金属与半导体肖特基接触势垒模型及其载流子传输机制的研究进展 被引量：6

1

作者 李亚鹏 李颖峰 +3 位作者 贺志荣 郭从盛 闫群民 徐峰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期57-62,共6页

肖特基结具有整流特性,在整流器和光电检测等电子元器件制造中有极其重要的应用,重点介绍了相关研究人员在金属与半导体肖特基接触势垒的形成机理、相关数学模型及其影响因素等方面的研究进展。有研究表明,肖特基势垒的形成主要是由于... 肖特基结具有整流特性,在整流器和光电检测等电子元器件制造中有极其重要的应用,重点介绍了相关研究人员在金属与半导体肖特基接触势垒的形成机理、相关数学模型及其影响因素等方面的研究进展。有研究表明,肖特基势垒的形成主要是由于费米能级的钉扎,而费米能级钉扎则源于界面新相的形成或界面极化键的存在。同时,在肖特基势垒的相关模型中,热电子激发模型是目前应用最为广泛的、用于解释界面载流子传输机制的肖特基接触势垒模型。随着对接触界面载流子传输机制的深入研究,热发射-扩散、热场发射等载流子传输机制模型相继被研究者提出。另外,相关研究表明,快速退火处理可导致肖特基接触界面处的原子扩散、重排、新相生成等现象,对肖特基接触的稳定性产生重要影响。 展开更多

关键词 肖特基结 势垒模型 载流子传输机制 接触界面 快速退火

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界面势垒对碳纳米管场发射特性的影响 被引量：2

2

作者 陈雷锋 季振国 +1 位作者 糜裕宏 毛启楠 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期397-400,共4页

以界面势垒对碳纳米管(CNT)场发射的影响为研究目的,在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层,以二氧化硅层作为绝缘势垒,然后在二氧化硅界面层上直接生长CNT,来研究二氧化硅绝缘势垒层对CNT场发射的影响。场发射结果为:Fowler-Nordheim(F-N)曲... 以界面势垒对碳纳米管(CNT)场发射的影响为研究目的,在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层,以二氧化硅层作为绝缘势垒,然后在二氧化硅界面层上直接生长CNT,来研究二氧化硅绝缘势垒层对CNT场发射的影响。场发射结果为:Fowler-Nordheim(F-N)曲线分为两部分,高电场下偏离F-N曲线并趋于饱和。在双势垒模型的基础上,从电场在两势垒上的分布不同及电子在两势垒上的隧穿几率不同,理论上分析了界面势垒对场发射的影响:低电场下电子在界面势垒的隧穿几率大于在表面势垒的隧穿几率,界面势垒对场发射不起阻碍作用,场发射遵守F-N规律;高电场下电子在界面势垒的隧穿几率小于在表面势垒的隧穿几率,场发射偏离F-N规律。理论对实验结果进行了合理的解释。 展开更多

关键词 碳纳米管 场发射 绝缘势垒 隧穿几率 双势垒模型 非线性F-N曲线

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输运层势垒对双层结构器件复合发光的影响 被引量：1

3

作者 李宏建 瞿述 +1 位作者 许雪梅 彭景翠 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期360-362,共3页

通过分析双层结构器件复合发光的实际物理过程 ,建立了双层器件载流子输运与复合发光的多势垒的理论模型 ,计算并讨论了器件复合效率随外加电压及输运层势垒 (包括势垒高度和宽度 )的变化关系。该理论模型较好地解释实验现象。

关键词 输运层 势垒 双层结构器件 复合发光 有机薄膜电致发光器件 载流子 多势垒模型 发光效率 发光机理

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施主掺杂钛酸钡陶瓷最大势垒高度计算

4

作者 赵双群 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期34-38,共5页

在不同的施主杂质Nb2O5含量下,对BaTiO3半导陶瓷样品测量了电流—电压关系,发现结果不遵循经典的海旺(Heywang)模型,而与从修正的势垒模型出发得到的结果符合较好.根据修正的势垒模型。

关键词 钛酸钡 半导陶瓷 施主 势垒模型

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利用高斯分布模型研究多晶硅晶界电学特性 被引量：3

5

作者 孟凡英 崔容强 孙铁囤 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期813-816,共4页

研究了多晶硅晶界的载流子输运过程和导电机制 ,建立了新的晶界结构模型和晶界势垒分布模型 .将晶界区域及其势垒的变化视为高斯分布 ,利用这个模型 ,给出了改善的电流 -电压特性方程 ,并用这个关系式来解释多晶硅的电学特性 .数值计算... 研究了多晶硅晶界的载流子输运过程和导电机制 ,建立了新的晶界结构模型和晶界势垒分布模型 .将晶界区域及其势垒的变化视为高斯分布 ,利用这个模型 ,给出了改善的电流 -电压特性方程 ,并用这个关系式来解释多晶硅的电学特性 .数值计算表明 ,多硅电阻率随势垒高度的增加而基本呈线性增加 .另外 ,电阻率 ρ随掺杂浓度的增加而减小 ,当掺杂剂浓度约为 1× 1 0 19cm-3 ,ρ和 ρgb下降最快 .且在晶粒尺寸为 1 0 2 nm范围内晶界的电阻率比晶粒的电阻率约大 2～ 3个数量级 .分析结果表明 ,晶界是高电阻区 ,晶界的这种精细分布描述 ,有助于进一步理解多晶硅的晶界特性 ,从而提高多晶硅太阳电池的光电转换效率 . 展开更多

关键词 电学特性 高斯分布模型 多晶硅 晶界结构模型 晶界势垒分布模型 电阻率

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(Li,Nb)掺杂SnO_2压敏材料的电学非线性研究 被引量：6

6

作者 李长鹏 王矜奉 +2 位作者 陈洪存 苏文斌 李明明 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第5期362-365,共4页

研究了掺锂对 Sn O2 压敏电阻器性能的影响。研究发现 L i+ 对 Sn4+ 的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度 ,且能大幅度改善材料的电学非线性性能。掺入 x(L i2 CO3)为 1.0 %的陶瓷样品具有最高的密度 (ρ=6 .77g/ cm3)、最高的介电... 研究了掺锂对 Sn O2 压敏电阻器性能的影响。研究发现 L i+ 对 Sn4+ 的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度 ,且能大幅度改善材料的电学非线性性能。掺入 x(L i2 CO3)为 1.0 %的陶瓷样品具有最高的密度 (ρ=6 .77g/ cm3)、最高的介电常数 (ε=185 1)、最低的视在势垒电场 (EB=6 8.86 V/ mm)和最高的非线性常数 (α=9.9)。对比发现 ,Na+ 由于具有较大的离子粒半径 ,其掺杂改性性能相对较差。提出了 Sn O2 · L i2 CO3· Nb2 展开更多

关键词 压敏材料 二氧化锡 电学性能 缺陷势垒模型 掺杂 压敏电阻器

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(Zn,Nb)掺杂SnO_2压敏材料的电子特性 被引量：4

7

作者 王勇军 陈洪存 +3 位作者 王矜奉 董火民 张沛霖 钟维烈 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第4期259-261,共3页

依据缺陷势垒模型选取Ｚｎ２＋和Ｎｂ５＋复合掺杂的ＳｎＯ２陶瓷进行研究，测量了材料的密度、失重率等物理性质和非线性系数、电流－电压（Ｉ－Ｖ）关系曲线等电子性质。利用低电流区电流密度与电场（ｌｏｇＪ－Ｅ）的线性关系定性地... 依据缺陷势垒模型选取Ｚｎ２＋和Ｎｂ５＋复合掺杂的ＳｎＯ２陶瓷进行研究，测量了材料的密度、失重率等物理性质和非线性系数、电流－电压（Ｉ－Ｖ）关系曲线等电子性质。利用低电流区电流密度与电场（ｌｏｇＪ－Ｅ）的线性关系定性地讨论了势垒高度与非线性之间的关系。 展开更多

关键词 压敏材料 缺陷势垒模型 二氧化锡 掺杂

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稀土Ce对SnO_2·Co_2O_3·Nb_2O_5压敏性能的影响 被引量：1

8

作者 高琨 王矜奉 +2 位作者 陈洪存 亓鹏 高建鲁 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第4期280-283,共4页

研究了掺Ce对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻器性能的影响。研究发现Ce4+对Sn4+的取代能明显提高陶瓷的致密度,掺入x(CeO2)为0.05的陶瓷样品具有最高的密度(ρ=6.71g/cm3),最高的视在势垒电场(EB=413.6V/mm),最高的非线性系数(α=1... 研究了掺Ce对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻器性能的影响。研究发现Ce4+对Sn4+的取代能明显提高陶瓷的致密度,掺入x(CeO2)为0.05的陶瓷样品具有最高的密度(ρ=6.71g/cm3),最高的视在势垒电场(EB=413.6V/mm),最高的非线性系数(α=13.8),最高的势垒电压和最窄的势垒厚度。为了解释样品电学非线性性质的起源,该文提出了SnO2·Co2O3·Nb2O5·CeO2晶界缺陷势垒模型。同时,对该压敏电阻器进行了等效电路分析。试验测量与等效电路分析结果相符。 展开更多

关键词 压敏材料 二氧化锡 电学性能 缺陷势垒模型

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低偏压分子电子器件的电导规律

9

作者 张振华 李巧华 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期2448-2451,共4页

采用简化的对称势垒连续隧穿模型模拟复合分子线电子器件低偏压下电子隧穿过程,并由电子透射谱随垒宽、垒距、垒高及电子有效质量的变化规律推断低偏压下分子器件的电导规律.结果发现:随着势垒增宽或增高,分子器件的低偏压电导G明显变小... 采用简化的对称势垒连续隧穿模型模拟复合分子线电子器件低偏压下电子隧穿过程,并由电子透射谱随垒宽、垒距、垒高及电子有效质量的变化规律推断低偏压下分子器件的电导规律.结果发现:随着势垒增宽或增高,分子器件的低偏压电导G明显变小;但是随着垒距或电子有效质量增大,则分子器件的低偏压电导G反而变大.这表明可以通过适当的控制方式(如改变复合分子组成、构型等)来修改分子电子器件的低偏压输运性质. 展开更多

关键词 分子器件 对称势垒模型 电子透射谱 低偏压电导

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电介质材料介电、铁电性能研究的计算机模拟新手段

10

作者 刘英 曹晓珑 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2004年第4期31-37,共7页

通过构造双势垒模型以及蒙特卡洛方法的应用,成功地再现了材料的许多介电、铁电性能,这是目前国外研究电介质材料介电、铁电性能的一种有效的计算机模拟方法。将这种方法应用到具体的非晶相绝缘体中,以材料的实际结构来构造双势垒模型,... 通过构造双势垒模型以及蒙特卡洛方法的应用,成功地再现了材料的许多介电、铁电性能,这是目前国外研究电介质材料介电、铁电性能的一种有效的计算机模拟方法。将这种方法应用到具体的非晶相绝缘体中,以材料的实际结构来构造双势垒模型,得到的结果与实验相吻合。此外,该方法预期还能用以模拟界面、缺陷等等,并且极有可能发现某些目前通过试验还未被发现的现象,从而指导试验的方向。 展开更多

关键词 计算机模拟 双势垒模型 蒙特卡洛方法 电介质材料 Or电、铁电性能

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飞秒强激光场中异核团簇的爆炸动力学

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作者 高启文 李邵辉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期2993-2998,共6页

利用Bathe过势垒模型,对飞秒强激光场中异核分子团簇((CH4)n,(CD4)n,(D2O)n)的爆炸动力学过程进行了理论研究。结果表明:异核团簇爆炸后产生的离子能量与团簇初始半径的平方呈线性关系,爆炸机理为典型的库仑爆炸。研究发现,异核分子团... 利用Bathe过势垒模型,对飞秒强激光场中异核分子团簇((CH4)n,(CD4)n,(D2O)n)的爆炸动力学过程进行了理论研究。结果表明:异核团簇爆炸后产生的离子能量与团簇初始半径的平方呈线性关系,爆炸机理为典型的库仑爆炸。研究发现,异核分子团簇发生库仑爆炸后的氘离子能量高于飞秒强激光和单核的(D)n团簇相互作用后产生的氘离子能量,显示异核团簇中高Z元素电离后产生的高价离子对低Z元素离子有很强的加速作用。 展开更多

关键词 飞秒强激光 强激光场 异核 分子团簇 爆炸动力学 femtosecond laser pulses 离子能量 库仑爆炸 动力学过程 元素 相互作用 线性关系 势垒模型 理论研究 加速作用 初始半径 爆炸机理 离子对 结果 电离

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