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实际意义下n-D离散系统动态反馈补偿器的构造
1
作者
摆玉龙
吕振肃
焦健
《兰州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期48-52,共5页
针对 Agathoklis等提出的具有实际意义的 n维 (n - D)离散系统 ,在求解了 n - D多项式矩阵方程的基础上 ,给出了 n - D动态反馈补偿器的构造方法及相应的求解算法 。
关键词
动态反馈补偿
器
实际意义
n-D离散系统
n-D多项式矩阵方程
构造方法
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职称材料
基于动态反馈补偿的随动系统特性分析
被引量:
1
2
作者
洪祖德
郭志波
《江苏大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
2002年第2期92-94,共3页
对一类具有动态反馈补偿的随动系统的特性进行了分析 理论分析和仿真结果均表明动态补偿方法是一种强有力的校正方法
关键词
扰动
动态反馈补偿
随动系统
特性分析
控制系统
等效Ⅱ型系统
仿真
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职称材料
一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计
被引量:
2
3
作者
牛宗超
杨发顺
+3 位作者
丁召
王基石
马奎
张正平
《现代电子技术》
2010年第14期7-9,13,共4页
提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25^+120℃范围的温...
提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25^+120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。
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关键词
带隙基准源
温度系数
动态反馈补偿
CMOS
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职称材料
题名
实际意义下n-D离散系统动态反馈补偿器的构造
1
作者
摆玉龙
吕振肃
焦健
机构
西北师范大学物理与电子工程学院
兰州大学信息科学与工程学院
陇南农业学校
出处
《兰州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期48-52,共5页
文摘
针对 Agathoklis等提出的具有实际意义的 n维 (n - D)离散系统 ,在求解了 n - D多项式矩阵方程的基础上 ,给出了 n - D动态反馈补偿器的构造方法及相应的求解算法 。
关键词
动态反馈补偿
器
实际意义
n-D离散系统
n-D多项式矩阵方程
构造方法
Keywords
n-D systems
dynamic feedback compensators
practical sense
分类号
TP13 [自动化与计算机技术—控制理论与控制工程]
O231 [理学—运筹学与控制论]
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职称材料
题名
基于动态反馈补偿的随动系统特性分析
被引量:
1
2
作者
洪祖德
郭志波
机构
扬州大学工学院
出处
《江苏大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
2002年第2期92-94,共3页
文摘
对一类具有动态反馈补偿的随动系统的特性进行了分析 理论分析和仿真结果均表明动态补偿方法是一种强有力的校正方法
关键词
扰动
动态反馈补偿
随动系统
特性分析
控制系统
等效Ⅱ型系统
仿真
Keywords
disturbance
dynamic feedback
feedforward
分类号
TP271.9 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TP13 [自动化与计算机技术—控制理论与控制工程]
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职称材料
题名
一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计
被引量:
2
3
作者
牛宗超
杨发顺
丁召
王基石
马奎
张正平
机构
贵州大学理学院
出处
《现代电子技术》
2010年第14期7-9,13,共4页
基金
科技部支撑项目子专题:IPTV服务系统建设与示范(2008BADB6B02-06)
省长基金:基于IPTV的农村信息化服务平台建设及应用示范贵州省科技攻关资助项目(黔省专合字(2008)3号)
+2 种基金
贵州省工业攻关计划项目:高精度低漂移集成电压基准源研究与试制(黔科合丁字[2008]3033)
贵州大学研究生创新基金资助(省研理工2009003)
贵州省农业攻关资助项目:面向贵州农村信息化远程多媒体视频点播关键技术研究(黔科合丁字[2009]3051)
文摘
提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25^+120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。
关键词
带隙基准源
温度系数
动态反馈补偿
CMOS
Keywords
band-gap reference
temperature coefficient
dynamic feedback compensation
CMOS
分类号
TN710 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
实际意义下n-D离散系统动态反馈补偿器的构造
摆玉龙
吕振肃
焦健
《兰州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
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职称材料
2
基于动态反馈补偿的随动系统特性分析
洪祖德
郭志波
《江苏大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
2002
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计
牛宗超
杨发顺
丁召
王基石
马奎
张正平
《现代电子技术》
2010
2
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职称材料
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