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动态高温反偏应力下的SiC MOSFET测试平台及其退化机理研究
被引量：
1
1
作者
左璐巍
辛振
+3 位作者
蒙慧
周泽
余彬
罗皓泽
《电源学报》
CSCD
北大核心
2024年第3期211-219,共9页
为研究SiC MOSFET在动态漏源应力下的退化机理,开发了一种具有dVds/dt可调功能、最高可达80 V/ns的动态反向偏置测试平台。针对商用SiC MOSFET进行动态高温反偏实验,讨论高电压变化率的动态漏源应力对SiC MOSFET电学特性的影响。实验结...
为研究SiC MOSFET在动态漏源应力下的退化机理,开发了一种具有dVds/dt可调功能、最高可达80 V/ns的动态反向偏置测试平台。针对商用SiC MOSFET进行动态高温反偏实验,讨论高电压变化率的动态漏源应力对SiC MOSFET电学特性的影响。实验结果显示,器件的阈值电压和体二极管正向导通电压增加,说明器件JFET区上方的栅氧层和体二极管可能发生了退化。通过Sentaurus TCAD分析了在高漏源电压及高电压变化率下平面栅型SiC MOSFET的薄弱位置,在栅氧层交界处和体二极管区域设置了空穴陷阱,模拟动态高温反偏对SiC MOSFET动静态参数的影响。
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关键词
动态高温反偏测试
退化机理
SiC
MOSFET
可调dV_(ds)/dt
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职称材料
题名
动态高温反偏应力下的SiC MOSFET测试平台及其退化机理研究
被引量：
1
1
作者
左璐巍
辛振
蒙慧
周泽
余彬
罗皓泽
机构
河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室
浙江大学电气工程学院
南京信息工程大学自动化学院
中国电源学会
出处
《电源学报》
CSCD
北大核心
2024年第3期211-219,共9页
文摘
为研究SiC MOSFET在动态漏源应力下的退化机理,开发了一种具有dVds/dt可调功能、最高可达80 V/ns的动态反向偏置测试平台。针对商用SiC MOSFET进行动态高温反偏实验,讨论高电压变化率的动态漏源应力对SiC MOSFET电学特性的影响。实验结果显示,器件的阈值电压和体二极管正向导通电压增加,说明器件JFET区上方的栅氧层和体二极管可能发生了退化。通过Sentaurus TCAD分析了在高漏源电压及高电压变化率下平面栅型SiC MOSFET的薄弱位置,在栅氧层交界处和体二极管区域设置了空穴陷阱,模拟动态高温反偏对SiC MOSFET动静态参数的影响。
关键词
动态高温反偏测试
退化机理
SiC
MOSFET
可调dV_(ds)/dt
Keywords
Dynamic high-temperature reverse bias test
degradation mechanism
silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor(SiC MOSFET)
adjustable dV_(ds)/dt
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
动态高温反偏应力下的SiC MOSFET测试平台及其退化机理研究
左璐巍
辛振
蒙慧
周泽
余彬
罗皓泽
《电源学报》
CSCD
北大核心
2024
1
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