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反向导通电流对GaN HEMT动态导通电阻漂移的影响: 1; 作者孙凯《半导体技术》北大核心 2025年第11期1122-1127,共6页; 动态导通电阻(R_(ON))会导致GaN HEMT额外的导通损耗,进而影响电力电子变换器的效率和热管理。探究了不同工作模式下反向导通电流对GaN HEMTR_(ON)漂移的影响。设计了基于全桥电路的测试方法,能够灵活调节器件的工作模式。实验发现反向... 展开更多; 关键词 GaN HEMT 动态导通电阻反向导通软开关硬开关; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于连续双脉冲测试的GaN HEMT动态导通电阻变化及测量方法被引量：1: 2; 作者陈耀峰《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第10期920-925,共6页; 实际应用中,GaN HEMT的动态导通电阻会随着工作电压、工作温度等因素的变化而改变,相同温度下的实际值常与静态测量结果有所差异。由于实验条件及测量方法不同,同一型号的器件往往会出现不一致的测试结果,对应用工况的设计与监测带来了... 展开更多; 关键词 GaN HEMT 动态导通电阻连续双脉冲测试差分计算机理分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于恒流源的增强型GaN动态导通电阻特性研究被引量：1: 3; 作者周子牛敬成 +1 位作者鲁金科赵浩《现代电子技术》北大核心 2024年第4期28-32,共5页; 动态导通电阻现象会导致GaN器件导通电阻增加,不仅会增大器件通态损耗,还会使器件温升更加显著,是限制GaN器件在高频度变换器中应用的重要因素之一。针对该现象,设计一种基于高速脉冲恒流源的动态导通电阻测试平台,并利用该平台分析了... 展开更多; 关键词 GAN器件恒流源动态导通电阻钳位电路断态电压应力断态电压持续时间; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN器件动态导通电阻精确测试与影响因素分析被引量：6: 4; 作者赵方玮李艳 +2 位作者魏超张楠郑妍璇《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第18期4664-4675,共12页; GaN器件较传统Si器件具有耐高压、耐高温、导通电阻小和开关损耗小等优势,但其特有的动态导通电阻现象是限制其大规模应用的主要问题。该文基于动态导通电阻影响机理分析,首先提出一种GaN器件动态导通电阻综合测试平台及测试方法;然后... 展开更多; 关键词 GAN器件电流崩塌效应动态导通电阻精确测试优化应用方法; 在线阅读下载PDF 职称材料

抗高压动态导通电阻退化的高性能GaN功率开关器件研究被引量：1: 5; 作者覃孟潘革生《电源学报》 CSCD 北大核心 2021年第5期158-164,共7页; GaN功率开关器件界面态和缓冲层中深能级陷阱会导致高压电流坍塌和动态导通电阻退化。为提升高性能GaN功率开关器件抗高压性能,改善动态导通电阻退化能力,应采用极值性PEALD-AlN钝化技术设计高压状况下GaN功率开关器件,实现单片集成器... 展开更多; 关键词抗高压动态导通电阻高性能功率开关器件钝化技术磷离子; 在线阅读下载PDF 职称材料

氧化锌压敏电阻静电放电防护性能的测试被引量：3: 6; 作者梁偲偲《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2016年第10期40-42,59,共4页; 研究常用静电放电防护器件氧化锌压敏电阻的静电放电防护性能,设计了一套静电放电防护器性能测试方法,搭建相关测试平台。研究了该保护器件及其组合网络对静电放电脉冲的响应规律及特点,分析了动态导通电阻、箝位电压、响应峰值电流等... 展开更多; 关键词静电放电防护器件动态导通电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN功率开关器件研究现状被引量：2: 7; 作者王玮王宏兴《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第2期99-109,共11页; 第三代半导体材料氮化镓(GaN)具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度等优良特性,基于GaN材料的功率开关器件在高速、大功率领域具有广阔的应用前景。概述了GaN功率开关器件的研究现状及最新进展。从材料外延与... 展开更多; 关键词氮化镓(GaN) 功率开关高电子迁移率晶体管(HEMT) 增强型动态导通电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名反向导通电流对GaN HEMT动态导通电阻漂移的影响: 1; 作者孙凯; 机构国家电投集团河北电力有限公司保定分公司; 出处《半导体技术》北大核心 2025年第11期1122-1127,共6页; 基金国家电投集团河北电力有限公司科技项目(KJ-C-2022-GF12)。; 文摘动态导通电阻(R_(ON))会导致GaN HEMT额外的导通损耗,进而影响电力电子变换器的效率和热管理。探究了不同工作模式下反向导通电流对GaN HEMTR_(ON)漂移的影响。设计了基于全桥电路的测试方法,能够灵活调节器件的工作模式。实验发现反向导通工作模式对GaN HEMTR_(ON)漂移有积极影响。在无反向导通的软开关、硬开关和反向导通后软开关模式下,其R_(ON)分别为374、394和365mΩ,表明反向导通后软开关模式能使器件的R_(ON)显著减小;当反向导通电流从1A增大到4A时,R_(ON)从365mΩ进一步减小到342mΩ。此外,基于理论分析及TCAD仿真,对该现象进行了机理分析。本研究为GaN功率器件在实际应用中的设计和性能优化提供了新思路。; 关键词 GaN HEMT 动态导通电阻反向导通软开关硬开关; Keywords GaN HEMT dynamic on-resistance reverse conduction soft-switching hard-switching; 分类号 TN386.6 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于连续双脉冲测试的GaN HEMT动态导通电阻变化及测量方法被引量：1: 2; 作者陈耀峰; 机构国家电投集团河北电力有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第10期920-925,共6页; 基金集电线路智能化辅助巡检关键技术研究与应用项目(042300006427)。; 文摘实际应用中,GaN HEMT的动态导通电阻会随着工作电压、工作温度等因素的变化而改变,相同温度下的实际值常与静态测量结果有所差异。由于实验条件及测量方法不同,同一型号的器件往往会出现不一致的测试结果,对应用工况的设计与监测带来了困难。针对这一问题,提出了基于连续双脉冲的测试方法,并提出了一种基于差分计算的动态导通电阻提取方法,以更准确地提取器件的动态导通电阻。进一步讨论了母线电压和温度对器件动态导通电阻的影响,当母线电压增大时,GaN HEMT的动态导通电阻表现出先增大后减小的非单调的变化特性,动态导通电阻的标准值基本不随温度变化而改变。最后,探究了GaN HEMT动态导通电阻变化的机理,进一步加深了对器件动态导通电阻变化的理解。; 关键词 GaN HEMT 动态导通电阻连续双脉冲测试差分计算机理分析; Keywords GaN HEMT dynamic on-resistance continuous double pulse test differential computation mechanism analysis; 分类号 TN386.6 [电子电信—物理电子学] TN307 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于恒流源的增强型GaN动态导通电阻特性研究被引量：1: 3; 作者周子牛敬成鲁金科赵浩; 机构三峡大学电气与新能源学院国网广元供电公司; 出处《现代电子技术》北大核心 2024年第4期28-32,共5页; 文摘动态导通电阻现象会导致GaN器件导通电阻增加,不仅会增大器件通态损耗,还会使器件温升更加显著,是限制GaN器件在高频度变换器中应用的重要因素之一。针对该现象,设计一种基于高速脉冲恒流源的动态导通电阻测试平台,并利用该平台分析了两款不同电压等级器件的导通电阻对断态电压应力、断态电压持续时间以及环境温度的影响。研究结果表明:当断态电压应力增大到两款器件各自额定电压的60%,两款器件的导通电阻分别较各自的标称值变化了15%和25%;断态电压持续时间增至100 s,两款器件的导通电阻分别较各自标称值变化了40%和81%;随着环境温度增大到125℃,两款器件的导通电阻分别较各自的标称值变化了102%和105%。GaN器件动态导通电阻现象较为显著,因此有必要在设计变换器时慎重地考虑GaN器件的工况,以保证在符合系统指标的前提下降低动态导通电阻的影响,从而提高GaN器件的效率。; 关键词 GAN器件恒流源动态导通电阻钳位电路断态电压应力断态电压持续时间; Keywords GaN device constant current source dynamic on-resistance clamp circuit off-state voltage stress off-state voltage duration; 分类号 TN386-34 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN器件动态导通电阻精确测试与影响因素分析被引量：6: 4; 作者赵方玮李艳魏超张楠郑妍璇; 机构北京交通大学电气工程学院; 出处《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第18期4664-4675,共12页; 基金国家自然科学基金面上资助项目(51877007)。; 文摘 GaN器件较传统Si器件具有耐高压、耐高温、导通电阻小和开关损耗小等优势,但其特有的动态导通电阻现象是限制其大规模应用的主要问题。该文基于动态导通电阻影响机理分析,首先提出一种GaN器件动态导通电阻综合测试平台及测试方法;然后测试了三款同电压/电流等级、不同结构GaN器件在各影响因素下的动态导通电阻,分析影响因素占比及动态导通电阻变化规律,与机理分析进行对比验证;最后从器件应用角度给出动态导通电阻优化方法。该文提出的测试平台测试变量基本涵盖实际应用中的全部动态导通电阻影响因素。实验表明,不同结构GaN器件动态导通电阻特性不同,且占主导的动态导通电阻影响因素不同。从应用层面优化动态导通电阻,可有效降低通态损耗。; 关键词 GAN器件电流崩塌效应动态导通电阻精确测试优化应用方法; Keywords GaN devices current collapse effect dynamic on-resistance accurate test optimized application method; 分类号 TM46 [电气工程—电器] TN30 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名抗高压动态导通电阻退化的高性能GaN功率开关器件研究被引量：1: 5; 作者覃孟潘革生; 机构北海职业学院机电工程系南宁师范大学计算机与信息工程学院; 出处《电源学报》 CSCD 北大核心 2021年第5期158-164,共7页; 文摘 GaN功率开关器件界面态和缓冲层中深能级陷阱会导致高压电流坍塌和动态导通电阻退化。为提升高性能GaN功率开关器件抗高压性能,改善动态导通电阻退化能力,应采用极值性PEALD-AlN钝化技术设计高压状况下GaN功率开关器件,实现单片集成器件的目的,在去氧化层和氮化处理GaN功率开关器件表面后,采用高温LPCVD-SiNx钝化技术,使器件表面形成钝化层,抑制界面态导致的高压电流坍塌。同时,在高性能GaN功率开关器件电极附近注入磷离子,提升导通电阻性能,降低导通电阻退化速度。经过实验分析发现,经过极值性PEALD-AlN钝化后的GaN功率开关器件电流几乎无明显变化,在磷离子注入后,随着触发能量的变化,导通电阻变化较小,最小值达到3.16Ω/mm,即该方法能有效抗高压动态导通电阻退化。; 关键词抗高压动态导通电阻高性能功率开关器件钝化技术磷离子; Keywords high-voltage resistance dynamic on-resistance high performance power switching device passivation technology phosphorus ion; 分类号 TN256 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氧化锌压敏电阻静电放电防护性能的测试被引量：3: 6; 作者梁偲偲; 机构武汉大学电子信息学院教学与实验中心; 出处《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2016年第10期40-42,59,共4页; 文摘研究常用静电放电防护器件氧化锌压敏电阻的静电放电防护性能,设计了一套静电放电防护器性能测试方法,搭建相关测试平台。研究了该保护器件及其组合网络对静电放电脉冲的响应规律及特点,分析了动态导通电阻、箝位电压、响应峰值电流等参数与其静电放电防护能力的关系,并给出了最佳防护方案。该研究为电路设计时选取氧化锌压敏电阻作为静电放电防护器件提供了参考。; 关键词静电放电防护器件动态导通电阻; Keywords electrostatic discharge protective devices dynamic on resistance; 分类号 TM286 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN功率开关器件研究现状被引量：2: 7; 作者王玮王宏兴; 机构西安交通大学电子科学与工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第2期99-109,共11页; 基金囯家重点研发计划资助项目(2017YFB0402800,2017YFB0402802) 中国博士后科学基金资助项目(2019M653637).; 文摘第三代半导体材料氮化镓(GaN)具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度等优良特性,基于GaN材料的功率开关器件在高速、大功率领域具有广阔的应用前景。概述了GaN功率开关器件的研究现状及最新进展。从材料外延与器件结构切入,详细介绍了Si基GaN外延晶圆、自支撑GaN垂直结构场效应晶体管(FET)器件和增强型GaN功率器件的实现方法、结构设计及制备工艺研究等GaN功率器件热门研究方向。讨论了GaN功率开关器件面临的挑战。最后对Si基GaN外延晶圆、增强型GaN功率开关器件产业化等发展趋势进行了分析与展望。; 关键词氮化镓(GaN) 功率开关高电子迁移率晶体管(HEMT) 增强型动态导通电阻; Keywords gallium nitride(GaN) power switch high electron mobility transistor(HEMT) enhancement mode dynamic on resistance; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	反向导通电流对GaN HEMT动态导通电阻漂移的影响	孙凯	《半导体技术》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于连续双脉冲测试的GaN HEMT动态导通电阻变化及测量方法	陈耀峰	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于恒流源的增强型GaN动态导通电阻特性研究	周子牛敬成鲁金科赵浩	《现代电子技术》北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	GaN器件动态导通电阻精确测试与影响因素分析	赵方玮李艳魏超张楠郑妍璇	《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心	2022	6	在线阅读下载PDF 职称材料
5	抗高压动态导通电阻退化的高性能GaN功率开关器件研究	覃孟潘革生	《电源学报》 CSCD 北大核心	2021	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	氧化锌压敏电阻静电放电防护性能的测试	梁偲偲	《实验室研究与探索》 CAS 北大核心	2016	3	在线阅读下载PDF 职称材料
7	GaN功率开关器件研究现状	王玮王宏兴	《半导体技术》 CAS 北大核心	2020	2	在线阅读下载PDF 职称材料