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基于AlAsSb/InAsSb超晶格势垒的InAs/InAsSbⅡ类超晶格nBn中波红外探测器 被引量:1
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作者 单一凡 吴东海 +8 位作者 谢若愚 周文广 常发冉 李农 王国伟 蒋洞微 郝宏玥 徐应强 牛智川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期450-456,共7页
InAs/InAsSbⅡ类超晶格避免了InAs/GaSbⅡ类超晶格中与Ga原子相关的缺陷复合中心,具有更高的少数载流子寿命,在高工作温度中波红外探测器制备方面有着良好的应用前景。少数载流子单极势垒结构通常被用来抑制探测器暗电流,如nBn结构探测... InAs/InAsSbⅡ类超晶格避免了InAs/GaSbⅡ类超晶格中与Ga原子相关的缺陷复合中心,具有更高的少数载流子寿命,在高工作温度中波红外探测器制备方面有着良好的应用前景。少数载流子单极势垒结构通常被用来抑制探测器暗电流,如nBn结构探测器。在InAs/InAsSbⅡ类超晶格nBn中波红外光电探测器中,势垒层常采用AlAsSb等多元合金材料,阻挡多数载流子的输运。然而,势垒层与吸收层存在的价带偏移(VBO)使得光电流往往需要在大偏压下饱和,从而增大了探测器暗电流。本文设计了一种AlAsSb/InAsSb超晶格势垒,旨在消除VBO并降低量子效率对偏压的依赖性。研究结果显示,150 K下,设计制备的nBn光电探测器的50%截止波长为4.5μm,探测器光响应在-50 mV的小反向偏压下达到了饱和,3.82μm处的峰值响应度为1.82 A/W,对应量子效率为58.8%。在150 K和-50 mV偏压下,探测器的暗电流密度为2.01×10^(-5)A/cm^(2),计算得到在3.82μm的峰值探测率为6.47×10^(11)cm·Hz^(1/2)/W。 展开更多
关键词 InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格 AlAsSb/InAsSb势垒 中波红外 势垒探测器
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非制冷势垒型InAsSb基高速中波红外探测器
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作者 贾春阳 邓功荣 +3 位作者 赵鹏 朱之贞 赵俊 张逸韵 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期166-173,共8页
高速响应的中波红外探测器在自由空间光通信和频率梳光谱学等新兴领域的需求逐渐增加。中长波XBnn势垒型红外光探测器对暗电流等散粒噪声具有显著抑制作用。本文在GaSb衬底上采用分子束外延技术生长了nBn和pBn两种结构的InAsSb/AlAsSb/A... 高速响应的中波红外探测器在自由空间光通信和频率梳光谱学等新兴领域的需求逐渐增加。中长波XBnn势垒型红外光探测器对暗电流等散粒噪声具有显著抑制作用。本文在GaSb衬底上采用分子束外延技术生长了nBn和pBn两种结构的InAsSb/AlAsSb/AlSb中波红外光探测器材料,并通过微纳加工工艺制备了可用于射频响应特性测试的GSG结构探测器。XRD和AFM的测试结果表明,两种结构的外延片都具有较好的晶体质量。器件暗电流测试结果表明,相较于nBn器件,在室温和反向偏压400 mV的工作条件下,直径90μm的pBn器件表现出更低的暗电流密度0.145 A/cm^(2),说明该器件在室温非制冷环境下表现出较低的噪声水平。不同台面直径的探测器的暗电流测试表明,pBn器件的表面电阻率低于对照的nBn器件的表面电阻率。另外,根据探测器的电容测试结果,可零偏压工作的pBn探测器具有完全耗尽的势垒层和部分耗尽的吸收区,nBn的吸收区也存在部分耗尽。探测器的射频响应特性表明,直径90μm的pBn器件的响应速度在室温和3 V反向偏压下可达2.62 GHz,对照的nBn器件的响应速度仅为2.02 GHz,响应速度提升了29.7%,初步实现了在中红外波段下可快速探测的室温非制冷势垒型光电探测器。 展开更多
关键词 InAsSb基 非制冷 高速 中波红外 势垒探测器
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EAST装置上远红外激光干涉仪密度测量的改进
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作者 沈洁 揭银先 +3 位作者 刘海庆 魏学朝 王正兴 高翔 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期244-250,共7页
三道远红外激光干涉仪被用来测量EAST托卡马克装置中的弦平均电子密度。干涉仪装置中需要探测器具有高灵敏度、信噪比高、体积小及工作状态稳定等性质。采用肖特基势垒二极管探测器代替原有的热释电探测器(TGS)可以使HCN信号的信噪比大... 三道远红外激光干涉仪被用来测量EAST托卡马克装置中的弦平均电子密度。干涉仪装置中需要探测器具有高灵敏度、信噪比高、体积小及工作状态稳定等性质。采用肖特基势垒二极管探测器代替原有的热释电探测器(TGS)可以使HCN信号的信噪比大大改善。在EAST放电过程中,低杂波加热会干扰探测器接收到的信号,使用双层铜箔屏蔽和加窄带通滤波等方法可以有效防止低杂波对信号的干扰。改进后的探测器已经有效测出长脉冲放电和H模放电中等离子弦平均密度。 展开更多
关键词 远红外激光干涉仪 肖特基势垒探测器 电子密度
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基于PSPICE的光接收机电路设计与仿真
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作者 王苹 解光军 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期542-545,共4页
文章基于PSPICE通用软件,设计了一个由金属-半导体-金属Schottky势垒光探测器(MSM-PD)组成的GaAs光接收机电路,并对其进行了电路级仿真,仿真结果显示达到了设计目的。
关键词 光电集成电路 金属-半导体-金属Schottky势垒光电探测器 光接收机
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固态焦平面阵列发挥了红外传感器的潜力
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作者 刘昭华 《激光与红外》 CAS 1983年第12期63-66,共4页
肖特基势垒阵列的特性红外传感器在用于探测、定位、识别和摧毁目标的战略和战术军用系统中起着日益重要的作用。这些传感器可被动地工作,或与激光照明器一起提供从未有过的速度和精度以及高抗干扰能力。为了扩大这些系统的工作效能和... 肖特基势垒阵列的特性红外传感器在用于探测、定位、识别和摧毁目标的战略和战术军用系统中起着日益重要的作用。这些传感器可被动地工作,或与激光照明器一起提供从未有过的速度和精度以及高抗干扰能力。为了扩大这些系统的工作效能和使价格便宜,许多研究室已加紧研制固态焦平面阵列(FPA)。由于取消机械扫描机构而导致了传感器设计、简化设计、改进性能和提高可靠性,因而这些阵列以两维凝视方式工作就特别重要。自1972年以来。 展开更多
关键词 焦平面阵列 肖特基势垒探测器 热成象 红外传感器
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