期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于真空电弧伏安特性的大电流真空多断口并联动态均流特性
1
作者
韩翔宇
杨飞
+3 位作者
陈洪斌
李刚
孙晋茹
荣命哲
《高电压技术》
北大核心
2025年第4期1922-1933,共12页
高压、大容量发电机断路器是发电厂的关键电力开关设备,其额定电流与故障电流均超出了单个真空灭弧室的容量极限,需并联多个真空灭弧室。针对真空多断口并联动态燃弧过程中的均流问题,搭建了真空燃弧实验平台,开展了40~80 kA大电流燃弧...
高压、大容量发电机断路器是发电厂的关键电力开关设备,其额定电流与故障电流均超出了单个真空灭弧室的容量极限,需并联多个真空灭弧室。针对真空多断口并联动态燃弧过程中的均流问题,搭建了真空燃弧实验平台,开展了40~80 kA大电流燃弧实验,并用高速摄影仪同步拍摄电弧形态。根据大电流真空电弧的伏安特性将燃弧过程划分为瞬态起弧阶段、电弧演变的非稳定阶段和电弧演变的稳定阶段,详细分析了电弧形态、电流等级对伏安特性的影响规律。提出了基于不同燃弧阶段下伏安特性的大电流真空电弧的电路模型,电弧电压的仿真误差最大仅为弧压极值的4.99%。之后,建立了大电流真空多断口并联均流的仿真拓扑,研究了起弧延时和支路阻抗对动态均流的影响规律,并阐明了最佳起弧延时的绝对值会随着静态均流系数的降低而提高。最后,开展了100 kA真空多断口并联均流实验,成功实现了较好的均流效果,也验证了所提模型的预测能力。该结论将为高压、大容量发电机断路器开断性能的提升奠定基础。
展开更多
关键词
发电机断路器
真空多断口
伏安
特性
静态
均
流
特性
动态均流特性
在线阅读
下载PDF
职称材料
SiC MOSFET并联动态电流不均衡的无源补偿策略
被引量：
2
2
作者
朱梓悦
秦海鸿
+1 位作者
潘国威
陈迪克
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第9期712-718,共7页
SiC MOSFET分立器件的并联结构已在中大功率应用中广泛使用,为了充分利用并联的优势,需解决并联动态电流不均衡问题。在SiC MOSFET特性参数中,阈值电压是影响并联动态均流特性最主要的参数。通过建立SiC MOSFET双管并联的电路模型,探究...
SiC MOSFET分立器件的并联结构已在中大功率应用中广泛使用,为了充分利用并联的优势,需解决并联动态电流不均衡问题。在SiC MOSFET特性参数中,阈值电压是影响并联动态均流特性最主要的参数。通过建立SiC MOSFET双管并联的电路模型,探究了并联动态电流不均衡的补偿策略,推导了阈值电压对SiC MOSFET开关管动态均流程度影响的公式。建立了含寄生电感的双管并联电路模型,提出了两种双管并联动态电流不均衡的无源补偿策略,即基于共源极寄生电感的补偿策略以及基于开尔文源极电感和功率源极寄生电感并联的补偿策略。通过仿真比较了两种无源补偿策略下的开关总损耗。最后,优化了基于开尔文源极电感和功率源极寄生电感并联的补偿策略,并通过双脉冲实验验证了此并联补偿策略下的动态均流效果。
展开更多
关键词
SiC
MOSFET
并联
动态均流特性
无源补偿策略
寄生电感
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
基于真空电弧伏安特性的大电流真空多断口并联动态均流特性
1
作者
韩翔宇
杨飞
陈洪斌
李刚
孙晋茹
荣命哲
机构
西安交通大学电工材料电气绝缘全国重点实验室
西安交通大学电气工程学院
西安高压电器研究院
出处
《高电压技术》
北大核心
2025年第4期1922-1933,共12页
基金
国家重点研发计划(2022YFB2403600)
国家自然科学基金(U22B20121)
+1 种基金
陕西省“三秦学者”创新团队项目(西安交通大学先进直流电力装备关键技术及其产业化示范创新团队)
陕西省资助项目(2022KXJ-142)。
文摘
高压、大容量发电机断路器是发电厂的关键电力开关设备,其额定电流与故障电流均超出了单个真空灭弧室的容量极限,需并联多个真空灭弧室。针对真空多断口并联动态燃弧过程中的均流问题,搭建了真空燃弧实验平台,开展了40~80 kA大电流燃弧实验,并用高速摄影仪同步拍摄电弧形态。根据大电流真空电弧的伏安特性将燃弧过程划分为瞬态起弧阶段、电弧演变的非稳定阶段和电弧演变的稳定阶段,详细分析了电弧形态、电流等级对伏安特性的影响规律。提出了基于不同燃弧阶段下伏安特性的大电流真空电弧的电路模型,电弧电压的仿真误差最大仅为弧压极值的4.99%。之后,建立了大电流真空多断口并联均流的仿真拓扑,研究了起弧延时和支路阻抗对动态均流的影响规律,并阐明了最佳起弧延时的绝对值会随着静态均流系数的降低而提高。最后,开展了100 kA真空多断口并联均流实验,成功实现了较好的均流效果,也验证了所提模型的预测能力。该结论将为高压、大容量发电机断路器开断性能的提升奠定基础。
关键词
发电机断路器
真空多断口
伏安
特性
静态
均
流
特性
动态均流特性
Keywords
generator circuit breaker
vacuum multi-breakers in parallel
volt-ampere characteristics
static current-sharing characteristics
dynamic current-sharing characteristics
分类号
TM561 [电气工程—电器]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
SiC MOSFET并联动态电流不均衡的无源补偿策略
被引量：
2
2
作者
朱梓悦
秦海鸿
潘国威
陈迪克
机构
常州大学华罗庚学院机器人产业学院
南京航空航天大学自动化学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第9期712-718,共7页
文摘
SiC MOSFET分立器件的并联结构已在中大功率应用中广泛使用,为了充分利用并联的优势,需解决并联动态电流不均衡问题。在SiC MOSFET特性参数中,阈值电压是影响并联动态均流特性最主要的参数。通过建立SiC MOSFET双管并联的电路模型,探究了并联动态电流不均衡的补偿策略,推导了阈值电压对SiC MOSFET开关管动态均流程度影响的公式。建立了含寄生电感的双管并联电路模型,提出了两种双管并联动态电流不均衡的无源补偿策略,即基于共源极寄生电感的补偿策略以及基于开尔文源极电感和功率源极寄生电感并联的补偿策略。通过仿真比较了两种无源补偿策略下的开关总损耗。最后,优化了基于开尔文源极电感和功率源极寄生电感并联的补偿策略,并通过双脉冲实验验证了此并联补偿策略下的动态均流效果。
关键词
SiC
MOSFET
并联
动态均流特性
无源补偿策略
寄生电感
Keywords
SiC MOSFET
parallel
dynamic current balancing characteristic
passive compensation strategy
parasitic inductance
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于真空电弧伏安特性的大电流真空多断口并联动态均流特性
韩翔宇
杨飞
陈洪斌
李刚
孙晋茹
荣命哲
《高电压技术》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
SiC MOSFET并联动态电流不均衡的无源补偿策略
朱梓悦
秦海鸿
潘国威
陈迪克
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
