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题名130nm PDSOI DTMOS体延迟研究
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作者
毕津顺
韩郑生
海潮和
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机构
中国科学院微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第9期868-870,共3页
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基金
国家重点基础研究资助项目(2006CB302701)
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文摘
研究了基于IBM 8RF 130 nm工艺部分耗尽绝缘体上Si(PDSOI)动态阈值晶体管(DTMOS)体电阻、体电容以及体电阻和体电容乘积(体延迟)随Si膜厚度和器件宽度的变化。结果表明,Si膜厚度减小会导致体阻增大、体电容减小,但是体电阻和体电容的乘积却明显增大。Si膜厚度从200 nm减小到80 nm,体延迟增加将近两个数量级。器件宽度增加使得体电阻和体电容都明显增大,DTMOS电路延迟也因此指数递增。推导出了PDSOI DTMOS的延迟模型,为SOI DTMOS器件设计提供了参考。
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关键词
部分耗尽绝缘体上硅
动态阈值晶体管
体电阻
体电容
延迟
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Keywords
partially depleted Si-on-insulator （PDSOI）
dynamic threshold MOS
body resistance
body capacitance
delay
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名SOI DTMOS温度特性研究
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作者
毕津顺
韩郑生
海潮和
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机构
中国科学院微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期661-663,共3页
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基金
国家重点基础研究子课题(2006CB302701)
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文摘
对比研究了20μm/0.35μm的SOI（绝缘体上硅）普通MOS和DTMOS（动态阈值MOS）的温度特性。从20-125℃,普通MOS驱动电流减小了12.2%,而DTMOS驱动电流增大了65.3%。SOI DTMOS降低了垂直沟道方向的电场,减少了载流子表面散射,因此阈值电压随温度减小占主导,驱动电流随着温度升高而增大。SOI DTMOS优秀的温度特性,使之非常适合于低压、低功耗、高温应用。
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关键词
绝缘体上硅
动态阈值晶体管
温度特性
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Keywords
silicon-on-insulator
dynamic threshold MOS
temperature characteristics
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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