高玻璃化温度化学增幅光致抗蚀剂的制备 被引量：5

1

作者 王慧 游凤祥 +5 位作者 陈明 李元昌 卢建平 洪啸吟 黄志齐 胡德甫 《感光科学与光化学》 EI CSCD 1998年第3期245-249,共5页

本文合成了一种具有高玻璃化温度的苯乙烯和Ｎ－（４－羟基苯基）马来酰亚胺的共聚体，并将其应用于紫外负性水型化学增幅抗蚀剂中，并初步确定了该光致抗蚀剂的光刻工艺操作条件，得到了分辨率为１．３９μｍ的光刻图形．

关键词 光致抗蚀剂 光刻 化学增幅 抗蚀剂 合成

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一种可以正负互用的水型化学增幅抗蚀剂的研究 被引量：6

2

作者 陈明 李元昌 +2 位作者 洪啸吟 焦晓明 程爱萍 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第9期1485-1488,共4页

研究了一种由甲酚醛树脂、六甲氧基甲基三聚氰胺 (HMMM)、六氟磷酸根二苯碘盐和光敏剂组成的水型紫外化学增幅抗蚀剂 ,发现二苯基碘盐不仅可以作为光敏产酸物 ,而且可以作为阻溶剂 .用碘盐作为光敏产酸物 ,光解产生的酸可以在中... 研究了一种由甲酚醛树脂、六甲氧基甲基三聚氰胺 (HMMM)、六氟磷酸根二苯碘盐和光敏剂组成的水型紫外化学增幅抗蚀剂 ,发现二苯基碘盐不仅可以作为光敏产酸物 ,而且可以作为阻溶剂 .用碘盐作为光敏产酸物 ,光解产生的酸可以在中烘时催化甲酚醛树脂与 HMMM的交联反应 ;用氢氧化钠 -乙醇水溶液显影可以得到负性光刻图形 ;采用碘盐作为阻溶剂 ,可阻止非曝光区的胶膜溶解在显影液中 ,用稀的氢氧化钠水溶液显影可以得到正性光刻图形 .通过优化后的光刻工艺条件 ,采用不同的显影液和光刻工艺流程 ,实现了同一光致抗蚀剂的正负性反转 ,并分别得到负性和正性光刻图形 . 展开更多

关键词 阻溶剂 光致抗蚀剂 化学增幅抗蚀剂 正负性反转

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单组分化学增幅型光致抗蚀剂LB膜的制备及光刻应用 被引量：1

3

作者 王筠 杨志广 +1 位作者 杨欢欢 李铁生 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期228-230,共3页

合成了光致产酸剂N-对甲苯磺酸酯马来酰亚胺(TsOMI),及其与十二烷基甲基丙烯酰胺(DDMA)、对叔丁氧基苯乙烯碳酸酯(t-BOCSt)聚合得到三元共聚物。研究了该聚合物分子在气/液界面的成膜性,LB膜的光敏性和光刻性能。结果表明:该聚合物分子... 合成了光致产酸剂N-对甲苯磺酸酯马来酰亚胺(TsOMI),及其与十二烷基甲基丙烯酰胺(DDMA)、对叔丁氧基苯乙烯碳酸酯(t-BOCSt)聚合得到三元共聚物。研究了该聚合物分子在气/液界面的成膜性,LB膜的光敏性和光刻性能。结果表明:该聚合物分子可在不同材质的基板上制备规整均匀的LB膜,在250nm紫外光照下,LB膜表现出化学增幅作用。以40层该聚合物LB膜为抗蚀层,经紫外曝光20min、显影10s后可得到分辨率为0.75μm(该掩膜所能达到的最大分辨率)的正型LB膜图形,进一步刻蚀得到分辨率为0.75μm的金膜图形。 展开更多

关键词 光致产酸剂 化学增幅 LB膜技术 光刻

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一种自交联聚合物的合成及其在水显影化学增幅型负性抗蚀剂中的应用

4

作者 陈其道 陈明 +3 位作者 林天舒 洪啸吟 黄志齐 胡德甫 《感光科学与光化学》 CSCD 2000年第2期155-159,共5页

本文引入单体MAGME合成了具有自交联作用的MAGME、苯乙烯和N ( 4 羟基苯基 )马来酰亚胺的共聚物 ,并以该聚合物为基体树脂 ,研制了一种新型的水显影化学增幅型负性抗蚀剂 ,并初步研究了其光刻工艺条件 .

关键词 自交联 水显影 化学增幅 负性抗蚀剂 显影材料

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甲酚醛树脂—HMMM负性水型化学增幅抗蚀剂的研究 被引量：3

5

作者 吴兵 李元昌 +5 位作者 陈明 林天舒 洪啸吟 焦晓明 程爱萍 陈建军 《感光科学与光化学》 CSCD 1998年第2期154-160,共7页

本文利用二苯碘盐为光敏产酸物，吩噻嗪为敏化剂，配制了一种甲酚醛树脂———六甲氧基甲基三聚氰胺（ＨＭＭＭ）负性水型紫外化学增抗蚀剂，并研究了光敏产酸物和增感剂对体系光敏性的影响及体系中存在的拉平效应，通过优化后的光刻... 本文利用二苯碘盐为光敏产酸物，吩噻嗪为敏化剂，配制了一种甲酚醛树脂———六甲氧基甲基三聚氰胺（ＨＭＭＭ）负性水型紫外化学增抗蚀剂，并研究了光敏产酸物和增感剂对体系光敏性的影响及体系中存在的拉平效应，通过优化后的光刻工艺条件得到了分辨率为１．２４μｍ的光刻图形． 展开更多

关键词 光刻胶 HMMM 集成电路 化学增幅抗蚀剂 增感剂

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一种高感度深紫外正性化学增幅型抗蚀剂的制备

6

作者 吴立萍 胡凡华 +2 位作者 王倩倩 王菁 王力元 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期896-901,共6页

聚对羟基苯乙烯和环己基乙烯基醚反应得到缩醛保护的聚合物.该聚合物易溶于常见的有机溶剂,具有较好的热稳定性,在248 nm处透明性良好.该聚合物可与聚对羟基苯乙烯-甲基丙烯酸金刚烷基酯及二砜光产酸剂等组成一种三组分正性化学增幅型... 聚对羟基苯乙烯和环己基乙烯基醚反应得到缩醛保护的聚合物.该聚合物易溶于常见的有机溶剂,具有较好的热稳定性,在248 nm处透明性良好.该聚合物可与聚对羟基苯乙烯-甲基丙烯酸金刚烷基酯及二砜光产酸剂等组成一种三组分正性化学增幅型深紫外光致抗蚀剂,初步研究了该抗蚀剂的感光成像性能.采用Kr F激光(248 nm)曝光,在较低的后烘温度下,显影得到分辨率为180 nm的线条图形.显影后的留膜率在99%以上.在光致抗蚀剂体系中引入对羟基苯乙烯-金刚烷基甲基丙烯酸酯共聚物,可提高光刻胶材料的玻璃化转变温度,有利于其实际应用. 展开更多

关键词 光致抗蚀剂 深紫外 化学增幅 聚对羟基苯乙烯 缩醛

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化学增幅型光刻胶材料研究进展 被引量：6

7

作者 郑祥飞 孙小侠 +3 位作者 刘敬成 穆启道 刘仁 刘晓亚 《影像科学与光化学》 CAS 2020年第3期392-408,共17页

芯片集成度的提高促使光刻胶向高分辨率方向发展,光刻技术由紫外全谱曝光发展到单一短波长曝光,为满足光刻胶高感度、高分辨率的要求,化学增幅型光刻胶应运而生。“化学增幅”可以提高光刻胶的量子产率,增强光刻胶感度,在深紫外、极紫... 芯片集成度的提高促使光刻胶向高分辨率方向发展,光刻技术由紫外全谱曝光发展到单一短波长曝光,为满足光刻胶高感度、高分辨率的要求,化学增幅型光刻胶应运而生。“化学增幅”可以提高光刻胶的量子产率,增强光刻胶感度,在深紫外、极紫外光刻中得到广泛应用。而高性能树脂作为光刻胶的成膜剂,对光刻胶的性能有重要影响,不同的树脂结构对应不同的反应机理。本文重点对化学增幅型光刻胶中的脱保护、重排、分子内脱水、酯化缩聚、交联、解聚等反应进行了总结,并介绍了对应的树脂结构。 展开更多

关键词 化学增幅 光刻胶 感度 成膜树脂 反应机理

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用于化学增幅型热敏CTP版和PS版成像组成物的三嗪类产酸剂 被引量：7

8

作者 邹应全 王雪 《中国印刷物资商情》 2004年第10期28-29,31,共3页

关键词 组成物 化学增幅 产酸剂 CTP 热敏 PS

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248nm深紫外光刻胶 被引量：9

9

作者 郑金红 黄志齐 侯宏森 《感光科学与光化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期346-356,共11页

本文从化学增幅技术的产生,深紫外248nm胶主体树脂及PAG发展历程、溶解抑制剂、存在的工艺问题及解决途径多个方面综述了深紫外248nm胶的发展与进步.

关键词 化学增幅 KRF激光 深紫外光刻 248 nm光刻胶 主体树脂 酸催化 光致产酸剂

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酸增殖剂研究进展 被引量：4

10

作者 王文君 张改莲 +1 位作者 王力元 余尚先 《感光科学与光化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期296-302,共7页

本文综述了能有效提高化学增幅抗蚀剂体系感度的各种类型酸增殖剂及其酸增殖机理.对某些常用于光致抗蚀剂中的酸增殖剂的特性作了介绍.并对它们的应用前景、现存问题和改进方向进行了简单讨论和介绍.

关键词 化学增幅抗蚀剂 酸增殖剂 光致抗蚀剂 感度

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一种适用于193nm光刻胶的硫盐光产酸剂的制备与性质 被引量：10

11

作者 王文君 李华民 王力元 《感光科学与光化学》 EI CSCD 2005年第1期48-54,共7页

制备了一种阳离子含有萘基,阴离子分别为对 甲苯磺酸、甲磺酸及三氟甲磺酸的硫盐.它们有高的热解温度和在常用有机溶剂中较好的溶解性.测定了此类光产酸剂在水溶液及聚乙二醇固体膜层中的紫外吸收特性.结果表明,阴离子不含苯基时,在19... 制备了一种阳离子含有萘基,阴离子分别为对 甲苯磺酸、甲磺酸及三氟甲磺酸的硫盐.它们有高的热解温度和在常用有机溶剂中较好的溶解性.测定了此类光产酸剂在水溶液及聚乙二醇固体膜层中的紫外吸收特性.结果表明,阴离子不含苯基时,在193nm处有很好的透明性.考察了其在低压汞灯照射下的光解性质,在254nm附近的吸收峰随光解进行迅速减弱.此类光产酸剂适用于氟化氩激光(193nm)等的化学增幅型光致抗蚀剂. 展开更多

关键词 光产酸剂 光致抗蚀剂 化学增幅 硫鎓盐

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ArF激光光致抗蚀剂的研究进展 被引量：2

12

作者 余尚先 杨凌露 张改莲 《感光科学与光化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期61-71,共11页

本文对近10年来有关ArF激光(193nm)光致抗蚀剂的研究开发情况进行了调研,对193nm光致抗蚀剂组成物的各个组分进行了归纳综述.从本文可以看出,利用193nm成像技术可以刻画线幅很细(<0.13μm)的图像,能适应信息技术的发展对于光致抗蚀... 本文对近10年来有关ArF激光(193nm)光致抗蚀剂的研究开发情况进行了调研,对193nm光致抗蚀剂组成物的各个组分进行了归纳综述.从本文可以看出,利用193nm成像技术可以刻画线幅很细(<0.13μm)的图像,能适应信息技术的发展对于光致抗蚀剂高分辨率的要求.但若想将193nm成像技术在实践中推广应用,还有诸多问题需待研究解决. 展开更多

关键词 ArF激光 光致抗蚀剂 化学增幅 矩阵树脂 光产酸源 集成电路 光刻蚀 氟化氪

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193-nm光刻中的光致抗蚀剂 被引量：2

13

作者 陈明 陈其道 洪啸吟 《感光科学与光化学》 CSCD 2000年第1期77-84,共8页

关键词 化学增幅 抗蚀剂 光刻激光 光源 光致抗蚀剂

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一种新型酞菁类光蚀刻记录材料的光生酸性质研究 被引量：1

14

作者 黄蕾 宾月景 +1 位作者 黄新 张复实 《感光科学与光化学》 EI CSCD 2007年第2期142-146,共5页

通过研究对甲苯磺酸酯空心酞菁的性质,发现该化合物在紫外光照射下可生酸,是一种光生酸剂.由于酞菁类化合物本身具有光催化氧化反应的性能,因此这类光生酸剂在光蚀刻技术中将有很好的应用潜能.

关键词 化学增幅抗蚀剂 光生酸剂 光催化 酞菁

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水溶性光致抗蚀剂研究进展 被引量：2

15

作者 翟晓晓 褚战星 王力元 《感光科学与光化学》 EI CSCD 2007年第1期69-79,共11页

本文按传统光化学反应型和化学增幅型两种类型对近10年水溶性光致抗蚀剂的发展状况做了分类总结,并重点介绍了成像反应原理和各体系的优缺点.

关键词 水溶性光致抗蚀剂 化学增幅 正型 负型

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光刻胶成膜剂:发展与未来 被引量：8

16

作者 朋小康 黄兴文 +4 位作者 刘荣涛 张永文 张诗洋 刘屹东 闵永刚 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期1079-1090,共12页

随着集成电路制程向着3 nm乃至1 nm推进,光刻胶作为集成电路制造中最为繁杂的光刻工艺所需的重要耗材,愈发显示其重要性及挑战性。光刻胶随曝光光源的进步经历了从紫外到深紫外再到极紫外的发展,本文从成膜剂角度首先综述了紫外光刻胶... 随着集成电路制程向着3 nm乃至1 nm推进,光刻胶作为集成电路制造中最为繁杂的光刻工艺所需的重要耗材,愈发显示其重要性及挑战性。光刻胶随曝光光源的进步经历了从紫外到深紫外再到极紫外的发展,本文从成膜剂角度首先综述了紫外光刻胶及深紫外光刻胶的发展应用情况,接着对极紫外光刻胶的性能需求作了简述,最后重点针对极紫外光刻胶中的分子玻璃体系作了介绍及展望。 展开更多

关键词 紫外光刻胶 深紫外光刻胶 极紫外光刻胶 化学增幅 分子玻璃

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248 nm深紫外光刻胶用成膜树脂的研究进展 被引量：2

17

作者 魏孜博 马文超 邱迎昕 《影像科学与光化学》 CAS 2020年第3期430-435,共6页

综述了用于248 nm化学增幅型深紫外光刻胶的不同种类和结构的成膜树脂,以及所使用单体的研发进展,包括聚甲基丙烯酸甲酯及其衍生物、聚对羟基苯乙烯及其衍生物、N取代的马来酰亚胺衍生物,以及其他聚合物等,对不同结构成膜树脂的曝光条... 综述了用于248 nm化学增幅型深紫外光刻胶的不同种类和结构的成膜树脂,以及所使用单体的研发进展,包括聚甲基丙烯酸甲酯及其衍生物、聚对羟基苯乙烯及其衍生物、N取代的马来酰亚胺衍生物,以及其他聚合物等,对不同结构成膜树脂的曝光条件、对光刻胶性能的影响进行了介绍。 展开更多

关键词 光刻胶 成膜树脂 化学增幅型 曝光

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积层式印制板制造用感光性绝缘材料——导通孔小径化的进展

18

作者 佐滕哲朗 桑子富士夫 董立平 《印制电路信息》 1998年第8期16-18,共3页

根据电子设备的高性能化,小型化和轻量化的要求,电子器件也在向集成度更高,功能更强和多引脚化发展。为了最大限度地发挥这些电子器件的性能,印制板的组装形态正在迅速向搭载裸芯片和多芯片模块方式转化。 为了谋求高性能化。

关键词 导通孔 印制板制造 绝缘材料 感光性 粘结强度 化学镀铜 电子器件 化学增幅 高性能化 绝缘树脂

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