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化学气相输运法制备ZnO晶体 被引量:2
1
作者 韦志仁 武明晓 +6 位作者 郭树青 高平 尹利君 黄存新 张金平 张晓军 董国义 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1261-1264,共4页
采用化学气相输运法在常压开放系统中,以ZnO粉体为原料,HCl和NH3为输运气体,O2和H2O为反应气体,适度过量的HCl作为刻蚀性气体,在(0001)方向的蓝宝石籽晶片上制备了(0002)方向定向生长的ZnO晶体,且a、b轴生长速度明显高于c轴方向。以(00... 采用化学气相输运法在常压开放系统中,以ZnO粉体为原料,HCl和NH3为输运气体,O2和H2O为反应气体,适度过量的HCl作为刻蚀性气体,在(0001)方向的蓝宝石籽晶片上制备了(0002)方向定向生长的ZnO晶体,且a、b轴生长速度明显高于c轴方向。以(0002)方向的ZnO籽晶片作基片,制备了ZnO单晶厚膜,晶体呈螺旋状外延生长,正极面的单晶摇摆曲线半高宽为543.6弧秒。 展开更多
关键词 ZNO晶体 化学气相输运 摇摆曲线
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化学气相输运法(CVT)制备微米级的喇叭管状ZnO晶体 被引量:1
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作者 韦志仁 李振军 +2 位作者 高平 张利明 董国义 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第4期653-656,共4页
氧化锌为直接带隙宽禁带半导体材料,由于其优良的光电性能,预计在未来光电信息领域有着巨大的应用前景,引起了广泛的研究兴趣。
关键词 晶体 管状氧化锌 化学气相输运
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单温区管式炉气相输运生长NbSe_2超导单晶
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作者 任世伟 李傲雷 董成 《河北科技大学学报》 CAS 2015年第3期251-254,共4页
化学气相输运(CVT)生长单晶通常采用双温区管式炉。利用普通单温区管式炉中的温度梯度实现了化学气相输运,并成功生长出了Nb Se2单晶。运用扫描电子显微镜,X射线衍射仪等方法对制备的Nb Se2单晶进行了形貌和结构的表征,并测量了低温下Nb... 化学气相输运(CVT)生长单晶通常采用双温区管式炉。利用普通单温区管式炉中的温度梯度实现了化学气相输运,并成功生长出了Nb Se2单晶。运用扫描电子显微镜,X射线衍射仪等方法对制备的Nb Se2单晶进行了形貌和结构的表征,并测量了低温下Nb Se2单晶的磁化率和电阻性质。结果表明,实验上生长出来的Nb Se2单晶具有金属光泽,晶体尺寸约为2 mm×2 mm,超导转变温度和转变宽度分别为7.1 K和0.3 K,超导体积分数约为79%。因此,单温区管式炉生长晶体的方法也可用于其他功能材料单晶的制备。 展开更多
关键词 晶体学 NB Se2 单温区管式炉 化学气相输运 超导电性
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无籽晶化学气相法生长ZnO晶体 被引量:1
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作者 胡永琴 曾体贤 +4 位作者 陈太红 王茂州 彭丽萍 王雪敏 吴卫东 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1504-1508,共5页
采用化学气相法自发成核的方式生长出Φ4 mm×5 mm ZnO单晶体。分析了化学气相输运机制,获得ZnO-C体系在生长过程中的压强为0.43 MPa,确定以扩散传输为主;设计了新的生长石英安瓿(锥角约为35°),让沿较快面生长的晶核能淘汰... 采用化学气相法自发成核的方式生长出Φ4 mm×5 mm ZnO单晶体。分析了化学气相输运机制,获得ZnO-C体系在生长过程中的压强为0.43 MPa,确定以扩散传输为主;设计了新的生长石英安瓿(锥角约为35°),让沿较快面生长的晶核能淘汰其他晶胚,易长大并形成单晶;X射线衍射测试晶体生长显露面为(002)面,其回摆曲线半峰宽为18 arcsec;六边形的腐蚀蚀坑确定该面为ZnO(001)的Zn面,位错缺陷密度为103cm-2量级。晶体在368 nm处出现了较强的紫外发光峰,属带边激子跃迁;紫外透过率在450~1000 nm内达65%,截止波长为390 nm,对应禁带宽度约为3.12 e V。结果表明,采用无籽晶化学气相法生长的ZnO晶体结晶度好,质量较高。 展开更多
关键词 ZNO 无籽晶化学气相输运 透过率
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ZnSe单晶的气相生长及光学性质 被引量:1
5
作者 李焕勇 介万奇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期567-569,572,共4页
 用改进的化学气相输运技术(CVT),以Zn(NH4)3Cl5为新的气相输运剂,直接从单质Zn和Se一步在封密管中生长了ZnSe单晶,升华温度1001~1020℃,管内温差<4℃。经过两周生长,得到8mm×7mm×0.8mm的绿色ZnSe晶体。XRD表明晶体表面...  用改进的化学气相输运技术(CVT),以Zn(NH4)3Cl5为新的气相输运剂,直接从单质Zn和Se一步在封密管中生长了ZnSe单晶,升华温度1001~1020℃,管内温差<4℃。经过两周生长,得到8mm×7mm×0.8mm的绿色ZnSe晶体。XRD表明晶体表面为(111)面;受气固界面形貌影响,双晶衍射半高峰宽为50s;PL谱由DPA和SA两个发光峰组成;并研究了晶体片的吸收光谱、荧光光谱、反射光谱和红外透过等光学性质。 展开更多
关键词 化学气相输运 光学性质 ZnSe单晶 生长
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同质外延生长ZnO单晶结构及光电性能的研究 被引量:1
6
作者 刘振华 樊龙 +3 位作者 符亚军 王进 曹林洪 吴卫东 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第4期768-775,共8页
本文报道了同质外延生长氧化锌(ZnO)单晶在高温氧气气氛退火前后的结构及光电特性。利用化学气相输运(CVT)法生长了红棕色的ZnO单晶,且进行高温氧气气氛退火处理后的ZnO单晶呈现无色透明状。通过X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS... 本文报道了同质外延生长氧化锌(ZnO)单晶在高温氧气气氛退火前后的结构及光电特性。利用化学气相输运(CVT)法生长了红棕色的ZnO单晶,且进行高温氧气气氛退火处理后的ZnO单晶呈现无色透明状。通过X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、能谱仪(EDS)和拉曼(Raman)光谱测试分析了高温氧气气氛退火前后的ZnO单晶结构,讨论了退火对单晶内部缺陷类型及结构的影响。XRD测试表明ZnO单晶的生长方向为(002)方向。退火前后ZnO单晶的ω摇摆曲线半高宽分别为59″和31″,表明退火后单晶内缺陷显著减少;XPS和EDS能谱分析了退火前后ZnO单晶的成分和元素价态,结果表明高温氧气气氛处理后单晶内Zn和O元素含量比更接近理论值;通过Raman光谱分析了高温氧气气氛处理前后ZnO单晶的不同拉曼振动模式;通过紫外光谱数据分析,得到了退火前后ZnO单晶的光学禁带宽度分别为3.05 eV和3.2 eV;最后,通过Hall测试分析了高温氧气气氛退火处理前后ZnO单晶的电学性能参数,并深入讨论了退火前后ZnO单晶的低温电输运特性。 展开更多
关键词 ZNO 化学气相输运 晶格氧 禁带宽度 载流子浓度 Hall效应
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利用真空固态反应合成高质量二维过渡金属二硫化物晶体及其应用 被引量:1
7
作者 段瑞焕 邓娅 +1 位作者 杨杰夫 刘政 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期1-21,共21页
二维过渡金属二硫化物(TMD)晶体由于其结构的多样性和独特的性质备受关注。真空固态反应法是生长高质量二维TMD晶体的一种强有力工具,此方法大大推动了基于二维TMD晶体的基础研究和应用探索。在这篇综述中,我们总结了在真空系统中生长... 二维过渡金属二硫化物(TMD)晶体由于其结构的多样性和独特的性质备受关注。真空固态反应法是生长高质量二维TMD晶体的一种强有力工具,此方法大大推动了基于二维TMD晶体的基础研究和应用探索。在这篇综述中,我们总结了在真空系统中生长高质量二维TMD晶体的方法,并讨论了影响二维TMD晶体尺寸、质量、形态和多型性的因素。我们还简要讨论了二维TMD晶体的物理性质及各种应用。最后,对真空固态反应法在二维TMD晶体生长中的应用进行了展望。 展开更多
关键词 过渡金属二硫化合物 化学气相输运 助熔剂法 固态反应
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低位错ZnSe单晶的生长 被引量:4
8
作者 张旭 李卫 +2 位作者 张力强 丁进 王坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期385-387,共3页
采用化学气相输运法(CVT)在适合的温度和I2含量的条件下,生长出了25mm×3mm的ZnSe单晶,位错密度为6.5×103个/cm2。对ZnSe单晶进行光学性能分析,在10.6μm处的透过率超过70%,在10.6μm处的吸收系数为7.72×10-4/cm。
关键词 ZnSe单晶 化学气相输运 位错密度
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基于SnSe_(2.37)薄膜材料的高性能近红外光电探测器
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作者 祝新发 孟宪成 +5 位作者 刘哲 贺彪 段伟帅 孙春 王蒙军 范超 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第3期204-212,共9页
二维材料二硒化锡(SnSe_(2))具有高迁移率、高光吸收率和窄带隙的特点,被视为近红外(NIR)光电探测器的候选材料。然而SnSe_(2)在制备和生长的过程中会产生一定数量的硒空位,对SnSe_(2)近红外光电探测器的性能造成不利的影响。首先采用... 二维材料二硒化锡(SnSe_(2))具有高迁移率、高光吸收率和窄带隙的特点,被视为近红外(NIR)光电探测器的候选材料。然而SnSe_(2)在制备和生长的过程中会产生一定数量的硒空位,对SnSe_(2)近红外光电探测器的性能造成不利的影响。首先采用化学气相输运(CVT)法制备硒过量的二硒化锡(SnSe_(2.37))单晶,X射线光电子能谱(XPS)结果表明,Sn和Se的原子数比约为1∶2.37。然后通过机械剥离法从高品质的单晶上分离出横向尺寸为14μm×37μm且厚度为2 nm的SnSe_(2.37)薄膜材料。最后使用光刻图形转移法制备高性能的NIR光电探测器。经过测试,该NIR光电探测器对850 nm的近红外光表现出优异的光电探测性能,其中响应度可达2820 A·W^(-1),归一化探测率为1.02×10^(13)Jones,外量子效率为4.12×10^(5)%,响应时间为15 ms。 展开更多
关键词 二硒化锡(SnSe_(2)) 化学气相输运(CVT)法 光刻图形转移法 二维材料 近红外光电探测
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