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区熔再结晶制备多晶硅薄膜太阳电池被引量：4: 1; 作者李维刚许颖 +1 位作者励旭东姬成周《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期746-749,共4页; 研究了区熔再结晶 (ZMR)设备及其工艺特点 .在覆盖SiO2 的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积 (RTCVD)在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜 ,用区熔再结晶法对薄膜进行处理 ,得到了晶粒致密 ,且取向一致的多晶硅薄膜层 .以此薄膜层为... 展开更多; 关键词区熔再结晶多晶硅薄膜太阳电池快速热化学气相沉积制备工艺转换效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

氧化铝陶瓷衬底多晶硅薄膜区熔再结晶的研究: 2; 作者顾亚华许颖 +3 位作者叶小琴李海峰万之坚周宏余《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期617-620,共4页; 采用简化的区熔再结晶工艺,即区熔过程中不采用隔离层和盖帽层结构,直接在陶瓷衬底上制备出高质量的多晶硅薄膜。实验中给出了用X射线衍射方法得到的晶向图谱和光学显微镜、扫描电子显微镜方法得到的表面形貌,并采用扩散法和正面引电... 展开更多; 关键词陶瓷薄膜 RTCVD 区熔再结晶晶向; 在线阅读下载PDF 职称材料

陶瓷衬底上多晶硅薄膜的生长及区熔再结晶: 3; 作者励旭东程天 +3 位作者龚欣刘维平许颖赵玉文《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期40-43,共4页; 该文研究了氮化硼、三氧化二铝、氧化锆陶瓷以及石英和微晶云母等衬底上多晶硅薄膜的一般生长规律和区熔再结晶.实验发现,在氮化硼、三氧化二铝和石英衬底上,可以直接生长晶粒尺寸数微米、致密的多晶硅薄膜.薄膜的优选晶向为<110>... 展开更多; 关键词太阳电池多晶硅薄膜陶瓷快速热化学气相沉积区熔再结晶; 在线阅读下载PDF 职称材料

熔区固液界面温度梯度的优化与再结晶SOI晶膜质量的提高: 4; 作者张鹏飞侯东彦 +2 位作者杨景铭钱佩信罗台秦《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期84-87,共4页; 本文研究了多晶硅薄膜在红外熔区再结晶过程中熔化和固化前沿不同的推进行为，指出为了提高再结晶质量，熔区两侧对所得到的辐射能流密度分布有不同的要求，据此提出了一种兼顾熔化和固化要求的不对称加热区熔再结晶技术，成功地制备了... 展开更多; 关键词区熔再结晶 SOI晶膜再结晶硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

多晶硅薄膜太阳电池的研究与进展被引量：13: 5; 作者胡芸菲沈辉 +1 位作者梁宗存刘正义《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期200-206,共7页; 从薄膜的沉积方式和沉积温度以及衬底材料等几方面综合分析了多晶硅薄膜制备工艺的特点及多晶硅薄膜太阳电池的最新研究进展。并以颗粒硅带(SSP)为衬底,采用快热化学气相沉积(RTCVD)法制备了多晶硅薄膜,随后制得的多晶硅薄膜太阳电池的... 展开更多; 关键词多晶硅薄膜颗粒硅带化学气相沉积区熔再结晶; 在线阅读下载PDF 职称材料

模拟非硅衬底上转换效率10%的多晶硅薄膜太阳电池被引量：1: 6; 作者许颖于元 +1 位作者励旭东李仲明《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期108-110,共3页; 在重掺杂非活性单晶硅片上生长一定厚度的SiO2 ,开窗口后作为衬底 ,利用快速热化学气相沉积(RTCVD)及区熔再结晶 (ZMR)方法制备多晶硅薄膜太阳电池。由于采用了区熔再结晶 (ZMR)的方法 ,获得了取向一致的多晶硅薄膜 ,为薄膜电池的制备... 展开更多; 关键词薄膜太阳电池快速热化学气相沉积区熔再结晶多晶硅转换效率 RTCVD ZMR 非硅衬底模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名区熔再结晶制备多晶硅薄膜太阳电池被引量：4: 1; 作者李维刚许颖励旭东姬成周; 机构北京师范大学低能核物理研究所北京市太阳能研究所光电室; 出处《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期746-749,共4页; 基金国家科技部"九七三"基金资助项目; 文摘研究了区熔再结晶 (ZMR)设备及其工艺特点 .在覆盖SiO2 的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积 (RTCVD)在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜 ,用区熔再结晶法对薄膜进行处理 ,得到了晶粒致密 ,且取向一致的多晶硅薄膜层 .以此薄膜层为籽晶层 ,再在上面以RTCVD制备电池活性层 ,经过标准的太阳电池工艺 ,得到了转换效率为 10 .2 1%,填充因子为 0 .6 913的电池产品 .; 关键词区熔再结晶多晶硅薄膜太阳电池快速热化学气相沉积制备工艺转换效率; Keywords zone melting recrystallization poly-crystalline silicon film solar cell; 分类号 TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氧化铝陶瓷衬底多晶硅薄膜区熔再结晶的研究: 2; 作者顾亚华许颖叶小琴李海峰万之坚周宏余; 机构北京师范大学低能核物理研究所北京市太阳能研究所清华大学材料工程系; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期617-620,共4页; 基金国家自然科学基金项目(60276032)北京市自然科学基金重点项目(2021010); 文摘采用简化的区熔再结晶工艺,即区熔过程中不采用隔离层和盖帽层结构,直接在陶瓷衬底上制备出高质量的多晶硅薄膜。实验中给出了用X射线衍射方法得到的晶向图谱和光学显微镜、扫描电子显微镜方法得到的表面形貌,并采用扩散法和正面引电极的方法初步探索了电池的制备工艺,电池的开路电压达到196mV,短路电流为200μA。; 关键词陶瓷薄膜 RTCVD 区熔再结晶晶向; Keywords ceramic thin film ZMR orientation grain size; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名陶瓷衬底上多晶硅薄膜的生长及区熔再结晶: 3; 作者励旭东程天龚欣刘维平许颖赵玉文; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期40-43,共4页; 文摘该文研究了氮化硼、三氧化二铝、氧化锆陶瓷以及石英和微晶云母等衬底上多晶硅薄膜的一般生长规律和区熔再结晶.实验发现,在氮化硼、三氧化二铝和石英衬底上,可以直接生长晶粒尺寸数微米、致密的多晶硅薄膜.薄膜的优选晶向为<110>向.经区熔再结晶后,可以获得毫米级的晶粒,薄膜的优选晶向为<111>向.同时,薄膜的电学性能也得到改善,迁移率接近50cm2·/V·s.实验显示,衬底材料与薄膜间热膨胀系数的匹配是需首要解决的问题.; 关键词太阳电池多晶硅薄膜陶瓷快速热化学气相沉积区熔再结晶; 分类号 TK514 [动力工程及工程热物理—热能工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名熔区固液界面温度梯度的优化与再结晶SOI晶膜质量的提高: 4; 作者张鹏飞侯东彦杨景铭钱佩信罗台秦; 机构清华大学微电子学研究所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期84-87,共4页; 基金高等学校博士学科点专项科研基金; 文摘本文研究了多晶硅薄膜在红外熔区再结晶过程中熔化和固化前沿不同的推进行为，指出为了提高再结晶质量，熔区两侧对所得到的辐射能流密度分布有不同的要求，据此提出了一种兼顾熔化和固化要求的不对称加热区熔再结晶技术，成功地制备了高质量的ＳＯＩ晶膜．; 关键词区熔再结晶 SOI晶膜再结晶硅; Keywords SOI ZMR Semiconductor material .; 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多晶硅薄膜太阳电池的研究与进展被引量：13: 5; 作者胡芸菲沈辉梁宗存刘正义; 机构华南理工大学机械工程学院中山大学太阳能系统研究所中科院广州能源研究所; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期200-206,共7页; 基金中科院"百人计划"(99-019-422288) 国家863计划(2001AA513060) +1 种基金广东省科技三项(2KB0080JG) 广东省科技计划项目(A1100501); 文摘从薄膜的沉积方式和沉积温度以及衬底材料等几方面综合分析了多晶硅薄膜制备工艺的特点及多晶硅薄膜太阳电池的最新研究进展。并以颗粒硅带(SSP)为衬底,采用快热化学气相沉积(RTCVD)法制备了多晶硅薄膜,随后制得的多晶硅薄膜太阳电池的效率达到6.05%。; 关键词多晶硅薄膜颗粒硅带化学气相沉积区熔再结晶; Keywords Chemical vapor deposition Polysilicon Thin films; 分类号 TK514 [动力工程及工程热物理—热能工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名模拟非硅衬底上转换效率10%的多晶硅薄膜太阳电池被引量：1: 6; 作者许颖于元励旭东李仲明; 机构北京市太阳能研究所; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期108-110,共3页; 文摘在重掺杂非活性单晶硅片上生长一定厚度的SiO2 ,开窗口后作为衬底 ,利用快速热化学气相沉积(RTCVD)及区熔再结晶 (ZMR)方法制备多晶硅薄膜太阳电池。由于采用了区熔再结晶 (ZMR)的方法 ,获得了取向一致的多晶硅薄膜 ,为薄膜电池的制备打下了良好的基础 ,转换效率达到 10 2 1%。; 关键词薄膜太阳电池快速热化学气相沉积区熔再结晶多晶硅转换效率 RTCVD ZMR 非硅衬底模拟; Keywords thin film solar cells rapid thermal chemical vapor deposition zone melt recrystallization; 分类号 TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	区熔再结晶制备多晶硅薄膜太阳电池	李维刚许颖励旭东姬成周	《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2001	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	氧化铝陶瓷衬底多晶硅薄膜区熔再结晶的研究	顾亚华许颖叶小琴李海峰万之坚周宏余	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	陶瓷衬底上多晶硅薄膜的生长及区熔再结晶	励旭东程天龚欣刘维平许颖赵玉文	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	熔区固液界面温度梯度的优化与再结晶SOI晶膜质量的提高	张鹏飞侯东彦杨景铭钱佩信罗台秦	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1994	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	多晶硅薄膜太阳电池的研究与进展	胡芸菲沈辉梁宗存刘正义	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	13	在线阅读下载PDF 职称材料
6	模拟非硅衬底上转换效率10%的多晶硅薄膜太阳电池	许颖于元励旭东李仲明	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	1	在线阅读下载PDF 职称材料