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加压水介质耐μs级高电压击穿实验研究
被引量：
7
1
作者
张自成
杨建华
+3 位作者
张建德
刘金亮
蒲金飞
刘振祥
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期761-764,共4页
采用水介质同轴电极实验装置,开展了μs级充电加压水介质击穿实验研究,并对实验结果进行了分析和讨论,结果表明在水介质正电极击穿类型的实验中,常压下水介质击穿场强与Martin公式吻合。加压水介质击穿场强随静压的增加而增加,其场强增...
采用水介质同轴电极实验装置,开展了μs级充电加压水介质击穿实验研究,并对实验结果进行了分析和讨论,结果表明在水介质正电极击穿类型的实验中,常压下水介质击穿场强与Martin公式吻合。加压水介质击穿场强随静压的增加而增加,其场强增幅与Mirza定性理论场强增幅的相对差别在5%以内。根据实验结果推导出了更为准确的水介质击穿场强随静压变化的关系式。对水介质加压,将压缩电极表面气泡,减少气泡数目,从而可以提高水介质耐高电压击穿能力。
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关键词
加压水介质
高电压击穿
μs级充电
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职称材料
抛光电极表面对加压水介质耐压的影响
被引量：
2
2
作者
张自成
杨建华
+1 位作者
张建德
周相
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第10期52-54,共3页
改变加水介质同轴实验装置电极表面的光滑程度,进行了μs级充电下的击穿实验,实验结果表明:抛光电极表面后加压水介质击穿场强Eb与水静压P关系仍为Eb∝P1/8;与未抛光时相比,Eb提高了～20%;加压比抛光更能提高Eb;加压延长了击穿延迟时间...
改变加水介质同轴实验装置电极表面的光滑程度,进行了μs级充电下的击穿实验,实验结果表明:抛光电极表面后加压水介质击穿场强Eb与水静压P关系仍为Eb∝P1/8;与未抛光时相比,Eb提高了～20%;加压比抛光更能提高Eb;加压延长了击穿延迟时间而抛光减弱了场致发射电流,气泡也较难附着在电极表面。
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关键词
电极表面光滑程度
加压水介质
高电压击穿
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职称材料
题名
加压水介质耐μs级高电压击穿实验研究
被引量：
7
1
作者
张自成
杨建华
张建德
刘金亮
蒲金飞
刘振祥
机构
国防科学技术大学光电科学与工程学院
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期761-764,共4页
基金
国家863计划项目资助课题
文摘
采用水介质同轴电极实验装置,开展了μs级充电加压水介质击穿实验研究,并对实验结果进行了分析和讨论,结果表明在水介质正电极击穿类型的实验中,常压下水介质击穿场强与Martin公式吻合。加压水介质击穿场强随静压的增加而增加,其场强增幅与Mirza定性理论场强增幅的相对差别在5%以内。根据实验结果推导出了更为准确的水介质击穿场强随静压变化的关系式。对水介质加压,将压缩电极表面气泡,减少气泡数目,从而可以提高水介质耐高电压击穿能力。
关键词
加压水介质
高电压击穿
μs级充电
Keywords
Anodes
Bubbles (in fluids)
Dielectric materials
Pressurization
Water
分类号
TL503 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
抛光电极表面对加压水介质耐压的影响
被引量：
2
2
作者
张自成
杨建华
张建德
周相
机构
国防科技大学光电科学与工程学院
出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第10期52-54,共3页
文摘
改变加水介质同轴实验装置电极表面的光滑程度,进行了μs级充电下的击穿实验,实验结果表明:抛光电极表面后加压水介质击穿场强Eb与水静压P关系仍为Eb∝P1/8;与未抛光时相比,Eb提高了～20%;加压比抛光更能提高Eb;加压延长了击穿延迟时间而抛光减弱了场致发射电流,气泡也较难附着在电极表面。
关键词
电极表面光滑程度
加压水介质
高电压击穿
Keywords
polished surface of electrodes
high electrical breakdown
pressurized water dielectric
分类号
O462 [理学—电子物理学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
加压水介质耐μs级高电压击穿实验研究
张自成
杨建华
张建德
刘金亮
蒲金飞
刘振祥
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
7
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职称材料
2
抛光电极表面对加压水介质耐压的影响
张自成
杨建华
张建德
周相
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
2
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职称材料
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