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基于可动电荷的SiGe HBT势垒电容
被引量：
1
1
作者
吕懿
张鹤鸣
+2 位作者
戴显英
胡辉勇
舒斌
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期837-840,共4页
当SiGeHBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容.另外,集电结势垒区宽度与电流密度密切相关,依据电流密度该电容有3种情况.在SiGeHBT载流子输运基础上,建立...
当SiGeHBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容.另外,集电结势垒区宽度与电流密度密切相关,依据电流密度该电容有3种情况.在SiGeHBT载流子输运基础上,建立了考虑发射势垒区载流子分布的势垒电容模型和不同电流密度下的集电结势垒电容模型.
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关键词
SIGE
HBT
势垒电容
微分
电容
可动电荷
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职称材料
中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析
被引量：
1
2
作者
王靳君
田野
+3 位作者
石瑞英
龚敏
温景超
巫晓燕
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第10期2763-2766,共4页
研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管...
研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管的退化机理进行了分析,认为:晶体管经中子和电子辐照后产生的缺陷团是产生NC现象的根本原因;中子和电子辐照后产生的缺陷团在晶体管内表现为复合中心,这些复合中心大大降低了少数载流子的数密度和寿命,从而使晶体管扩散电容出现严重退化,甚至出现NC现象;电子辐照产生的点缺陷使晶体管多子数密度降低,从而使势垒电容增大。
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关键词
NPN晶体管
负
电容
中子辐照
电子辐照
扩散
电容
势垒电容
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职称材料
题名
基于可动电荷的SiGe HBT势垒电容
被引量：
1
1
作者
吕懿
张鹤鸣
戴显英
胡辉勇
舒斌
机构
西安电子科技大学微电子所
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期837-840,共4页
基金
国家部委预研基金资助项目(51408010301DZ0131)
文摘
当SiGeHBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容.另外,集电结势垒区宽度与电流密度密切相关,依据电流密度该电容有3种情况.在SiGeHBT载流子输运基础上,建立了考虑发射势垒区载流子分布的势垒电容模型和不同电流密度下的集电结势垒电容模型.
关键词
SIGE
HBT
势垒电容
微分
电容
可动电荷
Keywords
Capacitance measurement
Charge carriers
Gates (transistor)
Junction gate field effect transistors
Semiconductor junctions
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
TN323.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析
被引量：
1
2
作者
王靳君
田野
石瑞英
龚敏
温景超
巫晓燕
机构
四川大学物理科学与技术学院微电子学系
四川大学物理科学与技术学院
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第10期2763-2766,共4页
文摘
研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管的退化机理进行了分析,认为:晶体管经中子和电子辐照后产生的缺陷团是产生NC现象的根本原因;中子和电子辐照后产生的缺陷团在晶体管内表现为复合中心,这些复合中心大大降低了少数载流子的数密度和寿命,从而使晶体管扩散电容出现严重退化,甚至出现NC现象;电子辐照产生的点缺陷使晶体管多子数密度降低,从而使势垒电容增大。
关键词
NPN晶体管
负
电容
中子辐照
电子辐照
扩散
电容
势垒电容
Keywords
NPN transistor
negative capacitance
neutron irradiation
electron irradiation
diffusion capacitance
barrier capacitance
分类号
TN325 [电子电信—物理电子学]
O571 [理学—粒子物理与原子核物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于可动电荷的SiGe HBT势垒电容
吕懿
张鹤鸣
戴显英
胡辉勇
舒斌
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
在线阅读
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职称材料
2
中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析
王靳君
田野
石瑞英
龚敏
温景超
巫晓燕
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
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职称材料
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