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籽晶辅助化学气相传输法生长ZnO单晶的特征研究
被引量:
1
1
作者
张华伟
施尔畏
+2 位作者
陈之战
严成锋
陈博源
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期907-910,共4页
采用籽晶辅助化学气相传输法生长得到φ32mm ZnO单晶体.X射线衍射表明晶体沿c轴方向生长。结晶质量较好,中心部位摇摆曲线半高宽47arcsec,边缘部分为78.4arcsec.利用Rainan谱、光致发光谱等研究了ZnO晶体退火前后的缺陷和光学性质,表明...
采用籽晶辅助化学气相传输法生长得到φ32mm ZnO单晶体.X射线衍射表明晶体沿c轴方向生长。结晶质量较好,中心部位摇摆曲线半高宽47arcsec,边缘部分为78.4arcsec.利用Rainan谱、光致发光谱等研究了ZnO晶体退火前后的缺陷和光学性质,表明经氧气氛退火后晶体缺陷明显减少,晶体质量进一步提高.
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关键词
氧化锌
化学气相传输法
摇摆曲线
拉曼光谱
光致发光谱
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职称材料
黑磷制备工艺研究进展
2
作者
李永翔
刘晨曦
+5 位作者
李云东
马航
梅连平
党辉
孙智
万邦隆
《无机盐工业》
北大核心
2025年第3期18-29,共12页
近年来,黑磷(BP)作为一种概念上全新的二维层状材料,由于其独特的结构及优秀的物化性质,如比表面积大、各向异性高、光吸收宽、载流子迁移率高等,在半导体、电化学、太阳能电池、光催化、阻燃、生物医学等领域有着良好的发展潜力。由于...
近年来,黑磷(BP)作为一种概念上全新的二维层状材料,由于其独特的结构及优秀的物化性质,如比表面积大、各向异性高、光吸收宽、载流子迁移率高等,在半导体、电化学、太阳能电池、光催化、阻燃、生物医学等领域有着良好的发展潜力。由于黑磷的高成本限制了其进一步发展和应用,研究黑磷制备工艺成为了当下热点。对黑磷制备工艺进行了系统的综述,首先介绍了黑磷的物化性质及应用领域;其次介绍了黑磷的制备方法,包括高压法、机械球磨法、溶剂热法、铋熔化法、汞回流法、化学气相传输法(CVT)等;着重介绍了CVT的优化过程及机理研究;最后总结归纳了不同制备工艺的优缺点,并展望了其未来发展方向。
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关键词
黑磷
二维材料
制备工艺
化学气相传输法
机理研究
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职称材料
InSeI单晶的制备及其结构与性能研究
3
作者
周玄
程国峰
何代华
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第12期2252-2255,共4页
利用化学气相传输法(CVT)制备了InSeI单晶。该晶体为黄色的针状物,晶体较脆。在室温下进行X射线衍射分析发现,其属于四方晶系,晶胞参数为a=b=1.8643(5)nm,c=1.0120(3)nm,V=3.5172 nm^3,空间群为I 41/a。紫外可见光吸收光谱、光致发光光...
利用化学气相传输法(CVT)制备了InSeI单晶。该晶体为黄色的针状物,晶体较脆。在室温下进行X射线衍射分析发现,其属于四方晶系,晶胞参数为a=b=1.8643(5)nm,c=1.0120(3)nm,V=3.5172 nm^3,空间群为I 41/a。紫外可见光吸收光谱、光致发光光谱等结果显示该晶体的禁带宽度是2.48 eV,在一定波段光的激发下,InSeI单晶在600 nm左右有较宽的发射峰,表明该晶体的发光方式为缺陷态发光。介电温谱表明InSeI单晶在440 K时其四方相的结构发生了相变。
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关键词
InSeI
金属基硫卤化合物
化学气相传输法
光致发光
禁带宽度
介电性能
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职称材料
外尔半金属TaAs单晶的研究进展
被引量:
1
4
作者
李雨萌
田甜
徐家跃
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第15期120-125,共6页
外尔半金属是当两个自旋非简并能带在三维动量空间通过费米能级附近时,其低能准粒子激发具有外尔费米子的所有特征的一类材料体系。外尔费米子是狄拉克方程的无质量解,可以看作是在三维空间一对重叠在一起且具有相反手性的粒子。TaAs单...
外尔半金属是当两个自旋非简并能带在三维动量空间通过费米能级附近时,其低能准粒子激发具有外尔费米子的所有特征的一类材料体系。外尔费米子是狄拉克方程的无质量解,可以看作是在三维空间一对重叠在一起且具有相反手性的粒子。TaAs单晶作为一种非磁性的外尔半金属,在其中能够观测到外尔费米子,并产生许多奇异的物理现象,如费米弧、负磁阻效应、量子反常霍尔效应等,使其在发展新型电子器件和拓扑量子计算等领域有着重要应用潜力。介绍了外尔半金属的相关基础理论和重要实验,重点探讨了TaAs单晶生长相关的技术问题,分析了化学气相传输法的优缺点。
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关键词
外尔半金属
TaAs单晶
晶体生长
化学气相传输法
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职称材料
题名
籽晶辅助化学气相传输法生长ZnO单晶的特征研究
被引量:
1
1
作者
张华伟
施尔畏
陈之战
严成锋
陈博源
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期907-910,共4页
文摘
采用籽晶辅助化学气相传输法生长得到φ32mm ZnO单晶体.X射线衍射表明晶体沿c轴方向生长。结晶质量较好,中心部位摇摆曲线半高宽47arcsec,边缘部分为78.4arcsec.利用Rainan谱、光致发光谱等研究了ZnO晶体退火前后的缺陷和光学性质,表明经氧气氛退火后晶体缺陷明显减少,晶体质量进一步提高.
关键词
氧化锌
化学气相传输法
摇摆曲线
拉曼光谱
光致发光谱
Keywords
ZnO
chemical vapor transport method
X-ray rocking curve
Raman spectrum
photoluminescence
分类号
O794 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
黑磷制备工艺研究进展
2
作者
李永翔
刘晨曦
李云东
马航
梅连平
党辉
孙智
万邦隆
机构
云南云天化股份有限公司研发中心
西安交通大学
出处
《无机盐工业》
北大核心
2025年第3期18-29,共12页
文摘
近年来,黑磷(BP)作为一种概念上全新的二维层状材料,由于其独特的结构及优秀的物化性质,如比表面积大、各向异性高、光吸收宽、载流子迁移率高等,在半导体、电化学、太阳能电池、光催化、阻燃、生物医学等领域有着良好的发展潜力。由于黑磷的高成本限制了其进一步发展和应用,研究黑磷制备工艺成为了当下热点。对黑磷制备工艺进行了系统的综述,首先介绍了黑磷的物化性质及应用领域;其次介绍了黑磷的制备方法,包括高压法、机械球磨法、溶剂热法、铋熔化法、汞回流法、化学气相传输法(CVT)等;着重介绍了CVT的优化过程及机理研究;最后总结归纳了不同制备工艺的优缺点,并展望了其未来发展方向。
关键词
黑磷
二维材料
制备工艺
化学气相传输法
机理研究
Keywords
black phosphorus
two dimensional materials
preparation process
chemical vapor transfer method
mechanism research
分类号
TQ126.3 [化学工程—无机化工]
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职称材料
题名
InSeI单晶的制备及其结构与性能研究
3
作者
周玄
程国峰
何代华
机构
上海理工大学材料科学与工程学院
中国科学院上海硅酸盐研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第12期2252-2255,共4页
基金
上海市科委科研计划(19DZ2290700)
太仓市大院大所创新引领专项(TC2019DYDS01)
上海市科技创新技术标准项目(20DZ2205600)。
文摘
利用化学气相传输法(CVT)制备了InSeI单晶。该晶体为黄色的针状物,晶体较脆。在室温下进行X射线衍射分析发现,其属于四方晶系,晶胞参数为a=b=1.8643(5)nm,c=1.0120(3)nm,V=3.5172 nm^3,空间群为I 41/a。紫外可见光吸收光谱、光致发光光谱等结果显示该晶体的禁带宽度是2.48 eV,在一定波段光的激发下,InSeI单晶在600 nm左右有较宽的发射峰,表明该晶体的发光方式为缺陷态发光。介电温谱表明InSeI单晶在440 K时其四方相的结构发生了相变。
关键词
InSeI
金属基硫卤化合物
化学气相传输法
光致发光
禁带宽度
介电性能
Keywords
InSeI
metal based thiohalide
chemical vapor transport method
photoluminescence
band gap
dielectric property
分类号
O78 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
外尔半金属TaAs单晶的研究进展
被引量:
1
4
作者
李雨萌
田甜
徐家跃
机构
上海应用技术大学材料科学与工程学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第15期120-125,共6页
基金
国家自然科学基金(51572175)
上海高校青年教师培养资助计划项目(ZZyy15087)
江苏省博士后科研资助计划(1501131C)
文摘
外尔半金属是当两个自旋非简并能带在三维动量空间通过费米能级附近时,其低能准粒子激发具有外尔费米子的所有特征的一类材料体系。外尔费米子是狄拉克方程的无质量解,可以看作是在三维空间一对重叠在一起且具有相反手性的粒子。TaAs单晶作为一种非磁性的外尔半金属,在其中能够观测到外尔费米子,并产生许多奇异的物理现象,如费米弧、负磁阻效应、量子反常霍尔效应等,使其在发展新型电子器件和拓扑量子计算等领域有着重要应用潜力。介绍了外尔半金属的相关基础理论和重要实验,重点探讨了TaAs单晶生长相关的技术问题,分析了化学气相传输法的优缺点。
关键词
外尔半金属
TaAs单晶
晶体生长
化学气相传输法
Keywords
Weyl semimetal
TaAs single crystal
crystal growth
chemical vapor transport method
分类号
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
籽晶辅助化学气相传输法生长ZnO单晶的特征研究
张华伟
施尔畏
陈之战
严成锋
陈博源
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
黑磷制备工艺研究进展
李永翔
刘晨曦
李云东
马航
梅连平
党辉
孙智
万邦隆
《无机盐工业》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
InSeI单晶的制备及其结构与性能研究
周玄
程国峰
何代华
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
外尔半金属TaAs单晶的研究进展
李雨萌
田甜
徐家跃
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
1
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职称材料
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