-
题名碳化硅器件建模与杂散参数影响机理
被引量：8
- 1
-
-
作者
周志达
葛琼璇
赵鲁
杨博
-
机构
中国科学院大学
中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室中国科学院电工研究所
-
出处
《电机与控制学报》
EI
CSCD
北大核心
2020年第1期27-37,共11页
-
基金
国家重点研发计划(2016YFB1200602-20,2017YFB1200901)
-
文摘
为了更准确地评估碳化硅宽禁带半导体功率器件的性能和系统特性,需要搭建不同封装下器件的快速行为仿真模型,包括静态特性模型与动态响应模型。首先基于MOSFET器件EKV模型,舍去了原模型的漂移区电阻并赋予参数温度自由度后,实现一种仅需要器件数据手册的快速建模方法。对比原静态模型,改进模型收敛速度更快;器件转移特性和输出特性拟合精确度有明显提高;不同结温的静态特性可独立建模。其次,基于静态模型参数,校正了寄生电容和跨导,加入模块封装和层叠母排的杂散电感和分布电容参数,分阶段建立了开关过程中驱动回路和主回路微分方程,给出了器件杂散参数提取过程以及漏极电流、端电压的动态响应求解方法。最后搭建碳化硅功率模块双脉冲实验电路,结果显示模型可真实重现开关过程中的电压电流尖峰与振铃细节。
-
关键词
宽禁带半导体器件
动静态特性建模
非线性寄生电容
杂散电感
分阶段开关状态方程
电压电流尖峰与振铃
-
Keywords
wide-bandgap semiconductor device
static and dynamic characteristics modeling
non-linear parasitic capacitance
stray inductance
phased switching state equation
voltage and current spikes and ringings
-
分类号
TM133
[电气工程—电工理论与新技术]
-
