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制备参数和退火对激光诱导化学汽相沉积合成纳米硅的粒径和红外光谱的影响 被引量:10
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作者 梁礼正 张海燕 +3 位作者 何艳阳 陈可心 王卫乡 刘颂豪 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2001年第5期382-386,共5页
用激光诱导化学汽相沉积 (LICVD)法制备纳米硅 ,发现 :激光强度存在低限阈值 ,SiH4的流速存在着高限阈值 ,二者正相关 ,以维持SiH4 裂解所需的高温。为了使纳米硅粒小而均匀 ,应加大激光强度 ,并相应加快SiH4 的流速 ,以提高纳米硅粒的... 用激光诱导化学汽相沉积 (LICVD)法制备纳米硅 ,发现 :激光强度存在低限阈值 ,SiH4的流速存在着高限阈值 ,二者正相关 ,以维持SiH4 裂解所需的高温。为了使纳米硅粒小而均匀 ,应加大激光强度 ,并相应加快SiH4 的流速 ,以提高纳米硅粒的成核率 ,减少每一个纳米硅核所吸收的硅原子数 ,并缩短每一个纳米硅核的生长期。纳米硅制取后退火脱H ,纳米硅的红外吸收光谱发生变化 :4条特征吸收带的位置、强度和形状各有改变。这是因为纳米硅的表面积很大 ,表面氧化使组态改变。为了减轻这样的氧化 ,纳米硅应在Ar气氛中而不是在空气中退火 ,并且开始退火的温度低于 30 0℃。 展开更多
关键词 激光诱导 化学汽相沉积 纳米硅粉 红外光谱 粒径 退火
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常压化学汽相沉积TiO_x纳米光学薄膜及其用于太阳电池减反射膜的研究 被引量:5
2
作者 杨宏 王鹤 +3 位作者 于化丛 奚建平 胡宏勋 陈光德 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期437-440,共4页
报道了用常压化学汽相沉积 (APCVD)工艺制备TiOx 纳米光学薄膜的研究结果 ,讨论了衬底温度对薄膜结构及折射率的影响 ,实验验证了太阳电池对光学减反射膜的理论要求 ,优化了工艺条件 ,制备的TiOx 纳米光学薄膜性能稳定 ,大面积颜色均匀... 报道了用常压化学汽相沉积 (APCVD)工艺制备TiOx 纳米光学薄膜的研究结果 ,讨论了衬底温度对薄膜结构及折射率的影响 ,实验验证了太阳电池对光学减反射膜的理论要求 ,优化了工艺条件 ,制备的TiOx 纳米光学薄膜性能稳定 ,大面积颜色均匀一致。采用该工艺制备的TiOx 减反射膜能使单晶硅太阳电池光电转换效率平均增加 10 %。 展开更多
关键词 常压化学汽相沉积 光学薄膜 减反射膜 钛氧化合物 太阳能电池
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光化学汽相沉积中光激活物质的理论解析 被引量:3
3
作者 李培咸 孙建诚 《光子学报》 EI CAS CSCD 2000年第1期78-81,共4页
基于光激活物质空间迁移长度的概念,推导出方形反应空间中到达基片上单位面积的光激活物质总数的解析表达式,对光化学汽相沉积中淀积速率和基片位置的关系进行了模拟和分析. 模拟结果同实验结果符合良好.
关键词 迁移长度 半导体 光激活物质 化学汽相沉积
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热壁低压化学汽相淀积多晶硅膜的氧沾污分析 被引量:6
4
作者 程开富 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期38-40,43,共4页
主要介绍热壁低压化学汽相淀积(LPCVD)多晶硅薄膜时,系统、温度和氧沾污对膜层质量的影响。
关键词 多晶硅膜 氧沾污 掺磷 热壁 低压 化学汽相沉积
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激光化学汽相沉积球面微透镜的研究
5
作者 姚惠贞 宋国瑞 蒋中钢 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1995年第8期43-47,共5页
本文介绍了一种新颖的利用激光化学汽相沉积(LCV)球面微透镜的技术。我们建立了一套LCVD的实验装置,用该装置在平面石英玻璃衬底上,成功地沉积生成了平凸型氨化硅球面微透镜。同时,还对沉积成的微透镜的参量进行了测试。在... 本文介绍了一种新颖的利用激光化学汽相沉积(LCV)球面微透镜的技术。我们建立了一套LCVD的实验装置,用该装置在平面石英玻璃衬底上,成功地沉积生成了平凸型氨化硅球面微透镜。同时,还对沉积成的微透镜的参量进行了测试。在实验中还摸索了LCVD的沉积工艺。实验结果表明,通过控制源气体的化学配比与浓度,调节激光功率与衬底上的聚焦激光光斑尺寸,选择沉积时间,可以获得不同直径、透明、表面光滑的平凸型氮化硅球面微透镜。 展开更多
关键词 化学汽相沉积 微透镜 球面微透镜 激光
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TiN 类薄膜的激光化学汽相沉积
6
作者 张鸿俭 夏德顺 张鹤 《导弹与航天运载技术》 1998年第6期32-37,共6页
在Ti和Ti合金表面镀上一层薄膜以提高它的硬度、耐磨性及耐蚀性等是很有意义的。研究了用激光化学汽相沉积的方法在Ti和Ti-6Al-4V基体材料上沉积TiN、TiC、Ti(C.N)薄膜的工艺,并获得了良好膜层的最佳工艺... 在Ti和Ti合金表面镀上一层薄膜以提高它的硬度、耐磨性及耐蚀性等是很有意义的。研究了用激光化学汽相沉积的方法在Ti和Ti-6Al-4V基体材料上沉积TiN、TiC、Ti(C.N)薄膜的工艺,并获得了良好膜层的最佳工艺。在低压下用激光化学汽相沉积(LCVD)方法制备成功的TiN类薄膜颜色金黄,成份均匀,其平均显微硬度为2500HK,耐磨性比基体材料提高6倍。 展开更多
关键词 薄膜 钛合金 化学汽相沉积 氮化钛
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利用等离子增强化学汽相沉积生长初期快速结晶的纳米晶硅(英文) 被引量:2
7
作者 金聖雄 金原奭 +2 位作者 柳在一 李禹奉 李貞烈 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期433-438,共6页
成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅。为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/SF6等离子体对Si Nx薄膜表面进行处理。在制备纳米/微米晶粒结晶硅时常用的氢气稀释条件下,沉积得到了纳... 成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅。为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/SF6等离子体对Si Nx薄膜表面进行处理。在制备纳米/微米晶粒结晶硅时常用的氢气稀释条件下,沉积得到了纳米晶硅。利用XRD和TEM观察了氢化纳米晶硅(nc-Si∶H)的微结构,发现实验成功得到了小于10 nm的晶体硅。为了检测结构和电学特性,测试了纳米晶硅薄膜的亮态和暗态电导率。室温下,电导率从非晶硅的10-10S/cm增加到10-5S/cm。 展开更多
关键词 薄膜 纳米晶硅 等离子增强化学汽相沉积 电导率
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光诱导化学汽相淀积(LCVD)技术的研究进展 被引量:1
8
作者 宋登元 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期1-6,共6页
光诱导化学汽相淀(?)(LCVD)技术是一种新的低温化薄膜制备技术.本文首先评述了LCVD技术的特点、原理和装置,然后着重讨论了利用这种技术制备金属、半导体与化合物和介质薄膜以及一些淀积规律,最后指出了LCVD技术尚待解决的若干问题.
关键词 光诱导 化学汽相淀积 LCVD
全文增补中
化学汽相沉积制作氧化锡电热薄膜研究
9
作者 苑平 王学铭 《郑州轻工业学院学报》 1996年第3期31-33,共3页
利用化学汽相沉积原理,使用简单设备制作氧化锡半导体薄膜。
关键词 化学汽相沉积 化合物半导体 掺杂 氧化锡 电热薄膜
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化学汽相淀积装置及其净化方法和半导体制造装置
10
《表面技术》 EI CAS CSCD 2007年第1期89-89,共1页
为了能高效率地进行保养后的净化处理,同时能可靠地知道净化处理的结束,缩短净化处理所需要的时间,进行CVD装置的恢复,在保养后的加热流通净化处理时,把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜... 为了能高效率地进行保养后的净化处理,同时能可靠地知道净化处理的结束,缩短净化处理所需要的时间,进行CVD装置的恢复,在保养后的加热流通净化处理时,把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中,多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外,为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期,按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。 展开更多
关键词 制造装置 净化方法 半导体 化学汽相淀积 腐蚀性气体 净化处理 惰性气体 气体处理
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三正丁基膦稳定的铜(Ⅰ)β-二酮配合物的合成、表征以及作为前驱物用化学汽相沉积法生长铜膜(英文)
11
作者 沈应中 Marion Leschke +3 位作者 Stefan E. Schulz Ramona Ecke Thomas Gessner Heinrich Lang 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1257-1264,共8页
合成了一系列三正丁基膦辅助配体稳定的铜髣β鄄二酮配合物,对合成的配合物用元素分析、红外、核磁共振以及热重和差热等手段进行了表征。筛选出性能优良的配合物为前驱物用化学汽相沉积(CVD)的方法生长出金属铜膜,用SEM和EDX等手段对... 合成了一系列三正丁基膦辅助配体稳定的铜髣β鄄二酮配合物,对合成的配合物用元素分析、红外、核磁共振以及热重和差热等手段进行了表征。筛选出性能优良的配合物为前驱物用化学汽相沉积(CVD)的方法生长出金属铜膜,用SEM和EDX等手段对生长的铜膜进行了表征。 展开更多
关键词 三正丁基膦 铜配合物 Β-二酮 合成 前驱物 化学汽相沉积法 铜膜 热分析 扫描电镜 ×-射线能量散射
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化学气相沉积/渗透技术综述 被引量:11
12
作者 李崇俊 马伯信 金志浩 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 1999年第1期54-58,共5页
综述了化学气相沉积(CVD)技术的最新发展,包括金属有机化合物化学气相沉积、等离子辅助化学气相沉积、激光化学气相沉积;同时介绍了三种用于制备工程材料的快速致密化化学气相渗透(CVI)技术,包括强迫流动热梯度化学气相渗... 综述了化学气相沉积(CVD)技术的最新发展,包括金属有机化合物化学气相沉积、等离子辅助化学气相沉积、激光化学气相沉积;同时介绍了三种用于制备工程材料的快速致密化化学气相渗透(CVI)技术,包括强迫流动热梯度化学气相渗透、化学液相沉积、感应加热热梯度快速致密化技术。 展开更多
关键词 化学汽相淀积 化学渗透 复合材料 陶瓷基
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APCVD生长碳化硅薄膜中汽相结晶过程的研究 被引量:3
13
作者 王剑屏 郝跃 +3 位作者 宋国乡 彭军 朱作云 张永华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期832-836,共5页
对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的常压化学汽相沉积 ( APCVD)异质外延技术进行了讨论 .在 Si C薄膜的生长过程中对 Si/ C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素 .针对水平卧式反应室 ,分析了生长过程中气流流速... 对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的常压化学汽相沉积 ( APCVD)异质外延技术进行了讨论 .在 Si C薄膜的生长过程中对 Si/ C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素 .针对水平卧式反应室 ,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布 ,指出“汽相结晶”过程对薄膜生长区 Si/ C比例有很大影响 ,从而影响了碳化硅薄膜的生长速率 。 展开更多
关键词 APCVD 碳化硅薄膜 结果 常压化学汽相淀积 异质外延 生长过程 生长速率
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金刚石薄膜的合成及相应的等离子体状态 被引量:2
14
作者 詹如娟 江习承 +2 位作者 汪学毅 尹东辉 项志遴 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1993年第2期179-182,共4页
本文报道了用热阴极直流辉光放电等离子体化学气相沉积(PCVD)方法,在单晶硅和石英玻璃基片上合成金刚石薄膜的结果。采用 X 射线衍射、Raman 散射、扫描电子显微镜和傅利叶变换红外光谱测定了合成膜的性能。初步探讨了合成金刚石条件下... 本文报道了用热阴极直流辉光放电等离子体化学气相沉积(PCVD)方法,在单晶硅和石英玻璃基片上合成金刚石薄膜的结果。采用 X 射线衍射、Raman 散射、扫描电子显微镜和傅利叶变换红外光谱测定了合成膜的性能。初步探讨了合成金刚石条件下等离子体的状态,利用朗缪尔探针诊断了在金刚石生长条件下等离子体的电子温度和密度。 展开更多
关键词 化学汽相沉积 金刚石膜 薄膜
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化学束外延在光电子技术应用中的进展
15
作者 周增圻 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期6-10,共5页
本文简要介绍了CBE技术,综述了近年来CBE在光电子技术领域内取得的进展。
关键词 化学束外延 光电子技术 化学汽相淀积 应用
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1.55μmInGaAsP及其相应量子阱结构的LP-MOCVD生长
16
作者 祝进田 胡礼中 刘式墉 《光子学报》 EI CAS CSCD 1994年第2期112-117,共6页
本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOCVD)技术在(100)InP衬底上生长InGaAsp体材料及InGaAP/InP量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓(TM63)、三甲基铟(TMh)和纯的砷烷(A8H... 本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOCVD)技术在(100)InP衬底上生长InGaAsp体材料及InGaAP/InP量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓(TM63)、三甲基铟(TMh)和纯的砷烷(A8H3)、磷烷(PH3)分别用作Ⅲ族和Ⅴ族源,在非故意掺杂情况下,InGaAsP材料的载流子浓度为3.6×1015cm-3;在液氦温度和室温下,与InP晶格匹配的InGaAsP光致发光半峰宽分别为19.2meV和63meV;对外延层的组分及厚度均匀性分别进行了转靶X光衍射仪,低温光致发光和扫描电子显微镜分析,对不同阱宽的量子阱结构材料测出了由于量子尺寸效应导致光致发光波长随阱宽增加而红移现象。 展开更多
关键词 INGAASP 量子阱 化学汽相沉积
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光辅助超高真空CVD系统制备SiGe异质结双极晶体管研究 被引量:1
17
作者 戴显英 胡辉勇 +1 位作者 张鹤鸣 孙建诚 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期509-512,共4页
介绍了采用紫外光化学汽相淀积 (UVCVD)、超高真空化学汽相淀积 (UHVCVD)和超低压化学汽相淀积 (ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积 (CVD)工艺系统 ,简称U3 CVD系统 应用该系统 ,在 4 5 0℃低温和 10 - 7Pa超高真空环境下研制出了硅锗 (Si... 介绍了采用紫外光化学汽相淀积 (UVCVD)、超高真空化学汽相淀积 (UHVCVD)和超低压化学汽相淀积 (ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积 (CVD)工艺系统 ,简称U3 CVD系统 应用该系统 ,在 4 5 0℃低温和 10 - 7Pa超高真空环境下研制出了硅锗 (SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)材料 实验表明 。 展开更多
关键词 紫外光化学汽相淀积 超高真空化学汽相淀积 超低压化学汽相淀积 异质结 硅锗材料 双极晶体管
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用拉曼波谱分析金刚石膜的内应力 被引量:14
18
作者 方亮 王万录 +2 位作者 陈星明 郭忠诚 廖克俊 《重庆大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1999年第5期79-84,共6页
对拉曼波谱测量金刚石薄膜内应力时存在的差异现象进行了分析。研究表明应力方向和晶体取向的未知,导致多晶金刚石薄膜中应力值与拉曼波谱位移量之间的比例系数难以准确选取,是造成计算出的内应力结果不一致的原因之一。
关键词 金刚石 薄膜 化学汽相沉积 拉曼波谱 内应力
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超音速状态下整流罩红外窗口的选型问题研究 被引量:15
19
作者 张云 王淑岩 +1 位作者 孙益善 熊仁生 《红外技术》 CSCD 北大核心 1999年第2期11-14,共4页
作为超音速状态下整流罩红外窗口玻璃,应具有优良的光学性能、机械性能、化学性能和热性能。从实际工程应用出发,介绍了该状态下红外窗口玻璃的选型及制作方案。
关键词 红外光学材料 化学汽相沉积 物理沉积
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MOCVD法制备一维氧化物阵列材料 被引量:5
20
作者 张跃 袁洪涛 +1 位作者 程进 宋强 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期939-943,共5页
介绍了一种新型的大气开放式金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)系统的结构及其新特点 ;以ZnO纳米棒阵列材料的制备为例 ,说明了大气开放式MOCVD法制备氧化物阵列材料的方法 ,并对氧化物阵列材料的制备过程进行了论述 ;扫描电镜研究发现这... 介绍了一种新型的大气开放式金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)系统的结构及其新特点 ;以ZnO纳米棒阵列材料的制备为例 ,说明了大气开放式MOCVD法制备氧化物阵列材料的方法 ,并对氧化物阵列材料的制备过程进行了论述 ;扫描电镜研究发现这些取向生长的氧化物一维材料均垂直于基片沿某一方向生长 ,并且排列非常规整 ,具有无晶界、晶体缺陷少、体表面积小和具有特殊的尖端等特点 ;介绍了制备VOx,FeOx,TiO2 等一元金属氧化物和ZnAlO 。 展开更多
关键词 化学汽相沉积 氧化物 一维材料 阵列材料
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