激光化学汽相淀积薄膜微透镜的设计与实践

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作者 宋国瑞 姚惠贞 兰祝刚 《光电子技术》 CAS 1996年第3期201-208,共8页

本文介绍了采用激光化学汽相淀积（LCVD）技术淀积氮化硅薄膜微透镜的系统与工艺的设计。实践表明，按要求建立了LCVD的实验装置后，只要适当控制源气体的化学配比与浓度，调节激光功率与衬底上的光斑尺寸，选择淀积时间，就可以淀积出... 本文介绍了采用激光化学汽相淀积（LCVD）技术淀积氮化硅薄膜微透镜的系统与工艺的设计。实践表明，按要求建立了LCVD的实验装置后，只要适当控制源气体的化学配比与浓度，调节激光功率与衬底上的光斑尺寸，选择淀积时间，就可以淀积出不同直径、透明、表面光滑的氯化硅薄膜微透镜。 展开更多

关键词 激光 化学汽相淀积 微透镜 集成光学器件

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光诱导化学汽相淀积(LCVD)技术的研究进展 被引量：1

2

作者 宋登元 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期1-6,共6页

光诱导化学汽相淀(?)(LCVD)技术是一种新的低温化薄膜制备技术.本文首先评述了LCVD技术的特点、原理和装置,然后着重讨论了利用这种技术制备金属、半导体与化合物和介质薄膜以及一些淀积规律,最后指出了LCVD技术尚待解决的若干问题.

关键词 光诱导 化学汽相淀积 LCVD

全文增补中

用快速热化学汽相淀积法生长Si_(1-x)Ge_x及其在异质结双极晶体管中的应用

3

作者 J.C.Sturm 何君 《半导体情报》 1993年第2期39-45,共7页

快速热化学汽相淀积法已用于生长100(?)厚度的Si和Si_(1-x)Ge_x结构。本文讨论了关于生长这种结构的气体变换与温度变换的相关指标。证明了用红外透射进行温度测量时活化温度可控制在600～700C之间。这种生长技术已用于逐县控温45(?)周... 快速热化学汽相淀积法已用于生长100(?)厚度的Si和Si_(1-x)Ge_x结构。本文讨论了关于生长这种结构的气体变换与温度变换的相关指标。证明了用红外透射进行温度测量时活化温度可控制在600～700C之间。这种生长技术已用于逐县控温45(?)周期的超晶格结构以及接近理想电特性的异质结双极晶体管中。 展开更多

关键词 双极晶体管 化学汽相淀积 生长

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化学汽相淀积(CVD)技术述评

4

作者 李松法 《半导体情报》 1989年第2期1-8,共8页

CVD技术是当前最重要,最基本的半导体器件和集成电路制造技术之一。本文以介质膜的CVD为重点进行了概要的分析,其中包括对CVD介质膜的要求,CVD的反应机理及各种反应室的演变,CVD介质膜的杂质、应力及其覆盖能力。最后对导体材料的CVD作... CVD技术是当前最重要,最基本的半导体器件和集成电路制造技术之一。本文以介质膜的CVD为重点进行了概要的分析,其中包括对CVD介质膜的要求,CVD的反应机理及各种反应室的演变,CVD介质膜的杂质、应力及其覆盖能力。最后对导体材料的CVD作了简单的描述。 展开更多

关键词 CVD 半导体工艺 化学汽相淀积

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佛斯隆介质膜的化学汽相淀积生长及其特性

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作者 P. C. Li 李桂荣 《半导体情报》 1989年第4期56-63,22,共9页

“佛斯隆”（Pholon)是一种新型介质材料（PxNyOx)，这种材料可以用常规的化学汽相淀积（CVD）或等离子体增强化学汽相淀积（PECVD）技术制得。它不含有硅的成分，而是由氮、磷和氧组成，也有由氮磷化物组成的极端情况。这种介质材料很... “佛斯隆”（Pholon)是一种新型介质材料（PxNyOx)，这种材料可以用常规的化学汽相淀积（CVD）或等离子体增强化学汽相淀积（PECVD）技术制得。它不含有硅的成分，而是由氮、磷和氧组成，也有由氮磷化物组成的极端情况。这种介质材料很稳定，几乎与半导体工业中常用的所有试剂都不反应，它的介电常数可以和Si3N4相美。佛斯隆介质的击穿强度为1067V／cm数量级，这比用CVD技术生长的Si3N4好得多。 展开更多

关键词 佛斯隆介质膜 化学汽相淀积 生长工艺

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化学气相沉积/渗透技术综述 被引量：11

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作者 李崇俊 马伯信 金志浩 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 1999年第1期54-58,共5页

综述了化学气相沉积（ＣＶＤ）技术的最新发展，包括金属有机化合物化学气相沉积、等离子辅助化学气相沉积、激光化学气相沉积；同时介绍了三种用于制备工程材料的快速致密化化学气相渗透（ＣＶＩ）技术，包括强迫流动热梯度化学气相渗... 综述了化学气相沉积（ＣＶＤ）技术的最新发展，包括金属有机化合物化学气相沉积、等离子辅助化学气相沉积、激光化学气相沉积；同时介绍了三种用于制备工程材料的快速致密化化学气相渗透（ＣＶＩ）技术，包括强迫流动热梯度化学气相渗透、化学液相沉积、感应加热热梯度快速致密化技术。 展开更多

关键词 化学汽相淀积 化学气相渗透 复合材料 陶瓷基

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含卤素源物质的金刚石薄膜淀积

7

作者 曹传宝 彭定坤 孟广耀 《应用科学学报》 CAS CSCD 1995年第4期483-487,共5页

含卤素源物质的金刚石薄膜淀积曹传宝（复旦大学）彭定坤，孟广耀（中国科学技术大学）关键词：金刚石，微波等离子体，化学汽相淀积，四氯化碳。０引言金刚石具有非常特殊的性质，它的硬度和弹性模量是已知材料中最高的，高导热性和高... 含卤素源物质的金刚石薄膜淀积曹传宝（复旦大学）彭定坤，孟广耀（中国科学技术大学）关键词：金刚石，微波等离子体，化学汽相淀积，四氯化碳。０引言金刚石具有非常特殊的性质，它的硬度和弹性模量是已知材料中最高的，高导热性和高绝缘性兼备，有很高的电子／空穴迁移... 展开更多

关键词 金刚石 化学汽相淀积 四氯化碳 薄膜

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沉积温度对碳化硅基体及其复合材料的影响 被引量：2

8

作者 闫联生 邹武 +2 位作者 宋麦丽 王涛 王抗利 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 1999年第1期68-71,共4页

研究了沉积温度对化学气相渗透ＳｉＣ基体微观结构及其碳纤维增强复合材料性能的影响。９５０℃沉积碳化硅为非晶态；１０００℃以上沉积出的碳化硅为结晶态，１０５０℃沉积碳化硅晶体以（１１１）取向为主；１２５０℃沉积碳化硅晶体... 研究了沉积温度对化学气相渗透ＳｉＣ基体微观结构及其碳纤维增强复合材料性能的影响。９５０℃沉积碳化硅为非晶态；１０００℃以上沉积出的碳化硅为结晶态，１０５０℃沉积碳化硅晶体以（１１１）取向为主；１２５０℃沉积碳化硅晶体以（２２０）取向为主。沉积温度升高，沉积深度和均匀性降低。制备毡基Ｃ／ＳｉＣ复合材料的沉积温度为１１００～１１５０℃；制备三维编织Ｃ／ＳｉＣ复合材料的沉积温度约为１０００～１０５０℃。 展开更多

关键词 碳化硅 化学汽相淀积 陶瓷基 复合材料 温度

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RF等离子辅助热丝CVD法制备大面积β-SiC薄膜

9

作者 姜岩峰 郝达兵 黄庆安 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期180-183,197,共5页

采用RF辅助加热CVD方法,在76mm硅衬底上生长了β-SiC薄膜。设备为电容耦合式RF(13.56MHz)等离子体装置,反应气体为甲烷(CH4);通过控制反应系统内碳原子成核生长的条件,实现了大面积β-SiC薄膜的生长。对样品进行了XRD、AFM检查;退火后... 采用RF辅助加热CVD方法,在76mm硅衬底上生长了β-SiC薄膜。设备为电容耦合式RF(13.56MHz)等离子体装置,反应气体为甲烷(CH4);通过控制反应系统内碳原子成核生长的条件,实现了大面积β-SiC薄膜的生长。对样品进行了XRD、AFM检查;退火后整个样片膜厚均匀、一致性好、应力低、与衬底的粘附性好。 展开更多

关键词 碳化硅 成核生长 等离子化学汽相淀积

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化学束外延在光电子技术应用中的进展

10

作者 周增圻 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期6-10,共5页

本文简要介绍了ＣＢＥ技术，综述了近年来ＣＢＥ在光电子技术领域内取得的进展。

关键词 化学束外延 光电子技术 化学汽相淀积 应用

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宽带RF-MEMS开关驱动电压的分析研究 被引量：7

11

作者 孙建海 崔大付 +1 位作者 苏波 王海宁 《微纳电子技术》 CAS 2004年第9期37-40,48,共5页

根据国内外发展的经验,从绝缘介质膜的制备、微桥膜内的残余应力到微桥膜的弹性系数这些影响驱动电压的关键因素出发,提出了一些新的微加工工艺和设计方法,为设计性能优良的RF-MEMS开关提供一种有效的方案,也为RF-MEMS开关设计和研制提... 根据国内外发展的经验,从绝缘介质膜的制备、微桥膜内的残余应力到微桥膜的弹性系数这些影响驱动电压的关键因素出发,提出了一些新的微加工工艺和设计方法,为设计性能优良的RF-MEMS开关提供一种有效的方案,也为RF-MEMS开关设计和研制提供了有意义的探讨。 展开更多

关键词 宽带RF-MEMS开关 驱动电压 高密度感应耦合等离子体化学汽相淀积 二氟化氙(XeF2)干法刻蚀

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用于ULSI的低k氟化非晶碳膜研究 被引量：4

12

作者 丁士进 王鹏飞 +2 位作者 张卫 王季陶 李伟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期26-30,共5页

综述了用于超大规模集成电路中互连介质的氟化非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｆ）的制备、化学键结构、介电常数与热稳定性、填隙能力、粘附性、热导率等性能，为开发具有新型功能的低介电常数材料提供了指导。

关键词 氟化非晶碳膜 ULSI 集成电路 化学汽相淀积

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超大规模集成电路中低介电常数SiOF薄膜研究 被引量：3

13

作者 王鹏飞 丁士进 +2 位作者 张卫 张剑云 王季陶 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期37-39,共3页

详细介绍了低介电常数的含氟氧化硅（ＳｉＯＦ）介质薄膜制备的工艺，并分析了试样的ＦＴＩＲ光谱，发现薄膜中大部分的氟以Ｓｉ－Ｆ键形式存在。Ｃ－Ｖ特性测量表明薄膜介电常数随氟含量的增加而减小。本文还进一步讨论了介电常数与氟... 详细介绍了低介电常数的含氟氧化硅（ＳｉＯＦ）介质薄膜制备的工艺，并分析了试样的ＦＴＩＲ光谱，发现薄膜中大部分的氟以Ｓｉ－Ｆ键形式存在。Ｃ－Ｖ特性测量表明薄膜介电常数随氟含量的增加而减小。本文还进一步讨论了介电常数与氟原子含量之间的内在联系。 展开更多

关键词 化学汽相淀积 C-V特性 介电常数

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MOCVD生长不同Al组分AlGaN薄膜 被引量：2

14

作者 刘斌 张荣 +12 位作者 谢自力 张禹 李亮 张曾 刘启佳 姚劲 周建军 姬小利 修向前 江若琏 韩平 郑有炓 龚海梅 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B09期964-966,970,共4页

本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)生长高质量不同A l组分A lxGa1-xN薄膜(0.13<x<0.8)。扫面电子显微镜(SEM)照片表明生长的A lN插入层有效地调节了A lGaN层与GaN支撑层的应力,使A lGaN表面平整无裂纹,原子力显微... 本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)生长高质量不同A l组分A lxGa1-xN薄膜(0.13<x<0.8)。扫面电子显微镜(SEM)照片表明生长的A lN插入层有效地调节了A lGaN层与GaN支撑层的应力,使A lGaN表面平整无裂纹,原子力显微镜(AFM)测量得到所有A lGaN薄膜粗糙度均小于1nm。通过原位干涉谱发现,A lGaN薄膜生长速率主要由Ga流量大小控制,随A l组分升高逐渐降低。利用X射线衍射和卢瑟福背散射(RBS)两种方法确定A lGaN薄膜的A l组分,发现A l组分与摩尔比TMA l/(TMGa+TMA l)关系为线性,说明在优化的生长条件下,A l原子与NH3的寄生反应得到了有效的抑制。 展开更多

关键词 金属有机物化学汽相淀积 ALGAN 薄膜生长

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无氨氮化硅薄膜在MEMS硅腐蚀中的应用 被引量：2

15

作者 胥超 徐永青 杨志 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第3期194-197,202,共5页

研究了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)生长的无氨氮化硅薄膜作为掩蔽层在MEMS硅腐蚀工艺中的应用。比较了PECVD不同工艺条件(衬底温度和功率)以及不同四甲基氢氧化铵(TMAH)硅腐蚀液温度对无氨氮化硅薄膜硅腐蚀掩蔽效果的影响。通过优... 研究了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)生长的无氨氮化硅薄膜作为掩蔽层在MEMS硅腐蚀工艺中的应用。比较了PECVD不同工艺条件(衬底温度和功率)以及不同四甲基氢氧化铵(TMAH)硅腐蚀液温度对无氨氮化硅薄膜硅腐蚀掩蔽效果的影响。通过优化无氨氮化硅薄膜生长条件和硅腐蚀液温度,得到了高质量的氮化硅薄膜,颗粒以及针孔密度较少,0.2μm以上颗粒度小于100,提高了硅腐蚀掩蔽选择比。实验结果显示优化生长条件的氮化硅薄膜(衬底温度350℃,功率30 W),在85℃的TMAH硅腐蚀液中,硅的腐蚀速率为68μm/h,氮化硅薄膜腐蚀速率为33.2 nm/h,硅与氮化硅的腐蚀选择比为2 048,满足MEMS体硅腐蚀工艺对于掩膜特性的要求。 展开更多

关键词 无氨氮化硅 硅腐蚀 等离子体增强化学汽相淀积(PECVD) 腐蚀比 颗粒

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利用ISSG退火改善隧穿氧化层的厚度均匀性 被引量：3

16

作者 陶凯 郭国超 +2 位作者 孔蔚然 韩瑞津 邹世昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第12期29-31,共3页

利用ISSG低压退火法来取代传统的氧气退火法,对沉积后的隧穿氧化薄膜进行退火处理。由于其独特的可控补偿氧化生长机制,最终在晶圆表面形成了厚度均匀的氧化层,薄膜质量也有了较大改善。这一结果为低压化学汽相沉积得到的隧穿氧化薄膜... 利用ISSG低压退火法来取代传统的氧气退火法,对沉积后的隧穿氧化薄膜进行退火处理。由于其独特的可控补偿氧化生长机制,最终在晶圆表面形成了厚度均匀的氧化层,薄膜质量也有了较大改善。这一结果为低压化学汽相沉积得到的隧穿氧化薄膜的平坦化提供了新思路。 展开更多

关键词 现场蒸汽生成退火 低压化学汽相淀积 隧穿氧化层

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金刚石膜MEMS及其应用 被引量：1

17

作者 崔玉亭 《微纳电子技术》 CAS 2004年第7期27-30,共4页

由于金刚石膜优异的力学、电学、热学及化学性质,使其成为MEMS中的微型传感器和微型结构的重要的首选材料。利用金刚石膜作为MEMS材料和各种微型机械的技术正在引起极大的兴趣。本文主要综述了金刚石MEMS器件的技术和应用。

关键词 金刚石膜 微机电系统 微型传感器 微型机械技术 化学汽相淀积

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Al在生长InGaN材料中的表面活化效应

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作者 袁凤坡 尹甲运 +2 位作者 刘波 梁栋 冯志宏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期126-128,共3页

为了解决材料的界面平整度,改善材料的晶体质量,在Ⅲ-Ⅴ族氮化物(InGaN)材料的生长过程中,加入了Al掺杂剂。实验发现,InGaN材料的双晶衍射半宽从533 arcsec(非掺Al)下降到399 arcsec(轻掺Al),PL光谱半宽变窄,从21.4 nm(非掺Al)降为20.9 ... 为了解决材料的界面平整度,改善材料的晶体质量,在Ⅲ-Ⅴ族氮化物(InGaN)材料的生长过程中,加入了Al掺杂剂。实验发现,InGaN材料的双晶衍射半宽从533 arcsec(非掺Al)下降到399 arcsec(轻掺Al),PL光谱半宽变窄,从21.4 nm(非掺Al)降为20.9 nm(轻掺Al)。研究结果表明,Al作为活性剂明显提高了InGaN材料质量,这将对改善LED和LD多量子阱材料和器件质量带来积极影响,目前还没有相关的文献报道。 展开更多

关键词 金属有机物化学汽相淀积 氮化镓 铟镓氮 铝活性剂

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UHV/CVD自对准生长Ge量子点(英文)

19

作者 黄文韬 邓宁 +2 位作者 陈培毅 罗广礼 钱佩信 《微纳电子技术》 CAS 2004年第2期17-22,共6页

在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点。采用原子力显微镜分析量子点的尺寸,可优化其生长温度和时间,在550℃,15s的条件下生长出尺寸最小的量子点,直径30nm,高约2nm。最上层多层结构Ge量... 在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点。采用原子力显微镜分析量子点的尺寸,可优化其生长温度和时间,在550℃,15s的条件下生长出尺寸最小的量子点,直径30nm,高约2nm。最上层多层结构Ge量子点中岛状量子点的比例为75%,其直径66nm,高11nm,密度4.5×109cm-2。利用透射电子显微镜分析了垂直自对准的Ge量子点的截面形貌,结果表明多层结构Ge量子点是垂直自对准的。Ge量子点及其浸润层的喇曼谱峰位分别为299cm-1和417cm-1,说明Ge量子点是应变的并且界面存在互混现象。采用光荧光谱分析了Ge量子点的光学特性。 展开更多

关键词 UHV/CVD 自对准生长 GE量子点 锗 超高真空化学汽相淀积设备 自组织生长 垂直自对准 PL谱

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SiGe HBT发射极台面湿法腐蚀技术研究

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作者 熊小义 刘志农 +6 位作者 张伟 付玉霞 黄文韬 刘志弘 陈长春 窦维治 钱佩信 《微纳电子技术》 CAS 2003年第10期15-16,41,共3页

在SiGeHBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGeHBT小电流下较大漏电问题,对SiGeHBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究。通过改变超声功率、腐蚀液温度,从中获得了较为理想的腐蚀条件。

关键词 SIGE HBT 制造工艺 湿法腐蚀 异质结双极晶体管 超高真空低压化学汽相淀积 硅锗

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