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蓝宝石衬底的化学机械抛光技术的研究被引量：37: 1; 作者王银珍周圣明徐军《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期441-447,共7页; 介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺 ,概述了化学机械抛光原理和设备 ,讨论分析了影响蓝宝石衬底化学机械抛光的因素 ,阐述了CMP的主要发展趋势 :能定量确定最佳CMP工艺 ,系统地研究CMP工艺过程参数 ,建立完善的CMP理论模型 ,满足不同... 展开更多; 关键词化学机械抛光技术蓝宝石衬底 CMP 抛光方法抛光机; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于超精密硅晶片表面的化学机械抛光(CMP)技术研究被引量：17: 2; 作者梅燕韩业斌聂祚仁《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期206-212,共7页; 化学机械抛光(CMP)技术作为目前唯一的可以提供在整个圆硅晶片上全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到了半导体领域。重点叙述了CMP技术背景、设备、抛光原理、发展现状、存在的问题以及未来的发展趋势。; 关键词化学机械抛光(CMP)技术浆料硅片; 在线阅读下载PDF 职称材料

影响CMP用纳米Al_2O_3磨粒粒度均一性的因素及其机理被引量：3: 3; 作者何捍卫胡岳华 +1 位作者黄可龙徐竞《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期42-45,共4页; 系统地研究了制备CMP用纳米γ Al2 O3 磨粒时影响粒度及其均一性的各种因素 ,并对其机理进行了探讨。确定了控制粒度及粒度均一性的最佳条件 ,制得了均一性好的γ Al2 O3; 关键词 CMP 粒度均一性化学机械抛光技术氧化铝磨粒; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	蓝宝石衬底的化学机械抛光技术的研究	王银珍周圣明徐军	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	37	在线阅读下载PDF 职称材料
2	用于超精密硅晶片表面的化学机械抛光(CMP)技术研究	梅燕韩业斌聂祚仁	《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心	2006	17	在线阅读下载PDF 职称材料
3	影响CMP用纳米Al_2O_3磨粒粒度均一性的因素及其机理	何捍卫胡岳华黄可龙徐竞	《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心	2002	3	在线阅读下载PDF 职称材料