光诱导化学汽相淀积(LCVD)技术的研究进展 被引量：1

1

作者 宋登元 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期1-6,共6页

光诱导化学汽相淀(?)(LCVD)技术是一种新的低温化薄膜制备技术.本文首先评述了LCVD技术的特点、原理和装置,然后着重讨论了利用这种技术制备金属、半导体与化合物和介质薄膜以及一些淀积规律,最后指出了LCVD技术尚待解决的若干问题.

关键词 光诱导 化学汽相淀积 LCVD

全文增补中

化学汽相淀积装置及其净化方法和半导体制造装置

2

《表面技术》 EI CAS CSCD 2007年第1期89-89,共1页

为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜... 为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中，多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外，为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期，按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。 展开更多

关键词 制造装置 净化方法 半导体 化学汽相淀积 腐蚀性气体 净化处理 惰性气体 气体处理

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化学气相沉积/渗透技术综述 被引量：11

3

作者 李崇俊 马伯信 金志浩 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 1999年第1期54-58,共5页

综述了化学气相沉积（ＣＶＤ）技术的最新发展，包括金属有机化合物化学气相沉积、等离子辅助化学气相沉积、激光化学气相沉积；同时介绍了三种用于制备工程材料的快速致密化化学气相渗透（ＣＶＩ）技术，包括强迫流动热梯度化学气相渗... 综述了化学气相沉积（ＣＶＤ）技术的最新发展，包括金属有机化合物化学气相沉积、等离子辅助化学气相沉积、激光化学气相沉积；同时介绍了三种用于制备工程材料的快速致密化化学气相渗透（ＣＶＩ）技术，包括强迫流动热梯度化学气相渗透、化学液相沉积、感应加热热梯度快速致密化技术。 展开更多

关键词 化学汽相淀积 化学气相渗透 复合材料 陶瓷基

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APCVD生长碳化硅薄膜中汽相结晶过程的研究 被引量：3

4

作者 王剑屏 郝跃 +3 位作者 宋国乡 彭军 朱作云 张永华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期832-836,共5页

对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的常压化学汽相沉积 ( APCVD)异质外延技术进行了讨论 .在 Si C薄膜的生长过程中对 Si/ C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素 .针对水平卧式反应室 ,分析了生长过程中气流流速... 对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的常压化学汽相沉积 ( APCVD)异质外延技术进行了讨论 .在 Si C薄膜的生长过程中对 Si/ C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素 .针对水平卧式反应室 ,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布 ,指出“汽相结晶”过程对薄膜生长区 Si/ C比例有很大影响 ,从而影响了碳化硅薄膜的生长速率 。 展开更多

关键词 APCVD 碳化硅薄膜 汽相结果 常压化学汽相淀积 异质外延 生长过程 生长速率

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含卤素源物质的金刚石薄膜淀积

5

作者 曹传宝 彭定坤 孟广耀 《应用科学学报》 CAS CSCD 1995年第4期483-487,共5页

含卤素源物质的金刚石薄膜淀积曹传宝（复旦大学）彭定坤，孟广耀（中国科学技术大学）关键词：金刚石，微波等离子体，化学汽相淀积，四氯化碳。０引言金刚石具有非常特殊的性质，它的硬度和弹性模量是已知材料中最高的，高导热性和高... 含卤素源物质的金刚石薄膜淀积曹传宝（复旦大学）彭定坤，孟广耀（中国科学技术大学）关键词：金刚石，微波等离子体，化学汽相淀积，四氯化碳。０引言金刚石具有非常特殊的性质，它的硬度和弹性模量是已知材料中最高的，高导热性和高绝缘性兼备，有很高的电子／空穴迁移... 展开更多

关键词 金刚石 化学汽相淀积 四氯化碳 薄膜

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沉积温度对碳化硅基体及其复合材料的影响 被引量：2

6

作者 闫联生 邹武 +2 位作者 宋麦丽 王涛 王抗利 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 1999年第1期68-71,共4页

研究了沉积温度对化学气相渗透ＳｉＣ基体微观结构及其碳纤维增强复合材料性能的影响。９５０℃沉积碳化硅为非晶态；１０００℃以上沉积出的碳化硅为结晶态，１０５０℃沉积碳化硅晶体以（１１１）取向为主；１２５０℃沉积碳化硅晶体... 研究了沉积温度对化学气相渗透ＳｉＣ基体微观结构及其碳纤维增强复合材料性能的影响。９５０℃沉积碳化硅为非晶态；１０００℃以上沉积出的碳化硅为结晶态，１０５０℃沉积碳化硅晶体以（１１１）取向为主；１２５０℃沉积碳化硅晶体以（２２０）取向为主。沉积温度升高，沉积深度和均匀性降低。制备毡基Ｃ／ＳｉＣ复合材料的沉积温度为１１００～１１５０℃；制备三维编织Ｃ／ＳｉＣ复合材料的沉积温度约为１０００～１０５０℃。 展开更多

关键词 碳化硅 化学汽相淀积 陶瓷基 复合材料 温度

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化学束外延在光电子技术应用中的进展

7

作者 周增圻 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期6-10,共5页

本文简要介绍了ＣＢＥ技术，综述了近年来ＣＢＥ在光电子技术领域内取得的进展。

关键词 化学束外延 光电子技术 化学汽相淀积 应用

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光辅助超高真空CVD系统制备SiGe异质结双极晶体管研究 被引量：1

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作者 戴显英 胡辉勇 +1 位作者 张鹤鸣 孙建诚 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期509-512,共4页

介绍了采用紫外光化学汽相淀积 (UVCVD)、超高真空化学汽相淀积 (UHVCVD)和超低压化学汽相淀积 (ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积 (CVD)工艺系统 ,简称U3 CVD系统 应用该系统 ,在 4 5 0℃低温和 10 - 7Pa超高真空环境下研制出了硅锗 (Si... 介绍了采用紫外光化学汽相淀积 (UVCVD)、超高真空化学汽相淀积 (UHVCVD)和超低压化学汽相淀积 (ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积 (CVD)工艺系统 ,简称U3 CVD系统 应用该系统 ,在 4 5 0℃低温和 10 - 7Pa超高真空环境下研制出了硅锗 (SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)材料 实验表明 。 展开更多

关键词 紫外光化学汽相淀积 超高真空化学汽相淀积 超低压化学汽相淀积 异质结 硅锗材料 双极晶体管

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用于ULSI的低k氟化非晶碳膜研究 被引量：4

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作者 丁士进 王鹏飞 +2 位作者 张卫 王季陶 李伟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期26-30,共5页

综述了用于超大规模集成电路中互连介质的氟化非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｆ）的制备、化学键结构、介电常数与热稳定性、填隙能力、粘附性、热导率等性能，为开发具有新型功能的低介电常数材料提供了指导。

关键词 氟化非晶碳膜 ULSI 集成电路 化学汽相淀积

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超大规模集成电路中低介电常数SiOF薄膜研究 被引量：3

10

作者 王鹏飞 丁士进 +2 位作者 张卫 张剑云 王季陶 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期37-39,共3页

详细介绍了低介电常数的含氟氧化硅（ＳｉＯＦ）介质薄膜制备的工艺，并分析了试样的ＦＴＩＲ光谱，发现薄膜中大部分的氟以Ｓｉ－Ｆ键形式存在。Ｃ－Ｖ特性测量表明薄膜介电常数随氟含量的增加而减小。本文还进一步讨论了介电常数与氟... 详细介绍了低介电常数的含氟氧化硅（ＳｉＯＦ）介质薄膜制备的工艺，并分析了试样的ＦＴＩＲ光谱，发现薄膜中大部分的氟以Ｓｉ－Ｆ键形式存在。Ｃ－Ｖ特性测量表明薄膜介电常数随氟含量的增加而减小。本文还进一步讨论了介电常数与氟原子含量之间的内在联系。 展开更多

关键词 化学汽相淀积 C-V特性 介电常数

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MOCVD生长不同Al组分AlGaN薄膜 被引量：2

11

作者 刘斌 张荣 +12 位作者 谢自力 张禹 李亮 张曾 刘启佳 姚劲 周建军 姬小利 修向前 江若琏 韩平 郑有炓 龚海梅 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B09期964-966,970,共4页

本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)生长高质量不同A l组分A lxGa1-xN薄膜(0.13<x<0.8)。扫面电子显微镜(SEM)照片表明生长的A lN插入层有效地调节了A lGaN层与GaN支撑层的应力,使A lGaN表面平整无裂纹,原子力显微... 本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)生长高质量不同A l组分A lxGa1-xN薄膜(0.13<x<0.8)。扫面电子显微镜(SEM)照片表明生长的A lN插入层有效地调节了A lGaN层与GaN支撑层的应力,使A lGaN表面平整无裂纹,原子力显微镜(AFM)测量得到所有A lGaN薄膜粗糙度均小于1nm。通过原位干涉谱发现,A lGaN薄膜生长速率主要由Ga流量大小控制,随A l组分升高逐渐降低。利用X射线衍射和卢瑟福背散射(RBS)两种方法确定A lGaN薄膜的A l组分,发现A l组分与摩尔比TMA l/(TMGa+TMA l)关系为线性,说明在优化的生长条件下,A l原子与NH3的寄生反应得到了有效的抑制。 展开更多

关键词 金属有机物化学汽相淀积 ALGAN 薄膜生长

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利用ISSG退火改善隧穿氧化层的厚度均匀性 被引量：3

12

作者 陶凯 郭国超 +2 位作者 孔蔚然 韩瑞津 邹世昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第12期29-31,共3页

利用ISSG低压退火法来取代传统的氧气退火法,对沉积后的隧穿氧化薄膜进行退火处理。由于其独特的可控补偿氧化生长机制,最终在晶圆表面形成了厚度均匀的氧化层,薄膜质量也有了较大改善。这一结果为低压化学汽相沉积得到的隧穿氧化薄膜... 利用ISSG低压退火法来取代传统的氧气退火法,对沉积后的隧穿氧化薄膜进行退火处理。由于其独特的可控补偿氧化生长机制,最终在晶圆表面形成了厚度均匀的氧化层,薄膜质量也有了较大改善。这一结果为低压化学汽相沉积得到的隧穿氧化薄膜的平坦化提供了新思路。 展开更多

关键词 现场蒸汽生成退火 低压化学汽相淀积 隧穿氧化层

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Al在生长InGaN材料中的表面活化效应

13

作者 袁凤坡 尹甲运 +2 位作者 刘波 梁栋 冯志宏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期126-128,共3页

为了解决材料的界面平整度,改善材料的晶体质量,在Ⅲ-Ⅴ族氮化物(InGaN)材料的生长过程中,加入了Al掺杂剂。实验发现,InGaN材料的双晶衍射半宽从533 arcsec(非掺Al)下降到399 arcsec(轻掺Al),PL光谱半宽变窄,从21.4 nm(非掺Al)降为20.9 ... 为了解决材料的界面平整度,改善材料的晶体质量,在Ⅲ-Ⅴ族氮化物(InGaN)材料的生长过程中,加入了Al掺杂剂。实验发现,InGaN材料的双晶衍射半宽从533 arcsec(非掺Al)下降到399 arcsec(轻掺Al),PL光谱半宽变窄,从21.4 nm(非掺Al)降为20.9 nm(轻掺Al)。研究结果表明,Al作为活性剂明显提高了InGaN材料质量,这将对改善LED和LD多量子阱材料和器件质量带来积极影响,目前还没有相关的文献报道。 展开更多

关键词 金属有机物化学汽相淀积 氮化镓 铟镓氮 铝活性剂

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PETEOS氧化硅膜的成分与电荷特性

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作者 许春芳 范焕章 +2 位作者 何弈骅 王刚宁 翁丽敏 《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1996年第3期59-62,共4页

本文分析了以正硅酸乙酯溶液为源，用等离子体增强化学汽相淀积法淀积的氧化硅膜的成分与电荷等特性，以及淀积和退火工艺条件对这些特性的影响。

关键词 介质膜 VLSI 氧化硅膜 PETEOS 化学汽相淀积

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基于贝叶斯网络的PECVD故障诊断技术

15

作者 赵英伟 路孟喜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期180-182,193,共4页

提出了贝叶斯网络技术在故障诊断中的一种应用,介绍了基于贝叶斯网络的故障诊断技术的基本概念和原理,分析了故障节点和维修节点之间相互作用的关系。应用GeNIe决策系统软件,以PECVD 淀积台的真空系统为例,讲述了贝叶斯网络在半导体工... 提出了贝叶斯网络技术在故障诊断中的一种应用,介绍了基于贝叶斯网络的故障诊断技术的基本概念和原理,分析了故障节点和维修节点之间相互作用的关系。应用GeNIe决策系统软件,以PECVD 淀积台的真空系统为例,讲述了贝叶斯网络在半导体工艺设备故障诊断中的应用。 展开更多

关键词 故障诊断 贝叶斯网络 等离子体增强化学汽相淀积

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氮氧化硅光波导的制作途径、性质及应用

16

作者 祖继锋 余宽豪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期10-14,共5页

重点分析了硅基ＳｉＯＮ光波导的工艺制作途径及其有关性能。根据有关实验结果，讨论了工艺中存在的问题，最后给出了它的应用。

关键词 氮氧化硅 化学汽相淀积 光波导 制造工艺

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ECR-PECVD方法低温制备多晶硅薄膜 被引量：3

17

作者 冯庆浩 秦福文 +1 位作者 吴爱民 王阳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期342-345,共4页

采用ECR-PECVD低温沉积方法,以质量分数为5%的SiH4(配Ar气,SiH4:Ar=1:19)和H2为反应气体,在普通玻璃和单晶硅片衬底上直接沉积多晶硅薄膜,以期寻找到适合大规模工业化生产的方法。当衬底温度为500℃时,即能沉积高质量的多晶硅薄膜。沉积... 采用ECR-PECVD低温沉积方法,以质量分数为5%的SiH4(配Ar气,SiH4:Ar=1:19)和H2为反应气体,在普通玻璃和单晶硅片衬底上直接沉积多晶硅薄膜,以期寻找到适合大规模工业化生产的方法。当衬底温度为500℃时,即能沉积高质量的多晶硅薄膜。沉积前,H2等离子体的清洗时间和流量对多晶薄膜的质量有较大的影响。通过与其他反应气体相比较,我们制备的多晶硅薄膜不含杂质。 展开更多

关键词 多晶硅薄膜 化学汽相淀积 低温

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Mg掺杂的AlGaN的MOCVD生长 被引量：1

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作者 姚靖 谢自力 +8 位作者 刘斌 韩平 张荣 江若琏 刘启佳 徐峰 龚海梅 施毅 郑有炓 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B09期971-973,980,共4页

文章主要研究利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法制备的Mg掺杂A lGaN薄膜。根据Raman光谱对Mg掺杂A lGaN薄膜应力和X射线摇摆曲线对晶体质量的研究表明引入高温A lN插入层能有效调节应力,并提高薄膜质量,降低位错密度。实验发现在保... 文章主要研究利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法制备的Mg掺杂A lGaN薄膜。根据Raman光谱对Mg掺杂A lGaN薄膜应力和X射线摇摆曲线对晶体质量的研究表明引入高温A lN插入层能有效调节应力,并提高薄膜质量,降低位错密度。实验发现在保持Mg掺杂量不变的情况下,随着A l组分的上升,材料中出现大量岛状晶核,粗糙度变大,晶体质量下降,由三维生长向二维生长的转变更加困难。同时研究发现A l组分的上升和Mg掺杂量的增加都会使得螺位错密度上升;Mg的掺杂对于刃位错有显著影响,而A l组分的上升对刃位错无明显影响。经过退火温度对空穴浓度影响的研究,发现对于P型A l0.1Ga0.9N样品,900℃为比较理想的退火温度。 展开更多

关键词 金属有机物化学汽相淀积 Mg掺杂 P型AlGaN RAMAN光谱

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PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究

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作者 陈蒲生 刘剑 +1 位作者 张昊 冯文修 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期71-75,共5页

对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性。分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室... 对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性。分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室气压、混合气体比例、衬底温度的变化关系;给出了击穿等电性优良的PECVD形成SiOxNy薄介质膜的优化工艺条件。 展开更多

关键词 PECVD 等离子体增强化学汽相淀积 薄介质膜 击穿机理 电学性能

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CVD反应器内基座倾斜时流场的有限分析方法数值计算

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作者 郭庆尧 金希卓 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第4期42-48,共7页

本文用有限分析方法,对带有倾斜基座的CVD反应器内流场进行了数值计算.结果表明,有限分析方法对于小倾角的非矩形边界的解域也是适用的.

关键词 化学汽相淀积 数值模拟 流场

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