期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
快热退火对Co/n-Poly-SiGe肖特基结I-V-T特性的影响
1
作者
王光伟
姚素英
+1 位作者
徐文慧
王雅欣
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期582-586,共5页
采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/...
采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/n-Si肖特基结样品。在300～600℃范围内,对样品做快热退火。对不同退火温度下的样品做I-V-T测试。研究发现,测试温度升高,不同退火温度样品的肖特基势垒高度(SBH)的差别变小,500℃退火的样品,表观SBH最小。总体上,SBH随测试温度的升高而变大,理想因子的变化趋势则与之相反。基于SBH的不均匀分布建模,对实验结果给出了较为合理的解释。
展开更多
关键词
变温I-V测试
肖特基结
快热退火
理想因子
肖特基
势垒高度
的
不均匀
性
在线阅读
下载PDF
职称材料
金属/半导体肖特基接触模型研究进展
被引量：
1
2
作者
王光伟
郑宏兴
+1 位作者
徐文慧
杨旭
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期149-153,共5页
在分析理想金属/半导体肖特基接触的基础上,概述了一般情形下肖特基接触的形成机理和影响因素。金属/半导体间的界面层使得肖特基势垒高度(SBH)对功函数的依赖减弱,也导致SBH与外加偏压有关。研究证实,多种因素,如界面晶向、原子结构、...
在分析理想金属/半导体肖特基接触的基础上,概述了一般情形下肖特基接触的形成机理和影响因素。金属/半导体间的界面层使得肖特基势垒高度(SBH)对功函数的依赖减弱,也导致SBH与外加偏压有关。研究证实,多种因素,如界面晶向、原子结构、化学键和结构不完整性等,都会造成SBH的空间不均匀分布。该特性在肖特基接触中普遍存在,并对基于肖特基结的器件工作有显著影响。
展开更多
关键词
肖特基接触
肖特基
势垒高度
理想因子
非单晶界面
势垒高度不均匀性
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
快热退火对Co/n-Poly-SiGe肖特基结I-V-T特性的影响
1
作者
王光伟
姚素英
徐文慧
王雅欣
机构
天津大学电信学院
天津职业技术师范大学电子学院
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期582-586,共5页
文摘
采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/n-Si肖特基结样品。在300～600℃范围内,对样品做快热退火。对不同退火温度下的样品做I-V-T测试。研究发现,测试温度升高,不同退火温度样品的肖特基势垒高度(SBH)的差别变小,500℃退火的样品,表观SBH最小。总体上,SBH随测试温度的升高而变大,理想因子的变化趋势则与之相反。基于SBH的不均匀分布建模,对实验结果给出了较为合理的解释。
关键词
变温I-V测试
肖特基结
快热退火
理想因子
肖特基
势垒高度
的
不均匀
性
Keywords
variable temperature I-V testing
Schottky junction
rapid thermal annealing
ideality factor
inhomogeneity of Schottky barrier height
分类号
TN311.8 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
金属/半导体肖特基接触模型研究进展
被引量：
1
2
作者
王光伟
郑宏兴
徐文慧
杨旭
机构
天津工程师范大学电子工程学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期149-153,共5页
基金
国家自然科学基金项目(No.60871026)
文摘
在分析理想金属/半导体肖特基接触的基础上,概述了一般情形下肖特基接触的形成机理和影响因素。金属/半导体间的界面层使得肖特基势垒高度(SBH)对功函数的依赖减弱,也导致SBH与外加偏压有关。研究证实,多种因素,如界面晶向、原子结构、化学键和结构不完整性等,都会造成SBH的空间不均匀分布。该特性在肖特基接触中普遍存在,并对基于肖特基结的器件工作有显著影响。
关键词
肖特基接触
肖特基
势垒高度
理想因子
非单晶界面
势垒高度不均匀性
Keywords
Schottky contact
Schottky barrier height
Ideal factor
Non-monocrystalline interface
Inhomogeneity of barrier height
分类号
O472.1 [理学—半导体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
快热退火对Co/n-Poly-SiGe肖特基结I-V-T特性的影响
王光伟
姚素英
徐文慧
王雅欣
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
金属/半导体肖特基接触模型研究进展
王光伟
郑宏兴
徐文慧
杨旭
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
