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动态随机存储器IC芯片制造技术的进展与展望 被引量:4
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作者 孙以材 王静 +2 位作者 赵彦晓 田立强 刘江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期10-13,共4页
介绍了DRAM 0.1mm特征尺寸理论极限的突破及相关技术进展,以及各种非易失性随机存储器(NVRAM)如FeRAM,相变RAM,MRAM。现今PC中的RAM很快将被NVRAM所取代,从而可缩短PC的启动时间。
关键词 动态随机存储器 IC芯片 展望 集成电路 非易失性随机存储器
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同步动态随机存储器辐射效应测试系统研制 被引量:4
2
作者 姚志斌 罗尹虹 +3 位作者 陈伟 何宝平 张凤祁 郭红霞 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期2699-2704,共6页
在分析同步动态随机存储器(SDRAM)辐射效应主要失效现象的基础上,研制了具备了读写功能测试、刷新周期测试及功耗电流测试三种功能的SDRAM辐射效应在线测试系统,并开展了SDRAM的总剂量效应实验研究。结果表明,总剂量效应会导致SDRAM器... 在分析同步动态随机存储器(SDRAM)辐射效应主要失效现象的基础上,研制了具备了读写功能测试、刷新周期测试及功耗电流测试三种功能的SDRAM辐射效应在线测试系统,并开展了SDRAM的总剂量效应实验研究。结果表明,总剂量效应会导致SDRAM器件的数据保持时间不断减小,功耗电流不断增大以及读写功能失效。实验样品MT48LC8M32B2的功能失效主要由外围控制电路造成,而非存储单元翻转。数据保持时间虽然随着辐照剂量的累积不断减小,但不是造成该器件功能失效的直接原因。 展开更多
关键词 同步动态随机存储器 辐射效应 测试系统 刷新周期 总剂量效应
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动态随机存储器中堆叠电容器结构的互连寄生电容模拟 被引量:1
3
作者 李毅 王泽毅 侯劲松 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期29-31,共3页
在高密度比特位动态随机存储器 (DRAM)芯片的发展中 ,随着多层布线与复杂存储单元结构的日渐普遍使用 ,互连寄生电容对存储器件性能如时延、功耗、噪声等的影响日渐突出 ,已成为不可忽视的重要因素 ,对互连寄生电容提取软件提出了紧迫... 在高密度比特位动态随机存储器 (DRAM)芯片的发展中 ,随着多层布线与复杂存储单元结构的日渐普遍使用 ,互连寄生电容对存储器件性能如时延、功耗、噪声等的影响日渐突出 ,已成为不可忽视的重要因素 ,对互连寄生电容提取软件提出了紧迫的要求 .本文介绍一个基于直接边界元素法的精度高 ,速度快 ,并可适应复杂堆叠(stacked)电容器结构的互连寄生电容模拟软件 ,并通过实例计算 。 展开更多
关键词 寄生电容 动态随机存储器 堆叠存储电容器
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同步动态随机存储器的控制器设计与实现 被引量:7
4
作者 吴进 刘路 《西安邮电学院学报》 2012年第5期78-80,83,共4页
为了满足不同平台的需求,简化同步动态随机存储器(SDRAM)的控制器,采用现场可编程门阵列(FPGA)方法,给出一种SDRAM控制器设计方案。引入的仲裁机制可以用Verilog硬件描述语言编写,灵活性强,只需加以简单修改即可满足不同需求。仿真结果... 为了满足不同平台的需求,简化同步动态随机存储器(SDRAM)的控制器,采用现场可编程门阵列(FPGA)方法,给出一种SDRAM控制器设计方案。引入的仲裁机制可以用Verilog硬件描述语言编写,灵活性强,只需加以简单修改即可满足不同需求。仿真结果表明,采用基于FPGA设计的SDRAM控制器能很好完成规定读写操作。 展开更多
关键词 同步动态随机存储器 控制器 现场可编程门阵列Verilog硬件描述语言
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64兆位动态随机存取存储器(DRAM)
5
作者 罗正发 叶而西 《电子科技杂志》 1991年第3期61-62,共2页
关键词 dram RAM 64兆位 存储器
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电磁故障注入攻击对动态随机存取存储器安全性的影响研究 被引量:2
6
作者 刘强 唐鸿辉 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第9期2449-2457,共9页
以探索电磁故障注入(EMFI)攻击对动态随机存取存储器(DRAM)的安全性影响为目标,该文使用电磁故障注入攻击平台对DRAM进行了扫描攻击,对出现的故障进行统计分类,随后基于DRAM的基本结构分析阐述了造成故障的机理,最后展示了通过电磁脉冲... 以探索电磁故障注入(EMFI)攻击对动态随机存取存储器(DRAM)的安全性影响为目标,该文使用电磁故障注入攻击平台对DRAM进行了扫描攻击,对出现的故障进行统计分类,随后基于DRAM的基本结构分析阐述了造成故障的机理,最后展示了通过电磁脉冲攻击DRAM对计算机系统的安全威胁。实验表明电磁脉冲在DRAM中既可以引起瞬时故障也可以引起持续性故障,且以多故障为主。分析发现,电磁脉冲故障攻击技术可以以低的时间和空间分辨率向DRAM的指定地址注入持续性故障。另外,该文成功地将持续性故障注入到了存储在DRAM中的AES-128程序中并破解了其密钥,证明了使用电磁脉冲对DRAM进行攻击能对计算机系统造成安全威胁,展示了DRAM安全性的研究对硬件系统安全具有重要意义。 展开更多
关键词 硬件安全 电磁故障注入攻击 动态随机存取存储器
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动态随机存储器新动向
7
作者 卫欣 《世界电子元器件》 1998年第8期27-31,共5页
美国Rambus Inc.已策划出Direct Rambus DRAM规范,其目标是瞄准1999年度PC机主存储器市场。这是备有高速接口的DRAM(Direct Rambus DRAM)规范,美国Intel Corp.将于1999年投放市场的PC机用外围LSI电路里,决定嵌入Direct Rambus DRAM的接... 美国Rambus Inc.已策划出Direct Rambus DRAM规范,其目标是瞄准1999年度PC机主存储器市场。这是备有高速接口的DRAM(Direct Rambus DRAM)规范,美国Intel Corp.将于1999年投放市场的PC机用外围LSI电路里,决定嵌入Direct Rambus DRAM的接口电路。世界著名的DRAM厂家有13家鉴于此情,纷纷领取Direct Rambus DRAM生产许可证。 展开更多
关键词 动态随机存储器 存储器 dram
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1.25VRDIMM:动态随机存取存储器
8
《世界电子元器件》 2011年第10期29-29,共1页
三星电子推出采用30纳米级企业服务器1.25V16GBDDR3RDIMM(RegisteredDualInlineMemoryModule)产品。
关键词 动态随机存取存储器 企业服务器 三星电子 纳米级
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三星电子改进半导体存储器设计
9
作者 薛严 《电子产品可靠性与环境试验》 2025年第1期73-73,共1页
据韩国半导体业界近日透露,三星电子正在改进12 nm级动态随机存取存储器“D1b”的设计。三星电子于2023年首次量产“D1b”,应用于显卡动态随机存取存储器和手机动态随机存取存储器上。此次改变已生产一年多的动态随机存取存储器设计是... 据韩国半导体业界近日透露,三星电子正在改进12 nm级动态随机存取存储器“D1b”的设计。三星电子于2023年首次量产“D1b”,应用于显卡动态随机存取存储器和手机动态随机存取存储器上。此次改变已生产一年多的动态随机存取存储器设计是半导体行业中罕见的案例。 展开更多
关键词 半导体存储器 动态随机存取存储器 三星电子 显卡 半导体行业 量产
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一种基于碳纳米管的随机存储器
10
作者 孙劲鹏 王太宏 《微纳电子技术》 CAS 2002年第10期8-13,26,共7页
随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限。为了解决传统存储器件发展遇到的困难,利用碳纳米管之间范德瓦耳斯力,设计了一种基于碳纳米管的可读写的随机存储器,研究了系统的双稳性,讨论了存储... 随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限。为了解决传统存储器件发展遇到的困难,利用碳纳米管之间范德瓦耳斯力,设计了一种基于碳纳米管的可读写的随机存储器,研究了系统的双稳性,讨论了存储器的优点和可行性,并认为系统具有良好存储效应所应满足的条件。 展开更多
关键词 碳纳米管 随机存储器 范德瓦耳斯力 动态随机存储器 化学汽相沉积
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用DRAM、FPGA实现大容量FIFO存储器 被引量:2
11
作者 孙红胜 岳春生 《信息工程学院学报》 1997年第3期38-41,共4页
介绍了一种实现大容量FIFO(FirstInFirstOut)存储器的方法。采用先进的FPGA(FieldProgrammableGateAray)技术结合DRAM专用控制器件来实现控制逻辑,以动态存储器DRAM(D... 介绍了一种实现大容量FIFO(FirstInFirstOut)存储器的方法。采用先进的FPGA(FieldProgrammableGateAray)技术结合DRAM专用控制器件来实现控制逻辑,以动态存储器DRAM(DynamicRAM)为存储器件实现了4M字节FIFO。 展开更多
关键词 dram FPGA FIFO 存储器
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64k动态随机存贮器—CM4864
12
作者 联合研制组 《固体电子学研究与进展》 CAS 1987年第1期5-6,共2页
64K动态随机存贮器已于1986年5月13日研制成功。该电路采用3.0微米HMOS技术,其主要性能为:行取数时间tRAc≤200ns(周期为335ns);功耗(工作/维持)≤330mW/20mW。
关键词 动态随机 CM4864 存贮器 存储器 字线
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计算机随机存储器
13
作者 靳美 《电子科技》 1999年第12期32-34,共3页
关键词 随机存储器 计算机 dram Cdram
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半导体存储器花开并蒂 闪存和DRAM同领风骚
14
作者 双木 《电子产品世界》 1998年第1期60-62,共3页
4G位级大容量DRAM已经开发成功,正在开发的64M位级RDRAM在1998年可能成为高档个人机的主存储器,DRAM继续是半导体行业发展的重要支柱;因塑料BGA封装与HSTL接口电路的采用,SRAM的时钟频率已经达到... 4G位级大容量DRAM已经开发成功,正在开发的64M位级RDRAM在1998年可能成为高档个人机的主存储器,DRAM继续是半导体行业发展的重要支柱;因塑料BGA封装与HSTL接口电路的采用,SRAM的时钟频率已经达到200兆赫,DDR方式SRAM将于... 展开更多
关键词 半导体存储器 闪速存储器 dram
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空间太阳望远镜的星载固态存储器研制 被引量:12
15
作者 王芳 李恪 +1 位作者 苏林 耿立红 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期472-475,共4页
空间太阳望远镜有五个载荷仪器 ,其每天产生的数据达 172 8GB ,数据流以固态存储器为核心在星上数据处理系统各单元间调度 ,完成缓存、压缩、存储和下传 .本文分析了对固态存储器的需求 ,建立了其状态机模型 ,并确定了总体设计方案 .根... 空间太阳望远镜有五个载荷仪器 ,其每天产生的数据达 172 8GB ,数据流以固态存储器为核心在星上数据处理系统各单元间调度 ,完成缓存、压缩、存储和下传 .本文分析了对固态存储器的需求 ,建立了其状态机模型 ,并确定了总体设计方案 .根据该方案用DSP和FPGA构成控制逻辑 ,用DRAM芯片阵列构成存储模块 。 展开更多
关键词 星载固态存储器 数据存储 状态机 ADSP21060 dram 空间太阳望远镜 控制逻辑 数据处理
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中国半导体存储器市场前景 被引量:9
16
作者 邢雁宁 《电子产品世界》 2016年第7期4-7,共4页
本文介绍了存储器芯片分类,国际存储芯片厂商的发展情况,及我国存储芯片供需情况。
关键词 存储器 市场 dram FLASH
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基于USB 2.0及SDRAM的大容量存储卡设计 被引量:1
17
作者 熊兴中 汪学刚 《现代电子技术》 2005年第20期32-34,共3页
传统的存储卡常采用PC I接口或EPP接口,这两种接口的数据传输能力有限,在大容量、高速度数据传输时不能满足实际要求,而且他们不支持热拨插和即插即用,使用不方便,而U SB 2.0的数据传输速率可达480 M b/s,支持热拨插和即插即用;SDRAM是... 传统的存储卡常采用PC I接口或EPP接口,这两种接口的数据传输能力有限,在大容量、高速度数据传输时不能满足实际要求,而且他们不支持热拨插和即插即用,使用不方便,而U SB 2.0的数据传输速率可达480 M b/s,支持热拨插和即插即用;SDRAM是一种常用且性价比较高的高速存储器。基于U SB 2.0及SDRAM的大容量存储卡的设计,采用CY 7C 68013作为U SB通信及控制芯片,结合CPLD技术,实现了存储卡上SDRAM与计算机以及后续电路之间大容量、高速度数据传输,当CY 7C 68013工作为从模式时,slave F IFO与SDRAM之间的数据传输的最高速率可达到96 M B/s,该存储卡在高速信号处理领域中有着广泛的应用价值。 展开更多
关键词 USB 2.0协议 同步动态随机存储器 复杂可编程器件 固件
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延长相变存储器寿命的写操作Cache及其调度策略
18
作者 王党辉 徐如意 +3 位作者 刘朝锋 张萌 安建峰 孙靖国 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期900-906,共7页
相变存储器具有可扩展性好、单元尺寸小、静态功耗低等优点,是替代DRAM做主存的候选器件之一,但其可重复写入的次数有限。提出了一种基于DRAM写操作Cache的相变存储器主存结构,包括存储器控制器、读/写操作数据通路和标志域查找等。同... 相变存储器具有可扩展性好、单元尺寸小、静态功耗低等优点,是替代DRAM做主存的候选器件之一,但其可重复写入的次数有限。提出了一种基于DRAM写操作Cache的相变存储器主存结构,包括存储器控制器、读/写操作数据通路和标志域查找等。同时还提出了相应的调度策略,包括整体的读写调度以及基于写操作频率的替换策略等。仿真结果显示,所提出的方法可将相变存储器的寿命平均延长50%以上,同时使平均仿存延迟降低35%以上。 展开更多
关键词 相变存储器 寿命 控制器 可扩展性 dram写操作Cache 调度 替换策略 访问延迟
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DRAM技术的发展动态
19
作者 窦振中 《电子产品世界》 1999年第9期47-48,共2页
关键词 dram 动态读写存储器 结构
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一种高速增益单元存储器的内建自测试方案 被引量:1
20
作者 严冰 解玉凤 +1 位作者 袁瑞 林殷茵 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期192-197,共6页
介绍了一种用于测试高速增益单元嵌入式动态随机存储器的内建自测试方案。该方案包括了指令集设计和体系结构设计。四级指令流水线的引入使全速测试成为可能。该设计方案可以通过执行不同的测试指令,对待测存储器执行多种类型的测试,从... 介绍了一种用于测试高速增益单元嵌入式动态随机存储器的内建自测试方案。该方案包括了指令集设计和体系结构设计。四级指令流水线的引入使全速测试成为可能。该设计方案可以通过执行不同的测试指令,对待测存储器执行多种类型的测试,从而达到较高的故障覆盖率。该内建自测试模块被集成在了一个存储容量为8kb的增益单元嵌入式动态随机存储器芯片中,并在中芯国际0.13μm标准逻辑工艺下进行了流片验证。芯片测试结果表明,该内建自测试方案可以在多种测试模式下对待测存储器执行全速测试,提高了测试速度,降低了对自动测试设备的性能要求,提高了测试的效率。 展开更多
关键词 内建自测试 增益单元 嵌入式动态随机存储器
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