期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
氨基乙酸-H_2O_2体系抛光液中铜的化学机械抛光研究 被引量:5
1
作者 张伟 路新春 +2 位作者 刘宇宏 潘国顺 雒建斌 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期366-371,共6页
在CP-4型CMP试验机上采用5μm厚的铜镀层片研究了氨基乙酸-H2O2体系抛光液中铜的化学机械抛光行为,分别采用Sartorius 1712MP8型电子天平和WYKO MHT-Ⅲ型光干涉表面形貌仪检测抛光去除率和抛光后表面粗糙度,用CHI660A型电化学工作站的... 在CP-4型CMP试验机上采用5μm厚的铜镀层片研究了氨基乙酸-H2O2体系抛光液中铜的化学机械抛光行为,分别采用Sartorius 1712MP8型电子天平和WYKO MHT-Ⅲ型光干涉表面形貌仪检测抛光去除率和抛光后表面粗糙度,用CHI660A型电化学工作站的动电位极化扫描技术和PHI-5300ESCA型X射线光电子能谱仪分析抛光液中氧化剂和络合剂等化学组分对铜的作用机制.结果表明,由于氧化剂H2O2对铜的氧化作用使得氨基乙酸对铜的络合速率从1.4 nm/min提高到47 nm/min,进而提高了铜的化学机械抛光去除率.当抛光压力≤10.35 kPa时,抛光后铜表面出现腐蚀坑,腐蚀坑面积比率随抛光过程相对运动速度的增大而减小;当抛光压力≥17.25 kPa时,铜表面腐蚀坑消失,在相对运动速度≥1 m/s条件下,表面粗糙度为3-5 nm;当抛光压力〉6.9 kPa,在相对运动速度≤1 m/s条件下,随着相对运动速度增大,机械作用增强,抛光去除率增大;当相对运动速度〉1 m/s时,抛光界面区抛光液润滑效应增强,抛光去除率有所降低,化学机械抛光过程中这一临界相对运动速度为1 m/s. 展开更多
关键词 化学机械抛光 动电位极化扫描 氨基乙酸 腐蚀坑
在线阅读 下载PDF
基于USB接口的有机涂层耐蚀性能快速测试仪
2
作者 卓向东 林昌健 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期223-226,共4页
根据多重动电位扫描极化的原理,研制了一种基于USB接口的有机涂层/金属体系耐蚀性能快速测试仪.该仪器便携、简易、实用,有强数据采集和处理功能,不仅可用于实验室的快速实验,更适用于在工业现场对有机涂层/金属体系耐蚀性能快速测试和... 根据多重动电位扫描极化的原理,研制了一种基于USB接口的有机涂层/金属体系耐蚀性能快速测试仪.该仪器便携、简易、实用,有强数据采集和处理功能,不仅可用于实验室的快速实验,更适用于在工业现场对有机涂层/金属体系耐蚀性能快速测试和评价. 展开更多
关键词 多重电位扫描极化 USB 有机涂层 电化学测试
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部