-MnO_3及WO_3-MoO_3体系对邻二甲苯选择性氧化为苯酐具有催化活性,其非晶相MoO_3及V_2O_5的活性较为显著,尤其当二元氧化物的组成接近分散阈值Dt时,选择性最佳,为了解释大的分散阈值Dt与小的比表面积之间的关系,经计算机编程计算,在分子水平及纳米尺度上提出了球形八面体密置的亚单层分散模型并求得了模型的七个参数,通过讨论亚单层分散与非晶相结构之间的关系,提出了晶相损失的机理以及作为催化剂的非晶相结构对热的亚稳特性。 展开更多

关键词 二元过渡金属氧化物界面结构 特性表征(DSC 半导体气敏特性 催化活性 球形八面体密置的亚单层分散模型及其七个参数)

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功率半导体器件栅氧化层状态监测方法综述与展望 被引量：6

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作者 何怡刚 孙豪 +1 位作者 袁伟博 张学勤 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2021年第11期1-11,共11页

功率半导体器件栅极氧化层退化对功率器件的正常运行产生严重影响,不同偏置应力导致栅氧化层退化形式不同,故栅氧化层的状态监测研究对确保功率器件的高可靠性具有重要意义。从栅氧化层退化的微观机理出发,建立相关特征参数与栅氧化层... 功率半导体器件栅极氧化层退化对功率器件的正常运行产生严重影响,不同偏置应力导致栅氧化层退化形式不同,故栅氧化层的状态监测研究对确保功率器件的高可靠性具有重要意义。从栅氧化层退化的微观机理出发,建立相关特征参数与栅氧化层退化的精确函数关系,在栅氧化层退化的情况下对特征参数漂移量进行检测可以实现对功率器件栅氧化层的状态监测。围绕退化特征参数和退化模型方面的国内外研究,分类讨论基于阈值电压、米勒效应参数等状态监测方法的最新进展,并着重对栅氧化层状态监测方法的性能进行分析和对比。在此基础上,结合功率器件发展和应用趋势,展望了功率半导体器件栅氧化层状态监测的研究方向。 展开更多

关键词 功率半导体器件 MOSFET IGBT 栅氧化层 米勒效应 状态监测

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非晶氧化物半导体薄膜晶体管沟道层的研究进展 被引量：1

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作者 岳兰 任达森 +1 位作者 罗胜耘 陈家荣 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期401-410,474,共11页

薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能。近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏... 薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能。近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏显示、3D显示、柔性显示以及透明显示等新一代显示领域。综述了AOS TFT沟道层的研究进展,重点介绍了AOS TFT用AOS沟道层在材料体系、成膜技术、薄膜的后续处理工艺、材料体系中各元素含量以及掺杂等方面的研究成果,并分析了AOS沟道层对AOS TFT性能的影响以及存在的问题,对AOS TFT的未来发展趋势进行了预测和展望。 展开更多

关键词 薄膜晶体管(TFT) 非晶氧化物半导体(AOS) 沟道层 成膜技术 薄膜组分 掺杂

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透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 被引量：8

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作者 王中健 王龙彦 +2 位作者 马仙梅 付国柱 荆海 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期210-216,共7页

透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高... 透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。 展开更多

关键词 透明非晶态氧化物半导体 薄膜晶体管 有源矩阵有机发光二极管 有源矩阵电泳显示器 集约化模型

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氧化物稀磁半导体材料的理论与实验研究进展 被引量：1

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作者 张亚萍 潘礼庆 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第17期1-8,共8页

以氧化物宽禁带半导体为基体,通过掺杂磁性元素,可将非磁性半导体转变成铁磁性半导体,利用这些铁磁性半导体,能将新型的自旋电子器件集成到传统的微电子器件上,构成功能丰富的新型器件。由于稀磁半导体材料在自旋电子学中的重要作用,近... 以氧化物宽禁带半导体为基体,通过掺杂磁性元素,可将非磁性半导体转变成铁磁性半导体,利用这些铁磁性半导体,能将新型的自旋电子器件集成到传统的微电子器件上,构成功能丰富的新型器件。由于稀磁半导体材料在自旋电子学中的重要作用,近年来受到广泛的关注。简要总结了有关氧化物稀磁半导体研究的发展状况;分析了制备条件对其磁性的可能影响;重点介绍了该系统中有关磁性起源的理论模型,包括双交换机制、磁极化子模型、RKKY模型等;比较了2种磁极化子理论模型,并对这些模型的适用范围进行了分析讨论。另外,还介绍了该体系微结构和磁结构的一些检测方法以及与磁性相关的输运性质、反常霍尔效应等。 展开更多

关键词 氧化物稀磁半导体 双交换机制 磁极化子模型 RKKY 输运性质

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半导体桥火工品研究新进展 被引量：38

7

作者 祝逢春 徐振相 +4 位作者 陈西武 周彬 秦志春 田桂蓉 侯素娟 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期106-110,共5页

半导体桥火工品属高新技术火工品 ,因其具有高安全性、高可靠性、高同步性、高工艺一致性、低发火能量以及能与数字逻辑电路组合等一系列优异性能 ,发展十分迅速。本文从理论、结构、封装、测试和改进等方面评介了半导体桥火工品研究的... 半导体桥火工品属高新技术火工品 ,因其具有高安全性、高可靠性、高同步性、高工艺一致性、低发火能量以及能与数字逻辑电路组合等一系列优异性能 ,发展十分迅速。本文从理论、结构、封装、测试和改进等方面评介了半导体桥火工品研究的新进展 ,并指出半导体桥 (SCB)火工品是桥丝式火工品的理想换代产品 ,且有更广泛的应用范围和前景 ;今后应在理论基础、生产自动化。 展开更多

关键词 半导体桥火工品 结构 理论模型 多层焊接区 封装方式 桥丝式火工品 研究进展

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单元素半导体量子点制备及其光致发光性能的研究进展

8

作者 刘俊朋 杜希文 +1 位作者 孙景 鲁颖炜 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第F04期225-226,229,共3页

单元素半导体量子点的制备成功使光电集成成为可能。介绍了单元素半导体量子点的制备方法，包括射频磁控溅射技术、硅离子注入技术、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法等；并且介绍了单元素半导体量子点的发光机理模型，包括量子限制效应模... 单元素半导体量子点的制备成功使光电集成成为可能。介绍了单元素半导体量子点的制备方法，包括射频磁控溅射技术、硅离子注入技术、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法等；并且介绍了单元素半导体量子点的发光机理模型，包括量子限制效应模型、与氧有关的缺陷发光、量子限制效应-发光中心复合发光和界面层中的激子效应发光等；另外对单元素半导体量子点的发展前景进行了展望。 展开更多

关键词 半导体量子点 光致发光性能 元素 研究进展 射频磁控溅射技术 化学气相沉积法 离子注入技术 溶胶-凝胶法 量子限制效应 光电集成 制备方法 机理模型 效应模型 激子效应 复合发光 发光中心 发展前景 界面层

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SEM二次电子成像在半导体陶瓷电容器研制中的应用 被引量：1

9

作者 章仲涛 李静 +1 位作者 王振平 章士瀛 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期402-403,共2页

关键词 半导体陶瓷电容器 SEM 二次电子成像 应用 瓷坯 氧化介质层 晶格缺陷

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热生长超薄栅氧化层的空穴击穿机理与碰撞电离模型 被引量：2

10

作者 刘红侠 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期152-154,159,共4页

分析了超薄栅氧化层击穿的碰撞电离模型，并对空穴击穿机理进行了详细描述，为超薄栅氧化层的击穿机理的深入研究及超薄栅氧化层击穿模型的建立奠定了基础．

关键词 超薄栅氧化层 碰撞电离 击穿机理 模型 半导体

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亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型 被引量：1

11

作者 韩名君 柯导明 +2 位作者 王保童 王敏 徐春夏 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2237-2241,共5页

本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开,把未知量求解转化成一组线性代数方程,得到了二维电势解析表达式,并给出了电势能极值点的计算方法.模型的优点是精度与数值解的精度相同,不含适配参数、运算量小... 本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开,把未知量求解转化成一组线性代数方程,得到了二维电势解析表达式,并给出了电势能极值点的计算方法.模型的优点是精度与数值解的精度相同,不含适配参数、运算量小、避免了数值分析时的方程离散化,可直接用于电路模拟程序.文中讨论了亚阈值下NMOSFET的电势分布、阈值电压和界面态电荷的影响.结果表明,该模型与MEDICI结果极其吻合. 展开更多

关键词 金属氧化物半导体场效应管 电势解析模型 栅氧化层 空间电荷区

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氧化石墨插层纳米复合材料的制备研究进展 被引量：16

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作者 周文明 贺蕴秋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第F11期204-206,213,共4页

氧化石墨(GO)插层纳米复合材料是一种新型的纳米复合材料。介绍了氧化石墨的结构、制备方法和性质;重点论述了聚合物/氧化石墨插层纳米复合材料和无机物/氧化石墨插层纳米复合材料的制备研究进展,介绍了半导体氧化物/氧化石墨插层纳米... 氧化石墨(GO)插层纳米复合材料是一种新型的纳米复合材料。介绍了氧化石墨的结构、制备方法和性质;重点论述了聚合物/氧化石墨插层纳米复合材料和无机物/氧化石墨插层纳米复合材料的制备研究进展,介绍了半导体氧化物/氧化石墨插层纳米复合材料。 展开更多

关键词 氧化石墨 插层 聚合物 半导体氧化物

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直拉硅中氧化诱生层错研究进展 被引量：3

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作者 储佳 杨德仁 阙端麟 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第11期35-37,共3页

硅中的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,会对微电子器件产生重大影响,为提高硅片质量,要求对 OSF 有充分了解。综述了氧化诱生层错的研究进展,着重讨论了 OSF 的形成动力学、影响因素和检测方法,井指出:OSF 是一种由点缺陷... 硅中的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,会对微电子器件产生重大影响,为提高硅片质量,要求对 OSF 有充分了解。综述了氧化诱生层错的研究进展,着重讨论了 OSF 的形成动力学、影响因素和检测方法,井指出:OSF 是一种由点缺陷行为决定的工艺诱生缺陷。 展开更多

关键词 氧化诱生层错 直拉硅单晶 氧沉淀 半导体材料 缺陷 研究进展 动力学

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阳极氧化铝作缓冲层的Si基GaN生长 被引量：1

14

作者 陈鹏 江若琏 +7 位作者 王军转 赵作明 梅永丰 沈波 张荣 吴兴龙 顾书林 郑有炓 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2002年第4期52-54,共3页

尝试了Si基上生长GaN外延层的一种新的缓冲层材料 -阳极氧化铝。在Si(111)衬底上电子束蒸发铝膜 ,经阳极氧化后放入MOCVD系统中退火 ,然后进行GaN外延生长。对材料的微结构和电学性质进行了测量和分析 ,并将得到的GaN材料制备成光导型... 尝试了Si基上生长GaN外延层的一种新的缓冲层材料 -阳极氧化铝。在Si(111)衬底上电子束蒸发铝膜 ,经阳极氧化后放入MOCVD系统中退火 ,然后进行GaN外延生长。对材料的微结构和电学性质进行了测量和分析 ,并将得到的GaN材料制备成光导型的紫外光电探测器 ,器件在 330～ 380nm紫外光区域有明显响应 ,最高响应度为 3.5A/W (5V偏压 )。 展开更多

关键词 SI基 GaN 阳极氧化铝 缓冲层 紫外光电探测器 硅衬底 氮化钙 晶体生长 半导体材料

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Astellatech二氧化钛缓冲层提高太阳能电池效率

15

作者 贾磊（译） 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2009年第9期61-61,共1页

Astellatech公司的一项最新技术可将太阳能电池的电转化率提高20％。在塑料基板、低于100℃的条件下，采用Al反应溅射技术，使氧化铟锡（ITO）薄膜和染料敏化二氧化钛层中间形成一个二氧化钛缓冲层。通过这项独特的溅射技术形成的导电... Astellatech公司的一项最新技术可将太阳能电池的电转化率提高20％。在塑料基板、低于100℃的条件下，采用Al反应溅射技术，使氧化铟锡（ITO）薄膜和染料敏化二氧化钛层中间形成一个二氧化钛缓冲层。通过这项独特的溅射技术形成的导电二氧化钛缓冲层密度较大，并且具有半导体特性，它能有效防止电子从ITO薄膜通过，进而提高电池的转化效率。其他溅射技术制备出的低密度缓冲层则导电率低，甚至绝缘，无法起到良好的提高转化率的效果。 展开更多

关键词 太阳能电池 二氧化钛 电池效率 缓冲层 ITO薄膜 tech公司 溅射技术 半导体特性

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多相光化学反应器的辐射能传递模型 被引量：16

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作者 戴智铭 朱中南 +1 位作者 陈爱平 古宏晨 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期103-107,共5页

以双通量模型为基础模拟多相光化学反应器中的辐射能传递行为 ,考虑透过光催化剂颗粒的光子总数修正了双通量模型 ,采用比较简单的模型说明了多相光化学反应器内量纲 1光辐射能分布和光催化剂的量纲 1吸收光子总数分布 ,举例讨论了半导... 以双通量模型为基础模拟多相光化学反应器中的辐射能传递行为 ,考虑透过光催化剂颗粒的光子总数修正了双通量模型 ,采用比较简单的模型说明了多相光化学反应器内量纲 1光辐射能分布和光催化剂的量纲 1吸收光子总数分布 ,举例讨论了半导体超细粉末二氧化钛为光催化剂的气固相光化学反应器在不同光催化剂粒径、不同反应器厚度条件下反应器内量纲 1光辐射能分布和光催化剂的量纲 展开更多

关键词 多相光化学反应器 辐射能传递 光催化 光催化剂 双通量模型 辐射能分布 半导体超细粉末二氧化钛

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基于中压混合器件的ANPC母排绝缘与寄生参数优化设计

17

作者 赵一平 董晓博 +3 位作者 靳浩源 王淦 王来利 张虹 《电力工程技术》 北大核心 2025年第4期52-61,共10页

母排作为电力电子变换器中的关键功率传输部件,承担着连接功率器件、电容及端子的重要功能。为降低寄生参数与器件应力,换流回路须通过母排连接。文中以15 kV碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC metal oxide semiconductor field e... 母排作为电力电子变换器中的关键功率传输部件,承担着连接功率器件、电容及端子的重要功能。为降低寄生参数与器件应力,换流回路须通过母排连接。文中以15 kV碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC metal oxide semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)与串联硅基绝缘栅双极晶体管(Si insulate-gate bipolar transistor,Si IGBT)组成的有源中点钳位型(active neutral-point clamped,ANPC)变换器拓扑为核心研究对象,针对母排的器件布局、叠层顺序及端子位置等关键要素展开优化设计。基于有限元仿真软件,建立母排的有限元仿真模型,通过参数化分析优化铜层间距与叠层结构,提出适用于高压印制电路板(printed circuit board,PCB)母排的绝缘优化策略。仿真及实验结果表明,优化母排设计可有效改善系统寄生参数分布,文中验证了其在高压应用场景下的电场分布。与传统设计方案相比,优化后的母排结构在关键节点绝缘性能与整体可靠性方面具有显著优势。 展开更多

关键词 中压变换器 叠层母排 有限元仿真 寄生参数 绝缘 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)

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恒河猴慢性青光眼模型的建立及相关生物学特性 被引量：9

18

作者 戴毅 孙兴怀 +5 位作者 郭文毅 杨幼明 余晓波 钱韶红 沈颖 金晓红 《中国实验动物学报》 CAS CSCD 2005年第2期68-71,F007,共5页

目的建立两种激光光凝的恒河猴慢性高眼压性青光眼模型,评价模型眼的相关生物学特性。方法成年恒河猴15只,分别采用半导体倍频532激光和氩激光,在房角镜下对功能小梁网区行360°光凝。对其中7只恒河猴分别采用A超、视网膜断层成像... 目的建立两种激光光凝的恒河猴慢性高眼压性青光眼模型,评价模型眼的相关生物学特性。方法成年恒河猴15只,分别采用半导体倍频532激光和氩激光,在房角镜下对功能小梁网区行360°光凝。对其中7只恒河猴分别采用A超、视网膜断层成像仪和视网膜血流仪进行模型眼和另侧对照眼的眼球及视盘形态、血流参数的检测。结果两种光凝模式相比,眼压升高后第4周,倍频532激光组平均眼压为48.4±10.3mmHg,氩激光组平均眼压为44.2±7.0mmHg,倍频532激光组与氩激光组的三次光凝成功率的差异无显著性意义。除视盘面积外,恒河猴模型眼的视杯形态指数、杯盘面积比、盘沿面积、视网膜神经纤维层的平均厚度,与对照眼相比差异有极显著性意义。眼轴和前房深度与对照眼相比差异有显著性意义。筛板血流量、血流速度和红细胞移动速率与对照眼相比差异无显著性意义。结论两种激光光凝恒河猴小梁网均可用以建立慢性高眼压性青光眼模型,模型眼出现青光眼眼底特征性的形态学改变。 展开更多

关键词 生物学特性 恒河猴 青光眼 慢性 相关 显著性 视网膜 评价模型 形态指数 血流速度 激光 对照 倍频 半导体 成像仪 眼压 平均 面积比 纤维层 比差 血流量 红细胞 形态学 特征性 压性 小梁 视盘 眼球 神经 眼底

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n沟6H-SiC MOSFET直流特性和小信号参数解析模型 被引量：1

19

作者 王平 杨银堂 +2 位作者 杨燕 贾护军 屈汉章 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期89-93,共5页

基于对一维泊松方程的解析求解以及对表面势的迭代计算,建立了适于模拟n沟6H SiCMOSFET直流I V特性以及小信号参数的解析模型.模型采用薄层电荷近似,考虑了6H SiC中杂质不完全离化的特点以及界面态电荷对器件特性的影响,可用于所有的器... 基于对一维泊松方程的解析求解以及对表面势的迭代计算,建立了适于模拟n沟6H SiCMOSFET直流I V特性以及小信号参数的解析模型.模型采用薄层电荷近似,考虑了6H SiC中杂质不完全离化的特点以及界面态电荷对器件特性的影响,可用于所有的器件工作区.当漏偏压为0 05V、栅压为1 9V时,模拟得到的最大跨导值为54μS.模拟结果与实验数据有很好的一致性.该模型具有物理概念清晰且计算准确的优点,非常适于SiC器件以及电路研究使用. 展开更多

关键词 6H-SIC 金属氧化物半导体场效应晶体管 I-V特性 小信号参数 解析模型 界面态电荷

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HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究 被引量：1

20

作者 张雪锋 季红兵 +2 位作者 邱云贞 王志亮 徐静平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1149-1152,共4页

为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MO... 为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的高k/Ge界面质量有着重要的意义。 展开更多

关键词 锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管 氮氧钽铪界面层 高介电常数介质 散射 迁移率

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