采用化学气相法自发成核的方式生长出Φ4 mm×5 mm ZnO单晶体。分析了化学气相输运机制,获得ZnO-C体系在生长过程中的压强为0.43 MPa,确定以扩散传输为主;设计了新的生长石英安瓿（锥角约为35°）,让沿较快面生长的晶核能淘汰...采用化学气相法自发成核的方式生长出Φ4 mm×5 mm ZnO单晶体。分析了化学气相输运机制,获得ZnO-C体系在生长过程中的压强为0.43 MPa,确定以扩散传输为主;设计了新的生长石英安瓿（锥角约为35°）,让沿较快面生长的晶核能淘汰其他晶胚,易长大并形成单晶;X射线衍射测试晶体生长显露面为（002）面,其回摆曲线半峰宽为18 arcsec;六边形的腐蚀蚀坑确定该面为ZnO（001）的Zn面,位错缺陷密度为103cm-2量级。晶体在368 nm处出现了较强的紫外发光峰,属带边激子跃迁;紫外透过率在450~1000 nm内达65%,截止波长为390 nm,对应禁带宽度约为3.12 e V。结果表明,采用无籽晶化学气相法生长的ZnO晶体结晶度好,质量较高。展开更多
