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题名一种有效去除CMP后表面吸附杂质的新方法
被引量：5
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作者
李薇薇
檀柏梅
周建伟
刘玉岭
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机构
河北工业大学微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期186-188,共3页
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基金
河北省自然基金资助项目(599041)
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文摘
CMP后大量颗粒吸附在芯片表面,根据颗粒在芯片表面的吸附状态,确立优先吸附模型。利用特选的表面活性剂优先吸附在芯片表面可以有效控制杂质的吸附状态,使之处于易于清洗的物理吸附。实验表明,特选的非离子界面活性剂能够有效去除CMP后表面吸附的杂质,达到较好的清洗效果。
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关键词
化学机械全局平面化
吸附
活性剂
颗粒
清洗
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Keywords
CMP
adsorption
surfactant
particle
cleaning
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名IC制备中钨插塞CMP技术的研究
被引量：2
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作者
李薇薇
周建伟
尹睿
刘玉岭
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机构
河北工业大学微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期26-28,22,共4页
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基金
河北省自然基金资助项目(599041)
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文摘
对目前超大规模集成电路钨插塞化学机械全局平面化(CMP)的原理及工艺进行了分析,对钨抛光浆料的组成成分进行了研究,开发了一种能够适合工业生产的钨的碱性抛光浆料,并对钨抛光浆料今后的发展进行了展望。
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关键词
钨
化学机械全局平面化
抛光浆料
碱性
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Keywords
tungsten
CMP
slurry
alkalescence
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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