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核医学数据获取动态存储器的设计 被引量:1
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作者 蔡建新 阎华文 刘洪涛 《核电子学与探测技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期434-436,共3页
介绍了核医学图像数据获取的基本方法和与计算机的接口 ,重点介绍接口中数据获取动态存储器的设计 。
关键词 核医学 数据获取 动态存储器 医学影像设备 设计
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多隧道结单电子动态存储器的Monte Carlo模拟
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作者 许海霞 李钱光 +3 位作者 杨毅 闵永泉 李志扬 刘武 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期214-218,共5页
本文采用MonteCarlo方法模拟了多隧道结单电子动态存储器的存储特性 ,考察了隧道结的个数、隧道结电容、隧道结电阻、脉冲电压幅度等参数对存储器的存储时间和饱和充电电荷的影响 。
关键词 蒙特卡罗模拟 单电子动态存储器 多隧道结 隧道结电容 隧道结电阻 脉冲电压幅度 存储时间 充电电荷
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三星电子改进半导体存储器设计
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作者 薛严 《电子产品可靠性与环境试验》 2025年第1期73-73,共1页
据韩国半导体业界近日透露,三星电子正在改进12 nm级动态随机存取存储器“D1b”的设计。三星电子于2023年首次量产“D1b”,应用于显卡动态随机存取存储器和手机动态随机存取存储器上。此次改变已生产一年多的动态随机存取存储器设计是... 据韩国半导体业界近日透露,三星电子正在改进12 nm级动态随机存取存储器“D1b”的设计。三星电子于2023年首次量产“D1b”,应用于显卡动态随机存取存储器和手机动态随机存取存储器上。此次改变已生产一年多的动态随机存取存储器设计是半导体行业中罕见的案例。 展开更多
关键词 半导体存储器 动态随机存取存储器 三星电子 显卡 半导体行业 量产
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同步动态随机存储器辐射效应测试系统研制 被引量:4
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作者 姚志斌 罗尹虹 +3 位作者 陈伟 何宝平 张凤祁 郭红霞 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期2699-2704,共6页
在分析同步动态随机存储器(SDRAM)辐射效应主要失效现象的基础上,研制了具备了读写功能测试、刷新周期测试及功耗电流测试三种功能的SDRAM辐射效应在线测试系统,并开展了SDRAM的总剂量效应实验研究。结果表明,总剂量效应会导致SDRAM器... 在分析同步动态随机存储器(SDRAM)辐射效应主要失效现象的基础上,研制了具备了读写功能测试、刷新周期测试及功耗电流测试三种功能的SDRAM辐射效应在线测试系统,并开展了SDRAM的总剂量效应实验研究。结果表明,总剂量效应会导致SDRAM器件的数据保持时间不断减小,功耗电流不断增大以及读写功能失效。实验样品MT48LC8M32B2的功能失效主要由外围控制电路造成,而非存储单元翻转。数据保持时间虽然随着辐照剂量的累积不断减小,但不是造成该器件功能失效的直接原因。 展开更多
关键词 同步动态随机存储器 辐射效应 测试系统 刷新周期 总剂量效应
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动态随机存储器IC芯片制造技术的进展与展望 被引量:4
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作者 孙以材 王静 +2 位作者 赵彦晓 田立强 刘江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期10-13,共4页
介绍了DRAM 0.1mm特征尺寸理论极限的突破及相关技术进展,以及各种非易失性随机存储器(NVRAM)如FeRAM,相变RAM,MRAM。现今PC中的RAM很快将被NVRAM所取代,从而可缩短PC的启动时间。
关键词 动态随机存储器 IC芯片 展望 集成电路 非易失性随机存储器
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动态随机存储器中堆叠电容器结构的互连寄生电容模拟 被引量:1
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作者 李毅 王泽毅 侯劲松 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期29-31,共3页
在高密度比特位动态随机存储器 (DRAM)芯片的发展中 ,随着多层布线与复杂存储单元结构的日渐普遍使用 ,互连寄生电容对存储器件性能如时延、功耗、噪声等的影响日渐突出 ,已成为不可忽视的重要因素 ,对互连寄生电容提取软件提出了紧迫... 在高密度比特位动态随机存储器 (DRAM)芯片的发展中 ,随着多层布线与复杂存储单元结构的日渐普遍使用 ,互连寄生电容对存储器件性能如时延、功耗、噪声等的影响日渐突出 ,已成为不可忽视的重要因素 ,对互连寄生电容提取软件提出了紧迫的要求 .本文介绍一个基于直接边界元素法的精度高 ,速度快 ,并可适应复杂堆叠(stacked)电容器结构的互连寄生电容模拟软件 ,并通过实例计算 。 展开更多
关键词 寄生电容 动态随机存储器 堆叠存储电容器
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同步动态随机存储器的控制器设计与实现 被引量:7
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作者 吴进 刘路 《西安邮电学院学报》 2012年第5期78-80,83,共4页
为了满足不同平台的需求,简化同步动态随机存储器(SDRAM)的控制器,采用现场可编程门阵列(FPGA)方法,给出一种SDRAM控制器设计方案。引入的仲裁机制可以用Verilog硬件描述语言编写,灵活性强,只需加以简单修改即可满足不同需求。仿真结果... 为了满足不同平台的需求,简化同步动态随机存储器(SDRAM)的控制器,采用现场可编程门阵列(FPGA)方法,给出一种SDRAM控制器设计方案。引入的仲裁机制可以用Verilog硬件描述语言编写,灵活性强,只需加以简单修改即可满足不同需求。仿真结果表明,采用基于FPGA设计的SDRAM控制器能很好完成规定读写操作。 展开更多
关键词 同步动态随机存储器 控制器 现场可编程门阵列Verilog硬件描述语言
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电磁故障注入攻击对动态随机存取存储器安全性的影响研究 被引量:2
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作者 刘强 唐鸿辉 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第9期2449-2457,共9页
以探索电磁故障注入(EMFI)攻击对动态随机存取存储器(DRAM)的安全性影响为目标,该文使用电磁故障注入攻击平台对DRAM进行了扫描攻击,对出现的故障进行统计分类,随后基于DRAM的基本结构分析阐述了造成故障的机理,最后展示了通过电磁脉冲... 以探索电磁故障注入(EMFI)攻击对动态随机存取存储器(DRAM)的安全性影响为目标,该文使用电磁故障注入攻击平台对DRAM进行了扫描攻击,对出现的故障进行统计分类,随后基于DRAM的基本结构分析阐述了造成故障的机理,最后展示了通过电磁脉冲攻击DRAM对计算机系统的安全威胁。实验表明电磁脉冲在DRAM中既可以引起瞬时故障也可以引起持续性故障,且以多故障为主。分析发现,电磁脉冲故障攻击技术可以以低的时间和空间分辨率向DRAM的指定地址注入持续性故障。另外,该文成功地将持续性故障注入到了存储在DRAM中的AES-128程序中并破解了其密钥,证明了使用电磁脉冲对DRAM进行攻击能对计算机系统造成安全威胁,展示了DRAM安全性的研究对硬件系统安全具有重要意义。 展开更多
关键词 硬件安全 电磁故障注入攻击 动态随机存取存储器
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动态随机存储器新动向
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作者 卫欣 《世界电子元器件》 1998年第8期27-31,共5页
美国Rambus Inc.已策划出Direct Rambus DRAM规范,其目标是瞄准1999年度PC机主存储器市场。这是备有高速接口的DRAM(Direct Rambus DRAM)规范,美国Intel Corp.将于1999年投放市场的PC机用外围LSI电路里,决定嵌入Direct Rambus DRAM的接... 美国Rambus Inc.已策划出Direct Rambus DRAM规范,其目标是瞄准1999年度PC机主存储器市场。这是备有高速接口的DRAM(Direct Rambus DRAM)规范,美国Intel Corp.将于1999年投放市场的PC机用外围LSI电路里,决定嵌入Direct Rambus DRAM的接口电路。世界著名的DRAM厂家有13家鉴于此情,纷纷领取Direct Rambus DRAM生产许可证。 展开更多
关键词 动态随机存储器 存储器 DRAM
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TMS320C6711和外部存储器接口的设计
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作者 段荣行 王平 《信息技术》 2006年第1期37-39,共3页
DSP和外部存储器接口是TI公司的DSP系统设计中的重要环节。介绍了TMS320C6711外部扩展存储器接口设计,文中以Hynix公司的SDRAM存储器(HY57V653220B)为例,给出了具体的接口电路和相关寄存器的配置方法,并给出了EMIF初始化的程序源代码。
关键词 数字信号处理器 存储器接口 同步动态存储器 寄存器
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1.25VRDIMM:动态随机存取存储器
11
《世界电子元器件》 2011年第10期29-29,共1页
三星电子推出采用30纳米级企业服务器1.25V16GBDDR3RDIMM(RegisteredDualInlineMemoryModule)产品。
关键词 动态随机存取存储器 企业服务器 三星电子 纳米级
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嵌入式高速DSP视频图像处理系统中数据存储器的接口设计 被引量:12
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作者 李武森 迟泽英 陈文建 《红外技术》 CSCD 北大核心 2003年第1期51-53,57,共4页
探讨了高速DSP视频处理系统中外部数据存储器的容量、速度及与TMS32 0C6X的接口方法 ,设计了实际的接口电路 ,讨论了TMS32 0C6X的片内数据存储器及其地址冲突问题 ,以及视频处理过程中图像数据的存放问题。
关键词 嵌入式 DSP 视频图像处理系统 数据存储器 接口设计 数字信号处理器 同步动态扫描存储器
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一种基于碳纳米管的随机存储器
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作者 孙劲鹏 王太宏 《微纳电子技术》 CAS 2002年第10期8-13,26,共7页
随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限。为了解决传统存储器件发展遇到的困难,利用碳纳米管之间范德瓦耳斯力,设计了一种基于碳纳米管的可读写的随机存储器,研究了系统的双稳性,讨论了存储... 随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限。为了解决传统存储器件发展遇到的困难,利用碳纳米管之间范德瓦耳斯力,设计了一种基于碳纳米管的可读写的随机存储器,研究了系统的双稳性,讨论了存储器的优点和可行性,并认为系统具有良好存储效应所应满足的条件。 展开更多
关键词 碳纳米管 随机存储器 范德瓦耳斯力 动态随机存储器 化学汽相沉积
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数字双节目电视系统中场存储器的设计
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作者 史西河 于明 《河北工学院学报》 1993年第1期56-61,共6页
本文对数字双节目系统中所用的场存储器的特点进行了分析,采用大规模动态存储器MCM514256,设计并制作了场存储器,与采用静态存储器相比,具有体积小,耗电少,成本低等优点,经过实际使用效果很好。
关键词 双节目电视 存储器 动态存储器
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一种高速增益单元存储器的内建自测试方案 被引量:1
15
作者 严冰 解玉凤 +1 位作者 袁瑞 林殷茵 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期192-197,共6页
介绍了一种用于测试高速增益单元嵌入式动态随机存储器的内建自测试方案。该方案包括了指令集设计和体系结构设计。四级指令流水线的引入使全速测试成为可能。该设计方案可以通过执行不同的测试指令,对待测存储器执行多种类型的测试,从... 介绍了一种用于测试高速增益单元嵌入式动态随机存储器的内建自测试方案。该方案包括了指令集设计和体系结构设计。四级指令流水线的引入使全速测试成为可能。该设计方案可以通过执行不同的测试指令,对待测存储器执行多种类型的测试,从而达到较高的故障覆盖率。该内建自测试模块被集成在了一个存储容量为8kb的增益单元嵌入式动态随机存储器芯片中,并在中芯国际0.13μm标准逻辑工艺下进行了流片验证。芯片测试结果表明,该内建自测试方案可以在多种测试模式下对待测存储器执行全速测试,提高了测试速度,降低了对自动测试设备的性能要求,提高了测试的效率。 展开更多
关键词 内建自测试 增益单元 嵌入式动态随机存储器
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多标准视频硬件解码器的存储器地址映射方法 被引量:1
16
作者 陆泳 张文军 刘佩林 《电视技术》 北大核心 2006年第12期39-42,共4页
提出了一种支持多标准视频的存储器地址映射方法,用一个简洁的公式把视频图像映射到DDRSDRAM的存储空间。该方法兼顾运动补偿模块、去块效应滤波模块(或重建模块)和显示模块的不同需求特点,通过充分减少DDRSDRAM非读写命令的额外延时,... 提出了一种支持多标准视频的存储器地址映射方法,用一个简洁的公式把视频图像映射到DDRSDRAM的存储空间。该方法兼顾运动补偿模块、去块效应滤波模块(或重建模块)和显示模块的不同需求特点,通过充分减少DDRSDRAM非读写命令的额外延时,达到较高的存储器接口效率。 展开更多
关键词 地址映射 倍速同步动态随机存储器 多标准视频 运动补偿
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嵌入式系统中存储器性能研究 被引量:1
17
作者 石磊 袁杰 《现代电子技术》 2012年第2期13-16,共4页
动态随机存储器是嵌入式系统的一个重要组成部分,而动态随机存储器故障是嵌入式系统故障的一个主要原因之一。在此从动态随机存储器的结构和失效模型出发,有针对地提出了用于检测性能的数据和读写方式,实验证明通过提出的检测方法能够... 动态随机存储器是嵌入式系统的一个重要组成部分,而动态随机存储器故障是嵌入式系统故障的一个主要原因之一。在此从动态随机存储器的结构和失效模型出发,有针对地提出了用于检测性能的数据和读写方式,实验证明通过提出的检测方法能够有效地找出潜在的存储器故障,从而能够为嵌入式系统设计人员提供改善系统性能的方法和途径。 展开更多
关键词 嵌入式系统 动态随机存储器 故障检测 失效模型
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核高基重大专项存储器课题顺利通过验收
18
《集成电路应用》 2013年第1期44-44,共1页
国家核高基重大专项“面向安全适用计算机的高性能低功耗动态随机存储器产品研发”课题验收会不久前在浪潮科技园隆重召开。会议由工信部电子信息司集成电路处处长任爱光主持,原信息产业部产品司副司长郑敏政担任专家组组长。
关键词 动态随机存储器 大专 基重 产品研发 信息产业部 课题验收 集成电路 电子信息
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东芝开发出大容量非易失铁电存储器
19
《中国集成电路》 2009年第3期5-5,共1页
日本东芝公司日前宣布,该公司开发出容量128兆比特、数据传输速度每秒1.6吉字节的非易失铁电随机存储器(FeRAM),创下世界非易失随机存储器容量和速度两项最高记录。本次开发的铁电随机存储器还采用与动态随机存储器(DRAM)相同的D... 日本东芝公司日前宣布,该公司开发出容量128兆比特、数据传输速度每秒1.6吉字节的非易失铁电随机存储器(FeRAM),创下世界非易失随机存储器容量和速度两项最高记录。本次开发的铁电随机存储器还采用与动态随机存储器(DRAM)相同的DDR2接口,从而实现了在提高系统性能的同时减少耗电量的目标。新开发的非易失铁电随机存储器将来有望用作手机等各种移动设备的主存,和笔记本、固态硬盘的缓存。 展开更多
关键词 日本东芝公司 大容量 铁电存储器 开发 铁电随机存储器 数据传输速度 动态随机存储器 DDR2
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海力士研发出40纳米级存储器芯片
20
《中国集成电路》 2009年第3期2-2,共1页
南韩海力士半导体公司(Hynix Semiconductor)日前宣布,已使用最细微技术研发出全球密度最高存储器芯片。海力士这种崭新的“DDR3DRAM”(DDR3动态随机存取存储器)芯片采用的技术能让互联线相距仅40纳米,细微度是目前产品的1/5。
关键词 存储器芯片 纳米级 研发 动态随机存取存储器 半导体公司 微技术 互联线
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