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12-GHz 0.25μmCMOS 1:2动态分频器 被引量:6
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作者 王欢 王志功 +6 位作者 冯军 朱恩 陆建华 陈海涛 谢婷婷 熊明珍 章丽 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第8期45-50,共6页
基于D触发器的电路结构 ,采用TSMC 0 .2 5 μmCMOS工艺 ,成功地实现了12GHz 1:2动态分频器。经测试 ,该分频器在输入信号频率为 10 .5 3GHz时 ,最小可分频幅度小于 2mV ,输入信号单端幅度小于 30 0mV时 ,可分频范围为 7GHz~ 12GHz。电... 基于D触发器的电路结构 ,采用TSMC 0 .2 5 μmCMOS工艺 ,成功地实现了12GHz 1:2动态分频器。经测试 ,该分频器在输入信号频率为 10 .5 3GHz时 ,最小可分频幅度小于 2mV ,输入信号单端幅度小于 30 0mV时 ,可分频范围为 7GHz~ 12GHz。电源电压 3.3V ,核心功耗 2 4mW。 展开更多
关键词 动态分频器 D触发器 CMOS工艺 电路设计 锁存器 分频幅度
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W波段InGaAs/InP动态二分频器(英文) 被引量:5
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作者 钟英辉 苏永波 +6 位作者 金智 王显泰 曹玉雄 姚鸿飞 宁晓曦 张玉明 刘新宇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期393-398,共6页
采用fT=214 GHz,fmax=193 GHz的InGaAs/InP异质结双极型晶体管工艺,设计了一款基于时钟驱动型反相器的动态二分频器.该分频器工作频段为60~100 GHz,但由于测试系统上限频率的限制,只能测出62~83 GHz的工作范围.在-4.2 V和-5.2 V的单... 采用fT=214 GHz,fmax=193 GHz的InGaAs/InP异质结双极型晶体管工艺,设计了一款基于时钟驱动型反相器的动态二分频器.该分频器工作频段为60~100 GHz,但由于测试系统上限频率的限制,只能测出62~83 GHz的工作范围.在-4.2 V和-5.2 V的单电源直流偏置下该分频器的功耗分别为596.4 mW、1060.8 mW.此分频器的成功制作对于工作在W波段锁相环的构建有较大的意义. 展开更多
关键词 磷化铟 异质结双极型晶体管 动态分频器 时钟驱动型反相器
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