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一种基于动态阈值NMOS的1.2V CMOS模拟乘法器被引量：1: 1; 作者程卫东朱樟明王雷《电子科技》 2011年第9期38-41,共4页; 分析了以动态阈值NMOS晶体管作为输入信号的输入晶体管,利用4个动态阈值NMOS和2个有源电阻设计和实现的一种1.2 V低功耗CMOS模拟乘法器电路。该电路具有节省输入晶体管数目、偏置晶体管和偏置电路,以及性能指标优良的特点。其主要参数... 展开更多; 关键词模拟乘法器动态阈值晶体管低压低功耗金属氧化物半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种基于动态阈值NMOS管的1.2V模拟乘法器被引量：1: 2; 作者程卫东朱樟明《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第11期178-181,共4页; 基于CSMC 0.6μm DPDM CMOS工艺进行设计,利用4个动态阈值NMOS和2个有源电阻实现了一种1.2V低功耗模拟乘法器电路,既节省了输入晶体管数目,又节省了偏置晶体管和偏置电路.1.2V模拟乘法器的输入信号VinA的频率为5MHz,信号峰峰值为1.0V,... 展开更多; 关键词模拟乘法器动态阈值NMOS晶体管低压低功耗; 在线阅读下载PDF 职称材料

130nm PDSOI DTMOS体延迟研究: 3; 作者毕津顺韩郑生海潮和《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期868-870,共3页; 研究了基于IBM 8RF 130 nm工艺部分耗尽绝缘体上Si(PDSOI)动态阈值晶体管(DTMOS)体电阻、体电容以及体电阻和体电容乘积(体延迟)随Si膜厚度和器件宽度的变化。结果表明,Si膜厚度减小会导致体阻增大、体电容减小,但是体电阻和体电容的乘... 展开更多; 关键词部分耗尽绝缘体上硅动态阈值晶体管体电阻体电容延迟; 在线阅读下载PDF 职称材料

SOI DTMOS温度特性研究: 4; 作者毕津顺韩郑生海潮和《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期661-663,共3页; 对比研究了20μm/0.35μm的SOI（绝缘体上硅）普通MOS和DTMOS（动态阈值MOS）的温度特性。从20-125℃,普通MOS驱动电流减小了12.2%,而DTMOS驱动电流增大了65.3%。SOI DTMOS降低了垂直沟道方向的电场,减少了载流子表面散射,因此阈值电压... 展开更多; 关键词绝缘体上硅动态阈值晶体管温度特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种基于动态阈值NMOS的1.2V CMOS模拟乘法器被引量：1: 1; 作者程卫东朱樟明王雷; 机构西安微电子技术研究所元器件检测与可靠性事业部西安电子科技大学微电子学院; 出处《电子科技》 2011年第9期38-41,共4页; 文摘分析了以动态阈值NMOS晶体管作为输入信号的输入晶体管,利用4个动态阈值NMOS和2个有源电阻设计和实现的一种1.2 V低功耗CMOS模拟乘法器电路。该电路具有节省输入晶体管数目、偏置晶体管和偏置电路,以及性能指标优良的特点。其主要参数指标达到:一、三次谐波差值40 dB,输出信号频带宽度375 MHz,平均电源电流约30μA,动态功耗约36μW。可直接应用于低功耗通信集成电路设计。; 关键词模拟乘法器动态阈值晶体管低压低功耗金属氧化物半导体; Keywords analog multiplier dynamic threshold voltage low voltage low power CMOS; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种基于动态阈值NMOS管的1.2V模拟乘法器被引量：1: 2; 作者程卫东朱樟明; 机构西安微电子技术研究所西安电子科技大学微电子学院; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第11期178-181,共4页; 文摘基于CSMC 0.6μm DPDM CMOS工艺进行设计,利用4个动态阈值NMOS和2个有源电阻实现了一种1.2V低功耗模拟乘法器电路,既节省了输入晶体管数目,又节省了偏置晶体管和偏置电路.1.2V模拟乘法器的输入信号VinA的频率为5MHz,信号峰峰值为1.0V,输入信号VinB的频率为100MHz,信号峰峰值为0.5V时,输出信号Vout的峰峰值为0.35V,一次谐波和三次谐波的差值为40dB.1.2V模拟乘法器输出信号的频带宽度为375MHz,平均电源电流约为30μA,即动态功耗约为36μW,适合于便携式电子产品和带宽要求不太高(400MHz以下)的场合.; 关键词模拟乘法器动态阈值NMOS晶体管低压低功耗; Keywords analog multiplier dynamic threshold NMOS transistor low voltage low power; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名130nm PDSOI DTMOS体延迟研究: 3; 作者毕津顺韩郑生海潮和; 机构中国科学院微电子研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期868-870,共3页; 基金国家重点基础研究资助项目(2006CB302701); 文摘研究了基于IBM 8RF 130 nm工艺部分耗尽绝缘体上Si(PDSOI)动态阈值晶体管(DTMOS)体电阻、体电容以及体电阻和体电容乘积(体延迟)随Si膜厚度和器件宽度的变化。结果表明,Si膜厚度减小会导致体阻增大、体电容减小,但是体电阻和体电容的乘积却明显增大。Si膜厚度从200 nm减小到80 nm,体延迟增加将近两个数量级。器件宽度增加使得体电阻和体电容都明显增大,DTMOS电路延迟也因此指数递增。推导出了PDSOI DTMOS的延迟模型,为SOI DTMOS器件设计提供了参考。; 关键词部分耗尽绝缘体上硅动态阈值晶体管体电阻体电容延迟; Keywords partially depleted Si-on-insulator （PDSOI） dynamic threshold MOS body resistance body capacitance delay; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SOI DTMOS温度特性研究: 4; 作者毕津顺韩郑生海潮和; 机构中国科学院微电子研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期661-663,共3页; 基金国家重点基础研究子课题(2006CB302701); 文摘对比研究了20μm/0.35μm的SOI（绝缘体上硅）普通MOS和DTMOS（动态阈值MOS）的温度特性。从20-125℃,普通MOS驱动电流减小了12.2%,而DTMOS驱动电流增大了65.3%。SOI DTMOS降低了垂直沟道方向的电场,减少了载流子表面散射,因此阈值电压随温度减小占主导,驱动电流随着温度升高而增大。SOI DTMOS优秀的温度特性,使之非常适合于低压、低功耗、高温应用。; 关键词绝缘体上硅动态阈值晶体管温度特性; Keywords silicon-on-insulator dynamic threshold MOS temperature characteristics; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料