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基于源极直连策略的并联SiC MOSFETs动态均流方法
1
作者
陈浩斌
闫海东
+2 位作者
马凯
郭清
盛况
《电工技术学报》
北大核心
2025年第16期5119-5135,共17页
并联SiC MOSFETs是提高大功率电力电子系统电流容量的经济高效方法。然而,在多芯片功率模块中,容易出现动态电流不平衡现象。该文提出一种在并联SiC MOSFETs芯片之间进行源极直连的动态均流方法。基于电路模型和理论分析,阐明动态电流...
并联SiC MOSFETs是提高大功率电力电子系统电流容量的经济高效方法。然而,在多芯片功率模块中,容易出现动态电流不平衡现象。该文提出一种在并联SiC MOSFETs芯片之间进行源极直连的动态均流方法。基于电路模型和理论分析,阐明动态电流不平衡机理和动态均流方法的作用机制。仿真和实验均验证了该机理和方法的有效性。研究表明,采用该文提出的动态均流方法后,并联SiC MOSFETs的动态电流差异和开关损耗差异降低大于50%;另外,在具有更多芯片并联的SiC功率模块中验证了该方法的有效性。与传统方法相比,且该方法无需增加额外的大体积元件,也无需改变直接覆铜陶瓷(DBC)基板的布局,实现简单,经济性高。同时,与传统的制程技术兼容性好,且不需要复杂设计或精确计算,能够很好地满足极简封装制程的要求。
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关键词
并联SiC
MOSFETs
动态电流不平衡
动态
均流方法
源极直连(DSI)
多芯片SiC功率模块
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职称材料
题名
基于源极直连策略的并联SiC MOSFETs动态均流方法
1
作者
陈浩斌
闫海东
马凯
郭清
盛况
机构
浙江大学电气工程学院
广东电网有限责任公司电力科学研究院广东省电力装备可靠性企业重点实验室
出处
《电工技术学报》
北大核心
2025年第16期5119-5135,共17页
基金
中国南方电网有限责任公司科技资助项目(GDKJXM20222550)。
文摘
并联SiC MOSFETs是提高大功率电力电子系统电流容量的经济高效方法。然而,在多芯片功率模块中,容易出现动态电流不平衡现象。该文提出一种在并联SiC MOSFETs芯片之间进行源极直连的动态均流方法。基于电路模型和理论分析,阐明动态电流不平衡机理和动态均流方法的作用机制。仿真和实验均验证了该机理和方法的有效性。研究表明,采用该文提出的动态均流方法后,并联SiC MOSFETs的动态电流差异和开关损耗差异降低大于50%;另外,在具有更多芯片并联的SiC功率模块中验证了该方法的有效性。与传统方法相比,且该方法无需增加额外的大体积元件,也无需改变直接覆铜陶瓷(DBC)基板的布局,实现简单,经济性高。同时,与传统的制程技术兼容性好,且不需要复杂设计或精确计算,能够很好地满足极简封装制程的要求。
关键词
并联SiC
MOSFETs
动态电流不平衡
动态
均流方法
源极直连(DSI)
多芯片SiC功率模块
Keywords
Paralleled SiC MOSFETs
dynamic current imbalance
dynamic current balancing method
direct source interconnection(DSI)
multichip SiC power modules
分类号
TM46 [电气工程—电器]
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于源极直连策略的并联SiC MOSFETs动态均流方法
陈浩斌
闫海东
马凯
郭清
盛况
《电工技术学报》
北大核心
2025
0
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