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Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的化学溶液淀积方法制备及表征
1
作者
王晓光
林殷茵
汤庭鳌
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期49-53,共5页
采用新颖的化学溶液淀积方法,配制出可长时间稳定的先体溶液,采用红外分析和热分析等手段,对成膜过程中发生的反应变化进行了分析,结果表明采用新的方法可以增加先体的稳定性,并且确定了薄膜的析晶温度。XRD测试表明薄膜在不到500℃即...
采用新颖的化学溶液淀积方法,配制出可长时间稳定的先体溶液,采用红外分析和热分析等手段,对成膜过程中发生的反应变化进行了分析,结果表明采用新的方法可以增加先体的稳定性,并且确定了薄膜的析晶温度。XRD测试表明薄膜在不到500℃即开始析晶,并且析晶情况与Bi含量有关。对薄膜的电学性能研究表明随着Bi含量的增加,薄膜的漏电性能和抗疲劳特性变差,矫顽场变大,而2Pr在Bi过量10%的情况下达到最大31.6μC/cm2。
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关键词
化学溶液淀积
BLT
铁电薄膜
先体
层状Bi结构
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职称材料
题名
Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的化学溶液淀积方法制备及表征
1
作者
王晓光
林殷茵
汤庭鳌
机构
复旦大学微电子学系ASIC和系统实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期49-53,共5页
文摘
采用新颖的化学溶液淀积方法,配制出可长时间稳定的先体溶液,采用红外分析和热分析等手段,对成膜过程中发生的反应变化进行了分析,结果表明采用新的方法可以增加先体的稳定性,并且确定了薄膜的析晶温度。XRD测试表明薄膜在不到500℃即开始析晶,并且析晶情况与Bi含量有关。对薄膜的电学性能研究表明随着Bi含量的增加,薄膜的漏电性能和抗疲劳特性变差,矫顽场变大,而2Pr在Bi过量10%的情况下达到最大31.6μC/cm2。
关键词
化学溶液淀积
BLT
铁电薄膜
先体
层状Bi结构
Keywords
ferroelectric thin film
chemical solution deposition
fatigue
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的化学溶液淀积方法制备及表征
王晓光
林殷茵
汤庭鳌
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004
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