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氨气浓度对碳纳米管生长影响的研究
被引量：
7
1
作者
王必本
张兵
+5 位作者
郑坤
郝伟
王国菊
王波
朱满康
严辉
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期100-104,共5页
利用等离子体增强化学气相沉积系统,用CH4、NH3和H2为反应气体,在沉积有100nm厚Ta过渡层和60nm厚NiFe催化剂层的Si衬底上制备了碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长和结构。结果表明当氨气浓度为20%、40%和60%时,碳纳米管的平...
利用等离子体增强化学气相沉积系统,用CH4、NH3和H2为反应气体,在沉积有100nm厚Ta过渡层和60nm厚NiFe催化剂层的Si衬底上制备了碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长和结构。结果表明当氨气浓度为20%、40%和60%时,碳纳米管的平均长度分别为3.88μm、4.52μm和6.79μm,而其平均直径变化不大,均在240nm左右。最后,分析讨论了氨气浓度对碳纳米管生长和结构的影响。
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关键词
氨
气
浓度
碳纳米管
生长速率
化学气相沉积系统
反应
气
体
过渡层
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职称材料
基于有限体积法的MOCVD系统反应室的设计
被引量：
6
2
作者
秦琦
周凯
+2 位作者
莫晓亮
田振夫
陈国荣
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期457-462,共6页
金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)系统是制备GaN等半导体薄膜材料和激光器、LED等光电子器件的主要手段,制备出的材料和器件的品质直接依赖于MOCVD系统。本文基于有限体积法,利用商业软件Fluent对自行设计的一种MOCVD反应室内的温度...
金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)系统是制备GaN等半导体薄膜材料和激光器、LED等光电子器件的主要手段,制备出的材料和器件的品质直接依赖于MOCVD系统。本文基于有限体积法,利用商业软件Fluent对自行设计的一种MOCVD反应室内的温度分布和流场进行数值模拟。希望通过对模拟流场品质的细致分析,对MOCVD反应室的设计和优化起到指导与参考作用。
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关键词
GAN
金属有机化合物
化学气相沉积系统
数值模拟
有限体积法
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职称材料
EACVD小型化系统摆动衬底设计及温度场仿真研究
被引量：
4
3
作者
王鸿翔
左敦稳
+1 位作者
卢文壮
林欢庆
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期580-584,共5页
对传统的电子辅助化学气相沉积(EACVD)系统连续转动衬底进行改进,设计了无急回特性的曲柄摇杆机构摆动衬底,解决了原衬底结构复杂,只能单点测温,以及衬底冷却水渗漏等问题;对摆动衬底的温度场进行仿真计算,分析了不同摆动参数对衬底温...
对传统的电子辅助化学气相沉积(EACVD)系统连续转动衬底进行改进,设计了无急回特性的曲柄摇杆机构摆动衬底,解决了原衬底结构复杂,只能单点测温,以及衬底冷却水渗漏等问题;对摆动衬底的温度场进行仿真计算,分析了不同摆动参数对衬底温度场的影响,结果表明,选用合适的摆动参数可以获得比较均匀的衬底温度场。仿真结果可以为衬底摆动机构的设计提供理论依据。
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关键词
电子辅助
化学
气
相
沉积
(EACVD)小型化
系统
摆动衬底
无急回特性
温度场
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职称材料
题名
氨气浓度对碳纳米管生长影响的研究
被引量：
7
1
作者
王必本
张兵
郑坤
郝伟
王国菊
王波
朱满康
严辉
机构
北京工业大学应用数理学院
北京工业大学量子材料实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期100-104,共5页
文摘
利用等离子体增强化学气相沉积系统,用CH4、NH3和H2为反应气体,在沉积有100nm厚Ta过渡层和60nm厚NiFe催化剂层的Si衬底上制备了碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长和结构。结果表明当氨气浓度为20%、40%和60%时,碳纳米管的平均长度分别为3.88μm、4.52μm和6.79μm,而其平均直径变化不大,均在240nm左右。最后,分析讨论了氨气浓度对碳纳米管生长和结构的影响。
关键词
氨
气
浓度
碳纳米管
生长速率
化学气相沉积系统
反应
气
体
过渡层
Keywords
carbon nanotubes
ammonia concentration
growth rate
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
O631 [理学—高分子化学]
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职称材料
题名
基于有限体积法的MOCVD系统反应室的设计
被引量：
6
2
作者
秦琦
周凯
莫晓亮
田振夫
陈国荣
机构
复旦大学力学与工程科学系
复旦大学材料科学系
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期457-462,共6页
基金
上海市科学技术发展基金资助项目(09DZ1142102)
上海市教育委员会科研创新项目(11ZZ02)
+1 种基金
教育部留学回国人员科研启动基金资助项目
国家自然科学基金资助项目(10972058)
文摘
金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)系统是制备GaN等半导体薄膜材料和激光器、LED等光电子器件的主要手段,制备出的材料和器件的品质直接依赖于MOCVD系统。本文基于有限体积法,利用商业软件Fluent对自行设计的一种MOCVD反应室内的温度分布和流场进行数值模拟。希望通过对模拟流场品质的细致分析,对MOCVD反应室的设计和优化起到指导与参考作用。
关键词
GAN
金属有机化合物
化学气相沉积系统
数值模拟
有限体积法
Keywords
GaN MOCVD system, Numerical simulation, FVM
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
EACVD小型化系统摆动衬底设计及温度场仿真研究
被引量：
4
3
作者
王鸿翔
左敦稳
卢文壮
林欢庆
机构
南京航空航天大学
出处
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期580-584,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(50605032)
江苏省自然科学基金资助项目(BK2007193)
文摘
对传统的电子辅助化学气相沉积(EACVD)系统连续转动衬底进行改进,设计了无急回特性的曲柄摇杆机构摆动衬底,解决了原衬底结构复杂,只能单点测温,以及衬底冷却水渗漏等问题;对摆动衬底的温度场进行仿真计算,分析了不同摆动参数对衬底温度场的影响,结果表明,选用合适的摆动参数可以获得比较均匀的衬底温度场。仿真结果可以为衬底摆动机构的设计提供理论依据。
关键词
电子辅助
化学
气
相
沉积
(EACVD)小型化
系统
摆动衬底
无急回特性
温度场
Keywords
miniature EACVD （ electron -- assisted chemical vapor deposite） system
swing substrate
no--fast--return＇s peculiarity
temperature field
分类号
TG174.44 [金属学及工艺—金属表面处理]
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氨气浓度对碳纳米管生长影响的研究
王必本
张兵
郑坤
郝伟
王国菊
王波
朱满康
严辉
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于有限体积法的MOCVD系统反应室的设计
秦琦
周凯
莫晓亮
田振夫
陈国荣
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
EACVD小型化系统摆动衬底设计及温度场仿真研究
王鸿翔
左敦稳
卢文壮
林欢庆
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
4
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职称材料
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