碱性铜粗抛液中氧化剂对化学机械平坦化的影响 被引量：1

1

作者 王月霞 刘玉岭 +1 位作者 王辰伟 闫辰奇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期770-774,共5页

针对不含腐蚀抑制剂苯并三氮唑(BTA)的碱性铜粗抛液,通过对3英寸(1英寸=2.54 cm)铜片上的动态抛光速率和静态腐蚀速率的研究来模拟评估氧化剂对晶圆表面平坦化的影响。在12英寸铜镀膜片和TM1图形片上分别研究氧化剂体积分数对表面平坦... 针对不含腐蚀抑制剂苯并三氮唑(BTA)的碱性铜粗抛液,通过对3英寸(1英寸=2.54 cm)铜片上的动态抛光速率和静态腐蚀速率的研究来模拟评估氧化剂对晶圆表面平坦化的影响。在12英寸铜镀膜片和TM1图形片上分别研究氧化剂体积分数对表面平坦化的影响。实验结果表明:动态抛光速率和静态腐蚀速率均随着氧化剂体积分数的增加先逐渐增大,达到最大值,然后下降,趋于平缓。片内非均匀性和剩余高低差均随H2O2体积分数的增加,先呈下降趋势,后缓慢上升。当氧化剂体积分数为3%时,动态去除速率(vRR)为398.988 nm/min,静态腐蚀速率vER为6.834 nm/min,vRR/vER比值最大,片内非均匀性最小为3.82%,台阶高低差最小为104.6 nm/min,此时晶圆片有较好的平坦化效果。 展开更多

关键词 化学机械平坦化(cmp) 碱性抛光液 铜粗抛(P1) 片内非均匀性(WIWNU) 剩余高低差

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ULSI化学机械抛光(CMP)材料去除机制模型 被引量：2

2

作者 钟旻 张楷亮 +1 位作者 宋志棠 封松林 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期170-173,共4页

CMP已成为IC制造中的关键工艺之一,相关机制模型的研究是当前CMP的热点。综述了考虑抛光液的流动、抛光垫的弹性和硬度、研磨颗粒的大小和硬度等不同因素的机制模型,并对基于不同假设的模型作了分析和比较。最后对CMP模型未来的发展和... CMP已成为IC制造中的关键工艺之一,相关机制模型的研究是当前CMP的热点。综述了考虑抛光液的流动、抛光垫的弹性和硬度、研磨颗粒的大小和硬度等不同因素的机制模型,并对基于不同假设的模型作了分析和比较。最后对CMP模型未来的发展和研究方向提出了展望。 展开更多

关键词 化学机械抛光 平坦化 材料去除机制 模型 集成电路

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二氧化铈研磨液在化学机械平坦化中的应用 被引量：5

3

作者 许怀 程秀兰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期657-660,共4页

当集成电路的特征尺寸小于0.25μm时,浅沟道隔离(STI)逐渐成为CMOS工艺器件隔离的标准工艺技术。相比较于硅石(silica)研磨液,二氧化铈(CeO2)研磨液由于其比较高的研磨速度、高的选择比和自动停止的特性,而广泛地应用于直接的浅沟道隔离... 当集成电路的特征尺寸小于0.25μm时,浅沟道隔离(STI)逐渐成为CMOS工艺器件隔离的标准工艺技术。相比较于硅石(silica)研磨液,二氧化铈(CeO2)研磨液由于其比较高的研磨速度、高的选择比和自动停止的特性,而广泛地应用于直接的浅沟道隔离(DSTI)化学机械平坦化(CMP)工艺中。在简要介绍了CMP的一些基本知识后,着重介绍了CeO2研磨液的特性及其在直接的浅沟槽隔离化学机械平坦化(DSTI-CMP)中的应用。 展开更多

关键词 二氧化铈 研磨液 浅沟道隔离 直接浅沟道隔离 化学机械平坦化

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新型碱性抛光液各组分对铜化学机械平坦化性能的影响 被引量：2

4

作者 田胜骏 王胜利 +3 位作者 王辰伟 王彦 田骐源 腰彩虹 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第12期923-928,共6页

随着集成电路特征尺寸的减小、晶圆尺寸的增大以及布线层的逐渐增多,加工晶圆过程中实现较高的材料去除速率、较小的片内非一致性(WIWNU)及较小的表面粗糙度已经成为铜化学机械抛光工艺的几大难点。采用正交实验法选取5组抛光液进行Cu ... 随着集成电路特征尺寸的减小、晶圆尺寸的增大以及布线层的逐渐增多,加工晶圆过程中实现较高的材料去除速率、较小的片内非一致性(WIWNU)及较小的表面粗糙度已经成为铜化学机械抛光工艺的几大难点。采用正交实验法选取5组抛光液进行Cu CMP实验,系统研究了含有双氧水、脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)、FA/OⅠ型螯合剂与苯骈三氮唑(BTA)的碱性抛光液化学组分对铜去除速率、WIWNU的影响,并对铜CMP的各种变化规律做出机理分析。结果表明:采用pH值约为8.6,体积分数为3%的H_2O_2,质量分数为0.08%的非离子表面活性剂AEO与体积分数为1.5%的螯合剂的碱性抛光液,在12英寸(1英寸=2.54 cm)铜镀膜片抛光后有助于去除速率达到629.1 nm/min,片内非一致性达到4.7%,粗糙度达到1.88 nm。 展开更多

关键词 片内非一致性 螯合剂 活性剂 化学机械平坦化 表面粗糙度

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化学机械抛光中的硅片夹持技术 被引量：18

5

作者 孙禹辉 康仁科 +2 位作者 郭东明 金洙吉 苏建修 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期10-14,共5页

目前半导体制造技术已经进入0.13mm时代,化学机械抛光(CMP)已经成为IC制造中不可缺少的技术。本文描述了下一代IC对大尺寸硅片(≥300mm)局部和全局平坦化精度的要求,介绍了目前工业发达国家在化学机械抛光加工中硅片夹持技术方面的研究... 目前半导体制造技术已经进入0.13mm时代,化学机械抛光(CMP)已经成为IC制造中不可缺少的技术。本文描述了下一代IC对大尺寸硅片(≥300mm)局部和全局平坦化精度的要求,介绍了目前工业发达国家在化学机械抛光加工中硅片夹持技术方面的研究现状,分析了当前硅片夹持技术中存在的问题,并指出了未来大尺寸硅片超精密平坦化加工中夹持与定位技术的发展趋势。 展开更多

关键词 化学机械抛光 集成电路 硅片夹持 超精密平坦化

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化学机械抛光技术及SiO_2抛光浆料研究进展 被引量：6

6

作者 宋晓岚 吴雪兰 +2 位作者 王海波 曲鹏 邱冠周 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第12期22-25,共4页

随着半导体工业和集成电路(IC)工艺的飞速发展,化学机械抛光(CMP)作为目前唯一能提供超大规模集成电路(VLSI)制造过程中全面平坦化的一种新技术,已成为各国争相研究的热点。介绍了CMP技术的产生、优势、发展、理论、设备与耗材;着重介绍... 随着半导体工业和集成电路(IC)工艺的飞速发展,化学机械抛光(CMP)作为目前唯一能提供超大规模集成电路(VLSI)制造过程中全面平坦化的一种新技术,已成为各国争相研究的热点。介绍了CMP技术的产生、优势、发展、理论、设备与耗材;着重介绍了SiO_2浆料的国内外研究现状,并展望了CMP技术及SiO_2浆料的研究开发和应用前景。 展开更多

关键词 化学机械抛光 cmp技术 平坦化 超大规模集成电路 VLSI IC SiO2 发展 半导体工业 国内外

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大直径硅晶片化学机械抛光及其终点检测技术的研究与应用 被引量：10

7

作者 罗余庆 康仁科 +1 位作者 郭东明 金洙吉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期24-29,37,共7页

化学机械抛光是硅片全局平坦化的核心技术,然而在实用阶段上,这项技术还受限于一些制造系统整合上的问题,其中有效的终点检测系统是影响抛光成效的重要关键。若未能有效地监测抛光运作,便无法避免硅片产生抛光过度或不足的缺陷。本文在... 化学机械抛光是硅片全局平坦化的核心技术,然而在实用阶段上,这项技术还受限于一些制造系统整合上的问题,其中有效的终点检测系统是影响抛光成效的重要关键。若未能有效地监测抛光运作,便无法避免硅片产生抛光过度或不足的缺陷。本文在介绍CMP机制与应用的基础上,系统分析了CMP终点检测技术的研究现状及存在的问题。 展开更多

关键词 大直径硅晶片 化学机械抛光 终点检测 平坦化

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铜布线化学机械抛光技术分析 被引量：5

8

作者 李秀娟 金洙吉 +2 位作者 苏建修 康仁科 郭东明 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期896-901,共6页

对用于甚大规模集成电路(ULSI)制造的关键平坦化工艺———铜化学机械抛光(CMP)技术进行了讨论。着重分析了铜化学机械抛光的抛光过程和相关的影响因素;根据现有的研究成果主要介绍了铜化学机械抛光的化学材料去除机理;在分析抛光液组... 对用于甚大规模集成电路(ULSI)制造的关键平坦化工艺———铜化学机械抛光(CMP)技术进行了讨论。着重分析了铜化学机械抛光的抛光过程和相关的影响因素;根据现有的研究成果主要介绍了铜化学机械抛光的化学材料去除机理;在分析抛光液组成成分的基础上,总结了现有的以H2O2 为氧化剂的抛光液和其他酸性、碱性抛光液以及抛光液中腐蚀抑制剂的研究情况;指出了铜化学机械抛光今后的研究重点。 展开更多

关键词 技术分析 化学机械抛光(cmp) 铜布线 甚大规模集成电路 材料去除机理 腐蚀抑制剂 碱性抛光液 研究成果 组成成分 H2O2 研究情况 研究重点 平坦化 重分析 氧化剂

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化学机械抛光的理论模型研究综述 被引量：4

9

作者 黄传锦 周海 陈西府 《机械设计与制造》 北大核心 2010年第11期256-258,共3页

化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是当今唯一能够提供全局平面化的技术,其抛光机理的研究是当前的热点。综述了考虑抛光液和抛光垫特性的抛光机理模型,分析了各模型的相关特点,最后对CMP模型的发展和研究方向提出展望。

关键词 化学机械抛光 平坦化 抛光率 抛光垫

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化学机械抛光中的接触状态研究概述 被引量：11

10

作者 张朝辉 耿旭 +2 位作者 李梓万 王智源 鲁智德 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期50-56,共7页

化学机械抛光是获取高表面平整度的有效关键技术,获得了广泛的研究和应用,其表面材料的去除作用依赖于所处的真实接触状态。归纳了抛光垫/晶圆相互作用的形式,即相互滑过而没有直接接触、混合润滑和直接接触。分析了接触状态及其转变过... 化学机械抛光是获取高表面平整度的有效关键技术,获得了广泛的研究和应用,其表面材料的去除作用依赖于所处的真实接触状态。归纳了抛光垫/晶圆相互作用的形式,即相互滑过而没有直接接触、混合润滑和直接接触。分析了接触状态及其转变过程中的影响因素,包括抛光垫的变形、釉化和磨损,抛光液中磨粒的影响及表面活性剂对钝化层厚度的改变等。重点总结了化学机械抛光中接触状态问题的研究进展,包括光学显微镜测量计算接触面积比、薄膜传感器测量接触面积比、利用双发射激光诱导荧光技术测量抛光液厚度、抛光垫表面形貌演变对材料去除速率的建模等方法的特点及存在的问题。最后提出了纳米间隙测量技术测量化学机械抛光中接触率动态变化,从而得到真实接触状态和接触状态转变规律的新思路。 展开更多

关键词 化学机械抛光 接触状态 平坦化 材料去除 纳米间隙测量

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三氯化铁-草酸体系不锈钢化学机械抛光液设计与优化

11

作者 王泽宇 彭亚男 +1 位作者 苏建修 陈佳鹏 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2023年第4期497-503,共7页

为提高柔性显示衬底不锈钢箔片化学机械抛光加工效率,研制一种三氯化铁-草酸型抛光液并用于304不锈钢衬底的化学机械抛光加工过程。设计正交优化试验,确定磨粒粒径、磨料含量、草酸含量和三氯化铁含量对材料去除率和表面粗糙度(S_(a))... 为提高柔性显示衬底不锈钢箔片化学机械抛光加工效率,研制一种三氯化铁-草酸型抛光液并用于304不锈钢衬底的化学机械抛光加工过程。设计正交优化试验,确定磨粒粒径、磨料含量、草酸含量和三氯化铁含量对材料去除率和表面粗糙度(S_(a))的影响显著性顺序,并重点探究三氯化铁和草酸对材料去除率的影响规律。利用优化后的抛光液精抛304不锈钢,其材料去除率高于560 nm/min,抛光30 min后Sa低于8 nm。相比现有抛光液的材料去除效率(226.56 nm/min),新抛光液的加工效率提升超过1倍。 展开更多

关键词 化学机械平坦化 304不锈钢 三氯化铁-草酸 材料去除率 表面粗糙度

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金刚石化学机械抛光研究现状 被引量：10

12

作者 袁菘 郭晓光 +2 位作者 金洙吉 康仁科 郭东明 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期11-22,共12页

金刚石由于其独特的性质成为未来科技的重要材料,但较差的表面质量会影响其在高科技领域的应用,因此实现金刚石超精密加工是提高金刚石应用的关键。化学机械抛光(CMP)是集成电路中获得全局平坦化的一项重要工艺,能够实现金刚石的超精密... 金刚石由于其独特的性质成为未来科技的重要材料,但较差的表面质量会影响其在高科技领域的应用,因此实现金刚石超精密加工是提高金刚石应用的关键。化学机械抛光(CMP)是集成电路中获得全局平坦化的一项重要工艺,能够实现金刚石的超精密加工。介绍了现有的金刚石加工方法和金刚石化学机械抛光的研究现状,并与其他的加工方法(机械抛光、摩擦化学抛光、热化学抛光等)进行了对比,其他加工方法存在加工后表面损伤严重、加工表面粗糙度无法满足需要等问题。金刚石的化学机械抛光工艺经历了由高温抛光向常温抛光的发展过程,该加工方法设备简单、成本低、抛光后的表面粗糙度(Ra)可以达到亚纳米级别。此外,金刚石的分子动力学模拟(MD)使人们从原子尺度对金刚石抛光过程中纳米粒子的相互作用和抛光机理有了深入了解。虽然金刚石化学机械抛光还存在着许多亟待解决的问题,但是其发展前景依旧十分乐观。 展开更多

关键词 金刚石 化学机械抛光 半导体 平坦化 超精密加工

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新型铜互连方法——电化学机械抛光技术研究进展 被引量：3

13

作者 许旺 张楷亮 杨保和 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期521-524,589,共5页

多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光(CMP)技术带来了巨大的挑战,低k介质的脆弱性难以承受传统CMP技术所施加的机械力。一种结合了电化学和机械平坦化技术的新颖铜平坦化工艺——电化学机械抛光(ECMP)应运而生,E... 多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光(CMP)技术带来了巨大的挑战,低k介质的脆弱性难以承受传统CMP技术所施加的机械力。一种结合了电化学和机械平坦化技术的新颖铜平坦化工艺——电化学机械抛光(ECMP)应运而生,ECMP在很低的压力下实现了对铜的平坦化,解决了多孔低介电常数介质的平坦化问题,被誉为未来半导体平坦化技术的发展趋势之一。主要综述了电化学机械抛光技术的产生、原理、研究进展和展望,对铜的ECMP技术进行了回顾和讨论。 展开更多

关键词 化学机械抛光 铜互连 低介电常数 电化学机械抛光 平坦化技术 多孔

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新型高硬度硅溶胶的制备及其在化学机械抛光中的应用 被引量：6

14

作者 孙运乾 李薇薇 +1 位作者 赵之琳 钱佳 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第11期383-389,共7页

目的制造新型高硬度硅溶胶,满足硅晶圆化学机械抛光(CMP)既要高抛光速率,又要高抛光质量的要求。方法利用恒液面聚合生长法制备硅溶胶的工艺特点,通过在合成过程中加入pH值稳定剂异丙醇胺,提升硅溶胶的硬度和稳定性。采用透射扫描电子... 目的制造新型高硬度硅溶胶,满足硅晶圆化学机械抛光(CMP)既要高抛光速率,又要高抛光质量的要求。方法利用恒液面聚合生长法制备硅溶胶的工艺特点,通过在合成过程中加入pH值稳定剂异丙醇胺,提升硅溶胶的硬度和稳定性。采用透射扫描电子显微镜、红外光谱等对硅溶胶的成分、形貌等胶体的性质进行表征和分析。结果通过设计对比实验,发现新型高硬度硅溶胶抛光时的pH值稳定性较普通市售硅溶胶有很大提升,3组新型高硬度硅溶胶平均抛光速率分别为1.580、1.544、1.582μm/min,较普通市售硅溶胶分别提升了17.41%、17.91%、18.25%。新型高硬度硅溶胶抛光后,硅晶圆的平均表面粗糙度只有0.157 nm,最低达到了0.132 nm,而市售普通硅溶胶抛光后的硅晶圆平均表面粗糙度为0.216 nm。同时,通过检测抛光前后硅溶胶粒径和形貌的变化,发现新型高硬度硅溶胶均优于普通市售硅溶胶。结论新型高硬度硅溶胶作为抛光的研磨料在去除速率、表面粗糙度等方面都有一定的优势,验证了新型高硬度硅溶胶作为抛光研磨料的实用价值。 展开更多

关键词 化学机械平坦化 硅溶胶 活性硅酸 pH值稳定剂 去除速率 表面粗糙度

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罗门哈斯电子材料公司的新型化学机械研磨液实现65nm节点下低介电质铜晶圆的制造

15

《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第9期82-82,共1页

罗门哈斯电子材料公司CMP技术事业部是全球半导体产业化学机械研磨技术的领先者。目前，该部门推出了一种新型铜阻挡层化学机械研磨液，专门设计用来帮助用户处理90nm和65nm技术节点下低介电质（Low K）整合方案中的化学机械平坦化问题。

关键词 化学机械平坦化 电子材料 技术节点 介电质 研磨液 公司 制造 晶圆 铜

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低压下碱性铜抛光液对300mm多层铜布线平坦化的研究 被引量：7

16

作者 郑伟艳 刘玉岭 +4 位作者 王辰伟 串利伟 魏文浩 岳红维 曹冠龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第24期3472-3474,共3页

随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化(CMP)须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.3... 随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化(CMP)须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.34kPa时,铜的平均去除速率可达633.3nm/min,片内非均匀性(WIWNU)为2.44%。平坦化效率较高,8层铜布线平坦化结果表明,60s即可消去约794.6nm的高低差,且抛光后表面粗糙度低(0.178nm),表面状态好,结果表明此抛光液可用于多层铜布线的平坦化。 展开更多

关键词 低压 碱性 铜布线化学机械平坦化 高低差 速率

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碱性Cu布线抛光液速率特性及平坦化性能的研究 被引量：5

17

作者 唐心亮 刘玉岭 +2 位作者 王辰伟 牛新环 高宝红 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第20期2804-2806,共3页

Cu的双大马士革工艺加上化学机械平坦化(CMP)技术是目前制备Cu布线行之有效的方法。CuCMP制程中,抛光液起着至关重要的作用,针对目前国际主流酸性抛光液存在的问题和Cu及其氧化物与氢氧化物不溶于水的难题,研发了多羟多胺碱性Cu布线抛光... Cu的双大马士革工艺加上化学机械平坦化(CMP)技术是目前制备Cu布线行之有效的方法。CuCMP制程中,抛光液起着至关重要的作用,针对目前国际主流酸性抛光液存在的问题和Cu及其氧化物与氢氧化物不溶于水的难题,研发了多羟多胺碱性Cu布线抛光液,研究了此抛光液随压力、转速及流量变化的特性,同时也研究了其对布线片的平坦化能力。结果表明,抛光液对Cu的去除速率随压力的增大而显著增大,随转速及流量的增加,Cu的去除速率增大缓慢,显著性依次为压力转速>流量。通过对Cu布线抛光实验表明,此抛光液能够实现多种尺寸Cu线条的平坦化。说明研发的碱性抛光液能够实现Cu布线抛光后产物可溶,且不含抑制剂等,能够实现布线片的平坦化。 展开更多

关键词 Cu布线化学机械平坦化 碱性 速率 高低差

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ULSI碱性抛光液对铜布线平坦化的影响研究 被引量：3

18

作者 唐心亮 智兆华 +3 位作者 刘玉岭 胡轶 刘效岩 王立冉 《河北科技大学学报》 CAS 北大核心 2011年第4期380-383,共4页

研究了铜化学机械平坦化的模型。通过研究分析,采用40 nm粒径的硅溶胶作为磨料,H2O2作为氧化剂,还包含螯合剂和FA/O表面活性剂作为抛光液。分析了工艺条件(包括压力、流量、转速、温度等)和抛光液(H2O2、有机碱、磨料粒径)对抛光过程的... 研究了铜化学机械平坦化的模型。通过研究分析,采用40 nm粒径的硅溶胶作为磨料,H2O2作为氧化剂,还包含螯合剂和FA/O表面活性剂作为抛光液。分析了工艺条件(包括压力、流量、转速、温度等)和抛光液(H2O2、有机碱、磨料粒径)对抛光过程的影响。通过实验结果,确定了相应的实验条件和抛光液来解决铜化学机械抛光过程中出现的碟形坑等问题,分析了表面活性剂对表面粗糙度的影响。 展开更多

关键词 碱性抛光液 工艺参数 铜布线平坦化 化学机械抛光

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H_2O_2在精抛过程中对铜布线平坦化的影响 被引量：3

19

作者 曹阳 刘玉岭 王辰伟 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第B06期48-51,56,共5页

采用自主研发的碱性铜抛光液,使用前稀释50倍加入不同剂量H2O2配制成碱性铜精抛液。实验结果表明,随着H2O2含量的增加,铜的静态腐蚀速率(CuDR)、抛光速率(CuPR)以及阻挡层Ta/TaN均有小幅度的降低,但在MIT854布线片上精抛实验结果表明,... 采用自主研发的碱性铜抛光液,使用前稀释50倍加入不同剂量H2O2配制成碱性铜精抛液。实验结果表明,随着H2O2含量的增加,铜的静态腐蚀速率(CuDR)、抛光速率(CuPR)以及阻挡层Ta/TaN均有小幅度的降低,但在MIT854布线片上精抛实验结果表明,碟形坑随着H2O2含量的增加逐渐降低,加入5%(体积分数)H2O2的精抛液,在粗抛实现初步平坦化后,精抛去除残余铜的过程中,能够实现不同线条尺寸的完全平坦化,碟形坑在工业要求范围内。研究结果表明,H2O2含量的增加对速率影响不明显,但有利于铜布线片的平坦化。此规律对提高CMP全局平坦化具有极重要的作用。 展开更多

关键词 化学机械平坦化 碱性铜精抛液 双氧水 碟形坑 残余铜

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小尺寸器件的金属栅平坦化新技术

20

作者 赵治国 殷华湘 +6 位作者 朱慧珑 张永奎 张严波 秦长亮 张青竹 张月 赵超 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期1030-1033,共4页

随着高k金属栅工程在45 nm技术节点上的成功应用,该技术已成为亚30 nm以下技术节点不可缺少的关键模块化工程。同时,如何保证高k金属栅能够在集成过程中得到有效的平坦化,保证器件正常性能也成为了金属后栅工艺的关键技术之一。本文提... 随着高k金属栅工程在45 nm技术节点上的成功应用,该技术已成为亚30 nm以下技术节点不可缺少的关键模块化工程。同时,如何保证高k金属栅能够在集成过程中得到有效的平坦化,保证器件正常性能也成为了金属后栅工艺的关键技术之一。本文提出的的金属栅反应离子刻蚀+介质再沉积+化学机械平坦化的技术,能够有效对金属栅极进行平坦化,且能避免金属栅极平坦化过程中较大面积区域的"金属过蚀"现象。 展开更多

关键词 高k金属栅 反应离子刻蚀 介质再沉积 化学机械平坦化

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